Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IXTT3N200P3HV
  • В избранное
  • В сравнение
IXTT3N200P3HV

IXTT3N200P3HV

IXTT3N200P3HV
;
IXTT3N200P3HV

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTT3N200P3HV
  • Описание:
    MOSFET N-CH 2000V 3A TO268Все характеристики

Минимальная цена IXTT3N200P3HV при покупке от 1 шт 9035.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTT3N200P3HV с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXTT3N200P3HV

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    2000 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8Ohm @ 1.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    70 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1860 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    520W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-268HV (IXTT)
  • Корпус
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Base Product Number
    IXTT3

Техническая документация

 IXTT3N200P3HV.pdf
pdf. 0 kb
  • 295 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    9 035 ₽
  • 30
    6 401 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTT3N200P3HV
  • Описание:
    MOSFET N-CH 2000V 3A TO268Все характеристики

Минимальная цена IXTT3N200P3HV при покупке от 1 шт 9035.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTT3N200P3HV с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXTT3N200P3HV

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    2000 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8Ohm @ 1.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    70 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1860 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    520W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-268HV (IXTT)
  • Корпус
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Base Product Number
    IXTT3

Техническая документация

 IXTT3N200P3HV.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SIAA02DJ-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
    125Кешбэк 18 баллов
    SQJA36EP-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
    439Кешбэк 65 баллов
    SQS140ENW-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
    309Кешбэк 46 баллов
    SQD40020EL_GE3MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
    433Кешбэк 64 балла
    SQM50P03-07_GE3MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263
    619Кешбэк 92 балла
    SIR4606DP-T1-GE3N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
    281Кешбэк 42 балла
    SI2302DDS-T1-BE3N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
    95Кешбэк 14 баллов
    SQM120P10_10M1LGE3MOSFET P-CH 100V 120A TO263
    889Кешбэк 133 балла
    SQJA62EP-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
    275Кешбэк 41 балл
    SI3473DDV-T1-GE3MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
    102Кешбэк 15 баллов
    SQ9407EY-T1_BE3MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SOIC
    273Кешбэк 40 баллов
    IRFR014TRLPBF-BE3MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    271Кешбэк 40 баллов
    SQ2301ES-T1_BE3MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
    74Кешбэк 11 баллов
    SQJ402EP-T1_GE3MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
    428Кешбэк 64 балла
    SISS73DN-T1-GE3MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK
    327Кешбэк 49 баллов
    SI2336DS-T1-BE3MOSFET N-CH 30V 4.3A/5.2A SOT23
    54Кешбэк 8 баллов
    SQD70140EL_GE3MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
    191Кешбэк 28 баллов
    SQ2303ES-T1_BE3MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
    61Кешбэк 9 баллов
    SIRA96DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
    143Кешбэк 21 балл
    SIR512DP-T1-RE3N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
    480Кешбэк 72 балла
    SQ4080EY-T1_BE3N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE
    338Кешбэк 50 баллов
    SIR692DP-T1-RE3MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
    469Кешбэк 70 баллов
    SIA106DJ-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
    191Кешбэк 28 баллов
    SIR500DP-T1-RE3N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
    409Кешбэк 61 балл
    SIJA54DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
    257Кешбэк 38 баллов
    SQJ407EP-T1_GE3MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
    377Кешбэк 56 баллов
    SI2392ADS-T1-BE3N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
    115Кешбэк 17 баллов
    SQ3495EV-T1_GE3MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
    119Кешбэк 17 баллов
    SIS606BDN-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
    299Кешбэк 44 балла
    SQ4064EY-T1_GE3MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
    229Кешбэк 34 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды силовые
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП