Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IXTY1R4N120P

IXTY1R4N120P

IXTY1R4N120P
;
IXTY1R4N120P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IXTY1R4N120P при покупке от 1 шт 937.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTY1R4N120P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTY1R4N120P

IXTY1R4N120P IXYS MOSFET N-Ч 1200В 1,4А TO252

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 1200В
    • Рейтингный ток: 1,4А
    • Компактная оболочка: TO252
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Низкое значение RDS(on)
    • Высокая надежность и стабильность
    • Малый тепловыделение
    • Простота использования в различных схемах
  • Минусы:
    • Умеренная мощность (для высоковольтных приложений)
    • Необходимо соблюдать требования к охлаждению
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах для управления током
    • Приложение в источниках питания
    • Изготовление инверторов и преобразователей
    • Системы управления двигателем
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Индустриальные контроллеры
    • Переносные устройства
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики IXTY1R4N120P

Техническая документация

IXTY1R4N120P.pdf
pdf. 0 kb
  • 1221 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    937 ₽
  • 10
    821 ₽
  • 70
    437 ₽
  • 560
    385 ₽
  • 2520
    359 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IXTY1R4N120P при покупке от 1 шт 937.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTY1R4N120P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTY1R4N120P

IXTY1R4N120P IXYS MOSFET N-Ч 1200В 1,4А TO252

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 1200В
    • Рейтингный ток: 1,4А
    • Компактная оболочка: TO252
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Низкое значение RDS(on)
    • Высокая надежность и стабильность
    • Малый тепловыделение
    • Простота использования в различных схемах
  • Минусы:
    • Умеренная мощность (для высоковольтных приложений)
    • Необходимо соблюдать требования к охлаждению
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах для управления током
    • Приложение в источниках питания
    • Изготовление инверторов и преобразователей
    • Системы управления двигателем
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Индустриальные контроллеры
    • Переносные устройства
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики IXTY1R4N120P

Техническая документация

IXTY1R4N120P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории