Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IXTT1N300P3HV

IXTT1N300P3HV

IXTT1N300P3HV
;
IXTT1N300P3HV

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IXTT1N300P3HV при покупке от 1 шт 6544.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTT1N300P3HV с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTT1N300P3HV

IXTT1N300P3HV IXYS MOSFET N-ЧЕТВЕРТЬШИРИННОЙ 3000В 1А TO268

  • Основные параметры:
    • Тип: N-чтвртшнинный MOSFET
    • Рейтинг напряжения: 3000 В
    • Рейтинг тока: 1 А
    • Оболочка: TO268
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость в установке
    • Хорошая термическая стабильность
    • Высокая скорость включения/выключения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применяется в системах питания, преобразователях мощности
    • Используется в драйверах для индуктивных нагрузок
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателем
    • Преобразователи напряжения
    • Индуктивные зарядные устройства
    • Электронные блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики IXTT1N300P3HV

Техническая документация

IXTT1N300P3HV.pdf
pdf. 0 kb
  • 374 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    6 544 ₽
  • 10
    5 895 ₽
  • 120
    5 893 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IXTT1N300P3HV при покупке от 1 шт 6544.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTT1N300P3HV с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTT1N300P3HV

IXTT1N300P3HV IXYS MOSFET N-ЧЕТВЕРТЬШИРИННОЙ 3000В 1А TO268

  • Основные параметры:
    • Тип: N-чтвртшнинный MOSFET
    • Рейтинг напряжения: 3000 В
    • Рейтинг тока: 1 А
    • Оболочка: TO268
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость в установке
    • Хорошая термическая стабильность
    • Высокая скорость включения/выключения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применяется в системах питания, преобразователях мощности
    • Используется в драйверах для индуктивных нагрузок
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателем
    • Преобразователи напряжения
    • Индуктивные зарядные устройства
    • Электронные блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики IXTT1N300P3HV

Техническая документация

IXTT1N300P3HV.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории