Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IXXQ30N60B3M

IXXQ30N60B3M

IXXQ30N60B3M
;
IXXQ30N60B3M

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IXXQ30N60B3M при покупке от 1 шт 1110.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXXQ30N60B3M с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXXQ30N60B3M

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это тип полупроводникового транзистора, который сочетает в себе преимущества MOSFET и триодного транзистора.

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения блока питания
    • Рейтинг тока
    • Частота работы
    • Эффективность при работе
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий вольт-паразитный ток
    • Высокий коэффициент мощности
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Высокое внутреннее сопротивление
    • Высокие потери при работе
    • Необходимость использования охлаждения
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими нагрузками
    • Переключение тока в электронных устройствах
    • Увеличение эффективности энергоснабжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Промышленных преобразователях частоты
    • Энергосберегающих системах
    • Инверторах для солнечных батарей
Выбрано: Показать

Характеристики IXXQ30N60B3M

Техническая документация

IXXQ30N60B3M.pdf
pdf. 0 kb
  • 296 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 110 ₽
  • 30
    629 ₽
  • 120
    523 ₽
  • 510
    446 ₽
  • 1020
    432 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IXXQ30N60B3M при покупке от 1 шт 1110.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXXQ30N60B3M с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXXQ30N60B3M

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это тип полупроводникового транзистора, который сочетает в себе преимущества MOSFET и триодного транзистора.

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения блока питания
    • Рейтинг тока
    • Частота работы
    • Эффективность при работе
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий вольт-паразитный ток
    • Высокий коэффициент мощности
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Высокое внутреннее сопротивление
    • Высокие потери при работе
    • Необходимость использования охлаждения
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими нагрузками
    • Переключение тока в электронных устройствах
    • Увеличение эффективности энергоснабжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Промышленных преобразователях частоты
    • Энергосберегающих системах
    • Инверторах для солнечных батарей
Выбрано: Показать

Характеристики IXXQ30N60B3M

Техническая документация

IXXQ30N60B3M.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории