Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
JAN1N4454UR-1
  • В избранное
  • В сравнение
JAN1N4454UR-1

JAN1N4454UR-1

JAN1N4454UR-1
;
JAN1N4454UR-1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip / Microsemi
  • Артикул:
    JAN1N4454UR-1
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 50V 4A DO213AAВсе характеристики

Минимальная цена JAN1N4454UR-1 при покупке от 1 шт 763.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить JAN1N4454UR-1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание JAN1N4454UR-1

JAN1N4454UR-1 Microchip / Microsemi DIODE GEN PURP 50V 4A DO213AA — это генеральное диодное устройство с общим назначением, работающее при напряжении до 50В и максимальном токе 4А.

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: ~0.7В
    • Максимальный ток: 4А
    • Максимальное номинальное напряжение: 50В
    • Тип корпуса: DO213AA
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Долгий срок службы
    • Компактный размер корпуса
  • Минусы:
    • Низкий коэффициент трансформации напряжения (около 0.7В)
    • Могут быть ограничения по току при высоких температурах
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного тока
    • Свободное колебание
    • Переключение малых токов
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Измерительные приборы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики JAN1N4454UR-1

  • Package
    Bulk
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    50 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    200mA (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 10 mA
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    4 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 50 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-213AA
  • Исполнение корпуса
    DO-213AA
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    1N4454

Техническая документация

 JAN1N4454UR-1.pdf
pdf. 0 kb
  • 139 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    763 ₽
  • 10
    695 ₽
  • 25
    661 ₽
  • 100
    578 ₽
  • 250
    400 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip / Microsemi
  • Артикул:
    JAN1N4454UR-1
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 50V 4A DO213AAВсе характеристики

Минимальная цена JAN1N4454UR-1 при покупке от 1 шт 763.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить JAN1N4454UR-1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание JAN1N4454UR-1

JAN1N4454UR-1 Microchip / Microsemi DIODE GEN PURP 50V 4A DO213AA — это генеральное диодное устройство с общим назначением, работающее при напряжении до 50В и максимальном токе 4А.

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: ~0.7В
    • Максимальный ток: 4А
    • Максимальное номинальное напряжение: 50В
    • Тип корпуса: DO213AA
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Долгий срок службы
    • Компактный размер корпуса
  • Минусы:
    • Низкий коэффициент трансформации напряжения (около 0.7В)
    • Могут быть ограничения по току при высоких температурах
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного тока
    • Свободное колебание
    • Переключение малых токов
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Измерительные приборы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики JAN1N4454UR-1

  • Package
    Bulk
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    50 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    200mA (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 10 mA
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    4 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 50 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-213AA
  • Исполнение корпуса
    DO-213AA
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    1N4454

Техническая документация

 JAN1N4454UR-1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    1SR156-400TE25DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS
    85Кешбэк 12 баллов
    FR3J-TPDIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
    141Кешбэк 21 балл
    SD101CW-7-FДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 15MA SOD123
    88Кешбэк 13 баллов
    APT30D40BGДиод: DIODE GEN PURP 400V 30A TO247
    547Кешбэк 82 балла
    SE15PG-M3/84ADIODE GEN PURP 400V 1.5A DO220AA
    94Кешбэк 14 баллов
    1N3882DIODE GEN PURP 300V 6A DO4
    1 321Кешбэк 198 баллов
    JANTX1N5553DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL
    1 336Кешбэк 200 баллов
    122NQ030R-1DIODE SCHOTTKY 30V 120A PRM1-1
    6 340Кешбэк 951 балл
    BYW29-150-E3/45Диод: DIODE GEN PURP 150V 8A TO220AC
    232Кешбэк 34 балла
    S2AДиод: HOLE PLUG SHT METAL 2" BLACK
    1 717Кешбэк 257 баллов
    S85YRDIODE GEN PURP REV 1.6KV 85A DO5
    2 857Кешбэк 428 баллов
    APT60DQ60BGДиод: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247
    328Кешбэк 49 баллов
    VS-30APF10-M3DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
    1 080Кешбэк 162 балла
    1N3070RECTIFIER DIODE
    1 213Кешбэк 181 балл
    SB3H100-E3/73DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO201AD
    135Кешбэк 20 баллов
    VS-70HFR10Диод: DIODE GEN PURP 100V 70A DO203AB
    1 662Кешбэк 249 баллов
    RB451FT106DIODE SCHOTTKY 40V 100MA UMD3
    31Кешбэк 4 балла
    MBRD340DIODE SCHOTTKY 40V 3A DPAK
    102Кешбэк 15 баллов
    PMEG3010CEJ,115Диод: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323F
    65Кешбэк 9 баллов
    VS-1N1183AДиод: DIODE GEN PURP 50V 40A DO203AB
    1 797Кешбэк 269 баллов
    SD103AW-HE3-08DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123
    70Кешбэк 10 баллов
    VS-85HF60Диод: DIODE GEN PURP 600V 85A DO203AB
    2 314Кешбэк 347 баллов
    1N6098DIODE SCHOTTKY 40V 50A DO5
    4 474Кешбэк 671 балл
    VS-1N1190ADIODE GEN PURP 600V 40A DO203AB
    2 197Кешбэк 329 баллов
    STTH506DTIDIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC
    163Кешбэк 24 балла
    PMEG2015EA,115Диод: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A SOD323
    89Кешбэк 13 баллов
    JANTXV1N6642USDIODE GEN PURP 100V 300MA D5B
    1 662Кешбэк 249 баллов
    PD3S230H-7Диод: DIODE SCHOTTKY 30V 2A POWERDI323
    75Кешбэк 11 баллов
    MBRD360RLGDIODE SCHOTTKY 60V 3A DPAK
    127Кешбэк 19 баллов
    IDW40E65D2FKSA1Диод: DIODE GEN PURP 650V 80A TO247-3
    514Кешбэк 77 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Принадлежности
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП