Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
IXYA20N120A4HV
  • В избранное
  • В сравнение
IXYA20N120A4HV

IXYA20N120A4HV

IXYA20N120A4HV
;
IXYA20N120A4HV

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXYA20N120A4HV
  • Описание:
    Транзистор: DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2Все характеристики

Минимальная цена IXYA20N120A4HV при покупке от 1 шт 1304.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXYA20N120A4HV с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXYA20N120A4HV

IXYA20N120A4HV IXYS Транзистор: DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2

  • Основные параметры:
    • Максимальный напряжение блокировки VCEO: 1200 В
    • Рейсующий ток Irated: 20 А
    • Эффективное значение коэффициента передачи β: 550
    • Максимальная температура корпуса Tcase max: 175 °С
    • Коэффициент теплового сопротивления θJc: 1.8°C·K/W
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокий КПД
    • Низкое энергетическое затухание
    • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения
    • Удобство установки из-за компактного размера корпуса
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требует наличия системы охлаждения для эффективной работы
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных преобразователях частоты
    • В трансформаторах и инверторах
    • В системах управления электродвигателями
    • В солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленные преобразователи частоты
    • Автомобильные инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Источники питания высокой мощности
    • Солнечные панели и другие системы возобновляемой энергии
Выбрано: Показать

Характеристики IXYA20N120A4HV

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    PT
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    135 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 20A
  • Рассеивание мощности
    375 W
  • Энергия переключения
    3.6mJ (on), 2.75mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    46 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    12ns/275ns
  • Условие испытаний
    800mV, 20A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    54 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    TO-263HV
  • Base Product Number
    IXYA20

Техническая документация

 IXYA20N120A4HV.pdf
pdf. 0 kb
  • 930 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 304 ₽
  • 10
    615 ₽
  • 100
    604 ₽
  • 500
    554 ₽
  • 2500
    534 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXYA20N120A4HV
  • Описание:
    Транзистор: DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2Все характеристики

Минимальная цена IXYA20N120A4HV при покупке от 1 шт 1304.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXYA20N120A4HV с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXYA20N120A4HV

IXYA20N120A4HV IXYS Транзистор: DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2

  • Основные параметры:
    • Максимальный напряжение блокировки VCEO: 1200 В
    • Рейсующий ток Irated: 20 А
    • Эффективное значение коэффициента передачи β: 550
    • Максимальная температура корпуса Tcase max: 175 °С
    • Коэффициент теплового сопротивления θJc: 1.8°C·K/W
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокий КПД
    • Низкое энергетическое затухание
    • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения
    • Удобство установки из-за компактного размера корпуса
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требует наличия системы охлаждения для эффективной работы
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных преобразователях частоты
    • В трансформаторах и инверторах
    • В системах управления электродвигателями
    • В солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленные преобразователи частоты
    • Автомобильные инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Источники питания высокой мощности
    • Солнечные панели и другие системы возобновляемой энергии
Выбрано: Показать

Характеристики IXYA20N120A4HV

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    PT
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    135 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 20A
  • Рассеивание мощности
    375 W
  • Энергия переключения
    3.6mJ (on), 2.75mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    46 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    12ns/275ns
  • Условие испытаний
    800mV, 20A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    54 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    TO-263HV
  • Base Product Number
    IXYA20

Техническая документация

 IXYA20N120A4HV.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRGBC30UТранзистор: IGBT UFAST 600V 23A TO-220AB
    7 726Кешбэк 1 158 баллов
    HGTG40N60C3RТранзистор: 75A, 600V N-CHANNEL IGBT
    1 465Кешбэк 219 баллов
    RGCL60TK60GC11Транзистор: IGBT
    560Кешбэк 84 балла
    IKW50N60TFKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
    1 002Кешбэк 150 баллов
    STGW8M120DF3Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    835Кешбэк 125 баллов
    RGTV00TK65GVC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
    617Кешбэк 92 балла
    IXA70R1200NAТранзистор: DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227B(MIN
    7 527Кешбэк 1 129 баллов
    STGWA40HP65FB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 4
    820Кешбэк 122 балла
    IHW25N120E1XKSA1Транзистор: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247
    589Кешбэк 88 баллов
    RGCL60TK60DGC11Транзистор: IGBT
    611Кешбэк 91 балл
    APT35GP120B2D2GТранзистор: IGBT PT COMBI 1200V 35A TO-247
    3 572Кешбэк 535 баллов
    IKFW40N65ES5XKSA1Транзистор: IKFW40N65ES5XKSA1
    1 338Кешбэк 200 баллов
    GT30N135SRA,S1EТранзистор: D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A
    791Кешбэк 118 баллов
    IGW30N60TPXKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3
    361Кешбэк 54 балла
    AIGB40N65H5ATMA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES
    960Кешбэк 144 балла
    RGTV80TS65GC11Транзистор: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    530Кешбэк 79 баллов
    RGTV80TK65GVC11Транзистор: 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    584Кешбэк 87 баллов
    RGTV80TK65DGVC11Транзистор: 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    688Кешбэк 103 балла
    RGW50TK65GVC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    890Кешбэк 133 балла
    IXYH55N120C4Транзистор: IGBT 1200V 55A GEN4 XPT TO247
    1 874Кешбэк 281 балл
    STGW100H65FB2-4Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1
    1 285Кешбэк 192 балла
    IGW30N60TFKSA1Транзистор: IGBT 600V 60A 187W TO247-3
    698Кешбэк 104 балла
    RGW60TS65CHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    2 276Кешбэк 341 балл
    RGW00TS65DHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    1 466Кешбэк 219 баллов
    FGY160T65SPD-F085Транзистор: 650V FS GEN3 TRENCH IGBT
    2 949Кешбэк 442 балла
    IKD03N60RFATMA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
    224Кешбэк 33 балла
    IHW30N135R5XKSA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14
    565Кешбэк 84 балла
    RGTH40TK65GC11Транзистор: IGBT
    514Кешбэк 77 баллов
    RGW40TS65GC11Транзистор: 650V 20A FIELD STOP TRENCH IGBT
    802Кешбэк 120 баллов
    STGWA20IH65DFТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
    706Кешбэк 105 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды силовые
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    IGBT транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП