Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IXXX200N60B3

IXXX200N60B3

IXXX200N60B3
;
IXXX200N60B3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IXXX200N60B3 при покупке от 1 шт 3824.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXXX200N60B3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXXX200N60B3

IGXX200N60B3 IXYS ИGBT:

  • Основные параметры:
    • Рейтингная токовая способность (ITO): 200 А
    • Рейтингное напряжение (VCEO): 600 В
    • Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в режиме частотной инверсии
    • Малый тепловыделение
    • Простота управления
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Наличие двух электролитических конденсаторов для блокировки обратного напряжения
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных преобразователях мощности
    • В трансформаторах питания
    • В системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные приводы
    • Системы управления ветрогенераторами
    • Электроэнергетические установки
Выбрано: Показать

Характеристики IXXX200N60B3

Техническая документация

IXXX200N60B3.pdf
pdf. 0 kb
  • 294 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 824 ₽
  • 30
    2 409 ₽
  • 120
    2 179 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IXXX200N60B3 при покупке от 1 шт 3824.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXXX200N60B3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXXX200N60B3

IGXX200N60B3 IXYS ИGBT:

  • Основные параметры:
    • Рейтингная токовая способность (ITO): 200 А
    • Рейтингное напряжение (VCEO): 600 В
    • Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в режиме частотной инверсии
    • Малый тепловыделение
    • Простота управления
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Наличие двух электролитических конденсаторов для блокировки обратного напряжения
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных преобразователях мощности
    • В трансформаторах питания
    • В системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные приводы
    • Системы управления ветрогенераторами
    • Электроэнергетические установки
Выбрано: Показать

Характеристики IXXX200N60B3

Техническая документация

IXXX200N60B3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории