IXXH100N60C3

IXXH100N60C3 – это IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) от IXYS (Littelfuse). Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 600V
• Номинальный ток коллектора (Ic): 190A
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 830W
• Корпус: TO247AD
• Тип: N-канальный

Плюсы:

• Высокая скорость переключения
• Низкое напряжение насыщения (Vce(sat)) – уменьшает потери мощности
• Высокая надежность
• Простота управления (управление затвором, как у MOSFET)

Минусы:

• Более высокая стоимость по сравнению с MOSFET
• Требуется драйвер затвора
• Возможны паразитные индуктивности, влияющие на быстродействие

Общее назначение: Коммутация и управление мощными нагрузками постоянного тока.

Применяется в:

• Инверторах
• Импульсных блоках питания (SMPS)
• Сварочных аппаратах
• Электрических транспортных средствах
• Силовых преобразователях энергии
• Индукционном нагреве