Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IXTT1N250HV
IXTT1N250HV

IXTT1N250HV

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTT1N250HV
  • Описание:
    MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268Все характеристики

Минимальная цена IXTT1N250HV при покупке от 1 шт 8365.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTT1N250HV с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXTT1N250HV

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    2500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    40Ohm @ 750mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    41 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1660 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    250W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-268AA
  • Корпус
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Base Product Number
    IXTT1
Техническая документация
 IXTT1N250HV.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 477 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    8 365 ₽
  • 10
    6 294 ₽
  • 100
    5 852 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTT1N250HV
  • Описание:
    MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268Все характеристики

Минимальная цена IXTT1N250HV при покупке от 1 шт 8365.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTT1N250HV с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXTT1N250HV

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    2500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    40Ohm @ 750mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    41 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1660 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    250W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-268AA
  • Корпус
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Base Product Number
    IXTT1
Техническая документация
 IXTT1N250HV.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTD3817N-1GMOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
    42Кешбэк 6 баллов
    IRFR3910TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
    133Кешбэк 19 баллов
    STD25N10F7MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
    309Кешбэк 46 баллов
    IXTT68P20TMOSFET P-CH 200V 68A TO268
    3 259Кешбэк 488 баллов
    VN0106N3-G-P003MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
    167Кешбэк 25 баллов
    STB23N80K5MOSFET N-CH 800V 16A D2PAK
    889Кешбэк 133 балла
    IRFTS9342TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
    113Кешбэк 16 баллов
    IPA60R600CPXKSA1Транзистор
    147Кешбэк 22 балла
    DMN4468LSS-13Транзистор: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP
    116Кешбэк 17 баллов
    ZXMN4A06KTCMOSFET N-CH 40V 7.2A TO252-3
    244Кешбэк 36 баллов
    BUK9E6R1-100E,127MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
    300Кешбэк 45 баллов
    DMG3402L-7MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
    34Кешбэк 5 баллов
    STD6N65M2MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
    247Кешбэк 37 баллов
    SI7370DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
    545Кешбэк 81 балл
    SI7617DN-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
    125Кешбэк 18 баллов
    FDMA86108LZMOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
    320Кешбэк 48 баллов
    NTMS10P02R2GMOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
    247Кешбэк 37 баллов
    DMP4051LK3-13Транзистор: MOSFET P-CH 40V 7.2A TO252-3
    136Кешбэк 20 баллов
    IRF7607TRPBFMOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8
    139Кешбэк 20 баллов
    IRFZ48PBFMOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
    687Кешбэк 103 балла
    FCD620N60ZFMOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
    204Кешбэк 30 баллов
    STP130N6F7MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
    249Кешбэк 37 баллов
    FQAF40N25MOSFET N-CH 250V 24A TO3PF
    556Кешбэк 83 балла
    SIB457EDK-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
    122Кешбэк 18 баллов
    STD4NK60Z-1MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
    166Кешбэк 24 балла
    NDS7002AMOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
    30Кешбэк 4 балла
    IPA60R230P6XKSA1MOSFET N-CH 600V 16.8A TO220-FP
    338Кешбэк 50 баллов
    NTMFS4C08NT1GТранзистор: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
    78Кешбэк 11 баллов
    STF34NM60NDMOSFET N-CH 600V 29A TO220FP
    1 116Кешбэк 167 баллов
    SI2356DS-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
    83Кешбэк 12 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП