Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IXTQ14N60P

IXTQ14N60P

IXTQ14N60P
;
IXTQ14N60P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IXTQ14N60P при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTQ14N60P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTQ14N60P

IXTQ14N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 14A TO3P

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
    • Номинальный ток (ID(on)): 14А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO3P
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое значение RDS(on)
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к шуму и электромагнитным помехам
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимо соблюдать теплоотвод для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления двигателей
    • Работа в свичинговых конверторах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Электронных устройствах питания
    • Системах управления промышленного оборудования
    • Мобильных зарядных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики IXTQ14N60P

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    14A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    550mOhm @ 7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    36 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2500 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    300W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-3P
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Base Product Number
    IXTQ14

Техническая документация

IXTQ14N60P.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IXTQ14N60P при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTQ14N60P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTQ14N60P

IXTQ14N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 14A TO3P

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
    • Номинальный ток (ID(on)): 14А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO3P
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое значение RDS(on)
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к шуму и электромагнитным помехам
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимо соблюдать теплоотвод для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления двигателей
    • Работа в свичинговых конверторах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Электронных устройствах питания
    • Системах управления промышленного оборудования
    • Мобильных зарядных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики IXTQ14N60P

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    14A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    550mOhm @ 7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    36 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2500 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    300W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-3P
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Base Product Number
    IXTQ14

Техническая документация

IXTQ14N60P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории