Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IXTP1R6N50D2
  • В избранное
  • В сравнение
IXTP1R6N50D2

IXTP1R6N50D2

IXTP1R6N50D2
;
IXTP1R6N50D2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTP1R6N50D2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IXTP1R6N50D2 при покупке от 1 шт 851.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTP1R6N50D2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTP1R6N50D2

IXTP1R6N50D2 – это N-канальный MOSFET от IXYS (ныне Littelfuse) в корпусе TO220AB.

  • Основные параметры:
    • Напряжение сток-исток (Vds): 500 В
    • Максимальный ток стока (Id): 1.6 А
    • Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 1.6 Ом (при Vgs = 10 В, Id = 0.8 А)
    • Пороговое напряжение (Vgs(th)): 2.5 - 4 В
    • Мощность рассеяния (Pd): 50 Вт (при Tcase = 25°C)
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение пробоя (500 В)
    • Простота управления (MOSFET)
    • Корпус TO220AB обеспечивает хороший теплоотвод
    • Относительно низкий Rds(on) для данного класса MOSFET
  • Минусы:
    • Ограниченный ток (1.6 А)
    • Rds(on) может быть высоким для приложений с большими токами
  • Общее назначение:
    • Коммутация и управление нагрузками постоянного тока
    • Импульсные источники питания
    • Драйверы реле и соленоидов
    • Защитные схемы
  • Применяется в устройствах:
    • Импульсные блоки питания (SMPS)
    • Инверторы
    • Регуляторы напряжения
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование

Выбрано: Показать

Характеристики IXTP1R6N50D2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.6A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.3Ohm @ 800mA, 0V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23.7 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    645 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    100W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IXTP1

Техническая документация

 IXTP1R6N50D2.pdf
pdf. 0 kb
  • 264 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    851 ₽
  • 10
    441 ₽
  • 100
    399 ₽
  • 500
    329 ₽
  • 1000
    303 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTP1R6N50D2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IXTP1R6N50D2 при покупке от 1 шт 851.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTP1R6N50D2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTP1R6N50D2

IXTP1R6N50D2 – это N-канальный MOSFET от IXYS (ныне Littelfuse) в корпусе TO220AB.

  • Основные параметры:
    • Напряжение сток-исток (Vds): 500 В
    • Максимальный ток стока (Id): 1.6 А
    • Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 1.6 Ом (при Vgs = 10 В, Id = 0.8 А)
    • Пороговое напряжение (Vgs(th)): 2.5 - 4 В
    • Мощность рассеяния (Pd): 50 Вт (при Tcase = 25°C)
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение пробоя (500 В)
    • Простота управления (MOSFET)
    • Корпус TO220AB обеспечивает хороший теплоотвод
    • Относительно низкий Rds(on) для данного класса MOSFET
  • Минусы:
    • Ограниченный ток (1.6 А)
    • Rds(on) может быть высоким для приложений с большими токами
  • Общее назначение:
    • Коммутация и управление нагрузками постоянного тока
    • Импульсные источники питания
    • Драйверы реле и соленоидов
    • Защитные схемы
  • Применяется в устройствах:
    • Импульсные блоки питания (SMPS)
    • Инверторы
    • Регуляторы напряжения
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование

Выбрано: Показать

Характеристики IXTP1R6N50D2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.6A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.3Ohm @ 800mA, 0V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23.7 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    645 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    100W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IXTP1

Техническая документация

 IXTP1R6N50D2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXFK140N30PMOSFET N-CH 300V 140A TO264AA
    4 069Кешбэк 610 баллов
    IXTJ4N150Транзистор: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247
    2 245Кешбэк 336 баллов
    IXTN102N65X2MOSFET N-CH 650V 76A SOT227
    6 271Кешбэк 940 баллов
    IXFH36N60PMOSFET N-CH 600V 36A TO247AD
    2 365Кешбэк 354 балла
    IXTH10P50PMOSFET P-CH 500V 10A TO247
    1 699Кешбэк 254 балла
    IXTQ36N50PMOSFET N-CH 500V 36A TO3P
    2 026Кешбэк 303 балла
    IXFH14N60PMOSFET N-CH 600V 14A TO247AD
    1 182Кешбэк 177 баллов
    IXTP15N50L2MOSFET N-CH 500V 15A TO220AB
    1 923Кешбэк 288 баллов
    CPC3701CTRMOSFET N-CH 60V SOT89
    230Кешбэк 34 балла
    IXFH50N60P3MOSFET N-CH 600V 50A TO247AD
    1 982Кешбэк 297 баллов
    IXFX64N60P3Транзистор: MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3
    2 374Кешбэк 356 баллов
    IXTH96N20PMOSFET N-CH 200V 96A TO247
    1 936Кешбэк 290 баллов
    IXFX420N10TMOSFET N-CH 100V 420A PLUS247-3
    3 805Кешбэк 570 баллов
    IXFX26N120PMOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247-3
    6 791Кешбэк 1 018 баллов
    IXTP3N120MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
    1 480Кешбэк 222 балла
    IXFK26N120PMOSFET N-CH 1200V 26A TO264AA
    6 804Кешбэк 1 020 баллов
    IXFK32N100PMOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA
    4 673Кешбэк 700 баллов
    IXFH18N100Q3MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD
    3 196Кешбэк 479 баллов
    IXTQ88N30PMOSFET N-CH 300V 88A TO3P
    2 400Кешбэк 360 баллов
    IXTP1R6N50D2MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
    851Кешбэк 127 баллов
    IXFA10N80PТранзистор: MOSFET N-CH 800V 10A TO263
    892Кешбэк 133 балла
    IXFH12N100PMOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
    1 819Кешбэк 272 балла
    IXTA102N15TMOSFET N-CH 150V 102A TO263
    496Кешбэк 74 балла
    IXTP06N120PMOSFET N-CH 1200V 600MA TO220AB
    942Кешбэк 141 балл
    IXFH10N80PMOSFET N-CH 800V 10A TO247AD
    980Кешбэк 147 баллов
    IXFP16N60P3MOSFET N-CH 600V 16A TO220
    1 273Кешбэк 190 баллов
    IXFP26N50P3MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
    1 637Кешбэк 245 баллов
    IXFN120N65X2MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B
    8 255Кешбэк 1 238 баллов
    IXTP460P2MOSFET N-CH 500V 24A TO220AB
    1 092Кешбэк 163 балла
    IXTP120P065TMOSFET P-CH 65V 120A TO220AB
    1 315Кешбэк 197 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП