Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
JANTX1N6643
  • В избранное
  • В сравнение
JANTX1N6643

JANTX1N6643

JANTX1N6643
;
JANTX1N6643

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip / Microsemi
  • Артикул:
    JANTX1N6643
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 125V 300MA AXIALВсе характеристики

Минимальная цена JANTX1N6643 при покупке от 1 шт 1019.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить JANTX1N6643 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание JANTX1N6643

JANTX1N6643 Microchip Technology DIODE GEN PURP 125V 300MA AXIAL

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 125В
    • Разрядный ток: 300мА
    • Форм-фактор: Axial
  • Плюсы:
    • Высокое номинальное напряжение (125В), позволяющее использовать его в различных приложениях с высоким напряжением
    • Устойчивость к разрядному току до 300мА
    • Axial форма позволяет удобное использование в печатных платах
  • Минусы:
    • Разрядный ток ограничен 300мА, что может быть недостаточно для некоторых приложений с высокими нагрузками
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного напряжения
    • Компонент в схемах управления мощностью
    • Изоляция цепей в электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электронные блоки питания
    • Системы управления мощностью
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики JANTX1N6643

  • Package
    Bulk
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    125 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    300mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.2 V @ 100 mA
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    6 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 nA @ 20 V
  • Емкость @ Vr, F
    5pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    Axial
  • Исполнение корпуса
    05 Plastic Package
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    1N6643

Техническая документация

 JANTX1N6643.pdf
pdf. 0 kb
  • 11 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 019 ₽
  • 100
    947 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip / Microsemi
  • Артикул:
    JANTX1N6643
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 125V 300MA AXIALВсе характеристики

Минимальная цена JANTX1N6643 при покупке от 1 шт 1019.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить JANTX1N6643 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание JANTX1N6643

JANTX1N6643 Microchip Technology DIODE GEN PURP 125V 300MA AXIAL

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 125В
    • Разрядный ток: 300мА
    • Форм-фактор: Axial
  • Плюсы:
    • Высокое номинальное напряжение (125В), позволяющее использовать его в различных приложениях с высоким напряжением
    • Устойчивость к разрядному току до 300мА
    • Axial форма позволяет удобное использование в печатных платах
  • Минусы:
    • Разрядный ток ограничен 300мА, что может быть недостаточно для некоторых приложений с высокими нагрузками
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного напряжения
    • Компонент в схемах управления мощностью
    • Изоляция цепей в электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электронные блоки питания
    • Системы управления мощностью
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики JANTX1N6643

  • Package
    Bulk
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    125 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    300mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.2 V @ 100 mA
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    6 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 nA @ 20 V
  • Емкость @ Vr, F
    5pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    Axial
  • Исполнение корпуса
    05 Plastic Package
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    1N6643

Техническая документация

 JANTX1N6643.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MUR1520GДиод: DIODE GEN PURP 200V 15A TO220-2
    174Кешбэк 26 баллов
    MURS230T3GDIODE GEN PURP 300V 2A SMB
    174Кешбэк 26 баллов
    MBRD350T4GDIODE SCHOTTKY 50V 3A DPAK
    176Кешбэк 26 баллов
    RD0506T-TL-H
    178Кешбэк 26 баллов
    SBRS8340T3GDIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC
    178Кешбэк 26 баллов
    MBR2045MFST1GDIODE SCHOTTKY 45V 20A 5DFN
    178Кешбэк 26 баллов
    MURS480ET3GДиод: DIODE GEN PURP 800V 4A SMC
    180Кешбэк 27 баллов
    SB530Диод: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 5A, 3
    180Кешбэк 27 баллов
    MBRA2H100T3GDIODE SCHOTTKY 100V 2A SMA
    182Кешбэк 27 баллов
    MBR30H100MFST1GDIODE SCHOTTKY 100V 30A 5DFN
    182Кешбэк 27 баллов
    FFP08S60SNTU
    185Кешбэк 27 баллов
    NRVBAF260T3GДиод: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMA-FL
    187Кешбэк 28 баллов
    MBRD1045T4GДиод: DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK
    189Кешбэк 28 баллов
    MUR2020RGDIODE GEN PURP 200V 20A TO220AC
    191Кешбэк 28 баллов
    MUR840GDIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC
    193Кешбэк 28 баллов
    MUR1540GДиод: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 15A,
    197Кешбэк 29 баллов
    MBRM2H100T3GDIODE SCHOTTKY 100V 2A POWERMITE
    198Кешбэк 29 баллов
    SBRD81045T4GDIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK
    200Кешбэк 30 баллов
    MURHD560W1T4GDIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
    204Кешбэк 30 баллов
    NRVHPD660T4GDIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
    207Кешбэк 31 балл
    SBRD8835LT4GDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
    217Кешбэк 32 балла
    FSV1060VDIODE SCHOTTKY 60V 10A TO277-3
    227Кешбэк 34 балла
    NRVB10100MFST1GДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 10A 5DFN
    241Кешбэк 36 баллов
    NHPV08S600GDIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
    241Кешбэк 36 баллов
    NRVTS1045EMFST1GДиод: DIODE SCHOTTKY 45V 10A 5DFN
    242Кешбэк 36 баллов
    MUR815GDIODE GEN PURP 150V 8A TO220AC
    246Кешбэк 36 баллов
    FSV20100VDIODE SCHOTTKY 100V 20A TO277-3
    256Кешбэк 38 баллов
    NRVBAF440T3GДиод: DIODE SCHOTTKY 4A 40V SMA-FL
    261Кешбэк 39 баллов
    NTST40H120CTG
    265Кешбэк 39 баллов
    MSRF860GDIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP
    269Кешбэк 40 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы
    Транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП