Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IXTP3N120
IXTP3N120

IXTP3N120

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    IXTP3N120
  • Описание:
    MOSFET N-CH 1200V 3A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IXTP3N120 при покупке от 1 шт 1565.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTP3N120 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXTP3N120

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    42 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1350 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    200W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IXTP3
Техническая документация
 IXTP3N120.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 238 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 565 ₽
  • 5
    1 371 ₽
  • 10
    1 175 ₽
  • 50
    981 ₽
  • 100
    961 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    IXTP3N120
  • Описание:
    MOSFET N-CH 1200V 3A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IXTP3N120 при покупке от 1 шт 1565.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTP3N120 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXTP3N120

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    42 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1350 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    200W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IXTP3
Техническая документация
 IXTP3N120.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDS3590MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
    261Кешбэк 39 баллов
    RQ1A070ZPTRMOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
    335Кешбэк 50 баллов
    FDS6680ASMOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
    179Кешбэк 26 баллов
    SI7850DP-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
    503Кешбэк 75 баллов
    FDA59N30Транзистор: MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
    1 119Кешбэк 167 баллов
    BSS84AK,215Транзистор: MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
    32.4Кешбэк 4 балла
    SI4825DDY-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO
    253Кешбэк 37 баллов
    FDPF320N06LMOSFET N-CH 60V 21A TO220F
    480Кешбэк 72 балла
    FDMS86500DCТранзистор: MOSFET N-CH 60V 29A DLCOOL56
    767Кешбэк 115 баллов
    IRFBF20STRRPBFMOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
    571Кешбэк 85 баллов
    FDP050AN06A0MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3
    718Кешбэк 107 баллов
    FQPF5N60CYDTUТранзистор: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F-3
    148Кешбэк 22 балла
    STW62NM60NMOSFET N-CH 600V 65A TO247
    2 408Кешбэк 361 балл
    DN1509K1-GMOSFET N-CH 90V 200MA SOT23-5
    145Кешбэк 21 балл
    IXTX120P20TMOSFET P-CH 200V 120A PLUS247-3
    5 046Кешбэк 756 баллов
    ATP201-V-TL-HMOSFET N-CH 30V 35A ATPAK
    105Кешбэк 15 баллов
    FDS4675MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
    284Кешбэк 42 балла
    FQPF32N12V2MOSFET N-CH 120V 32A TO220F
    282Кешбэк 42 балла
    DMP4051LK3-13Транзистор: MOSFET P-CH 40V 7.2A TO252-3
    152Кешбэк 22 балла
    AO4294MOSFET N-CH 100V 11.5A 8SO
    329Кешбэк 49 баллов
    IRF644STRLPBFMOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
    695Кешбэк 104 балла
    BUK7631-100E,118MOSFET N-CH 100V 34A D2PAK
    150Кешбэк 22 балла
    IPA65R225C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 7A TO220-FP
    333Кешбэк 49 баллов
    NDS9430AMOSFET P-CH 20V 5.3A 8SOIC
    145Кешбэк 21 балл
    LND150K1-GТранзистор: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
    95Кешбэк 14 баллов
    NDT3055Транзистор: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
    230Кешбэк 34 балла
    SCH1439-TL-WMOSFET N-CH 30V 3.5A SOT563/SCH6
    76Кешбэк 11 баллов
    FDD5353MOSFET N-CH 60V 11.5A/50A DPAK
    223Кешбэк 33 балла
    DMP2012SN-7MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
    86Кешбэк 12 баллов
    STP18NM60NDMOSFET N-CH 600V 13A TO220
    937Кешбэк 140 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Принадлежности
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП