Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
JANTXV1N4150UR-1
  • В избранное
  • В сравнение
JANTXV1N4150UR-1

JANTXV1N4150UR-1

JANTXV1N4150UR-1
;
JANTXV1N4150UR-1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip / Microsemi
  • Артикул:
    JANTXV1N4150UR-1
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AAВсе характеристики

Минимальная цена JANTXV1N4150UR-1 при покупке от 1 шт 719.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить JANTXV1N4150UR-1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание JANTXV1N4150UR-1

JANTXV1N4150UR-1 Microchip / Microsemi DIODE GEN PURP 50В 200mA DO213AA — это диод общего назначения с характеристиками:

  • Номинальное напряжение: 50В
  • Номинальный ток: 200мА
  • Форм-фактор: DO213AA

Плюсы:

  • Высокая надежность
  • Малый размер и легкость интеграции
  • Устойчивость к перепадам напряжения

Минусы:

  • Средний класс по скорости срабатывания
  • Не предназначен для высокоточных приложений

Общее назначение: Диод используется для защиты электронных схем от обратного напряжения, ограничения тока и других защитных функций.

Применяется в:

  • Телевизорах и других видеоприемниках
  • Автомобильной электронике
  • Инверторах и других источниках питания
  • Электроприборах
Выбрано: Показать

Характеристики JANTXV1N4150UR-1

  • Package
    Bulk
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    50 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    200mA (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 200 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    4 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 50 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-213AA
  • Исполнение корпуса
    DO-213AA
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    1N4150
  • 374 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    719 ₽
  • 100
    667 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip / Microsemi
  • Артикул:
    JANTXV1N4150UR-1
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AAВсе характеристики

Минимальная цена JANTXV1N4150UR-1 при покупке от 1 шт 719.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить JANTXV1N4150UR-1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание JANTXV1N4150UR-1

JANTXV1N4150UR-1 Microchip / Microsemi DIODE GEN PURP 50В 200mA DO213AA — это диод общего назначения с характеристиками:

  • Номинальное напряжение: 50В
  • Номинальный ток: 200мА
  • Форм-фактор: DO213AA

Плюсы:

  • Высокая надежность
  • Малый размер и легкость интеграции
  • Устойчивость к перепадам напряжения

Минусы:

  • Средний класс по скорости срабатывания
  • Не предназначен для высокоточных приложений

Общее назначение: Диод используется для защиты электронных схем от обратного напряжения, ограничения тока и других защитных функций.

Применяется в:

  • Телевизорах и других видеоприемниках
  • Автомобильной электронике
  • Инверторах и других источниках питания
  • Электроприборах
Выбрано: Показать

Характеристики JANTXV1N4150UR-1

  • Package
    Bulk
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    50 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    200mA (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 200 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    4 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 50 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-213AA
  • Исполнение корпуса
    DO-213AA
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    1N4150

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    US1G-E3/5ATDIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
    50Кешбэк 7 баллов
    SA2G-E3/61TDIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC
    63Кешбэк 9 баллов
    BYM11-400-E3/97Диод: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
    82Кешбэк 12 баллов
    SS1P4LHM3/85AДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A DO220AA
    85Кешбэк 12 баллов
    1N4005-E3/73Диод: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
    33.3Кешбэк 4 балла
    1N4007GP-E3/53DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
    174Кешбэк 26 баллов
    SS1FH6-M3/HDIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB
    83Кешбэк 12 баллов
    V8PAL50-M3/IDIODE SCHOTTKY 50V 4A DO221BC
    152Кешбэк 22 балла
    SS2FL4-M3/HДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO-219AB
    50Кешбэк 7 баллов
    ES2F-E3/52TДиод: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
    44.5Кешбэк 6 баллов
    SE30AFB-M3/6ADIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC
    80Кешбэк 12 баллов
    SS2PH5HM3/84AДиод: DIODE SCHOTTKY 50V 2A DO220AA
    63Кешбэк 9 баллов
    1N4003E-E3/54DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
    65Кешбэк 9 баллов
    S1K-E3/5ATDIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
    26Кешбэк 3 балла
    SE20PJHM3/84ADIODE GEN PURP 600V 1.6A DO220AA
    70Кешбэк 10 баллов
    V4PAN50-M3/IDIODE SCHOTTKY 50V 3A DO221BC
    120Кешбэк 18 баллов
    S1M-M3/61TDIODE GPP 1A 1000V DO-214AC
    41Кешбэк 6 баллов
    SS24S-M3/5ATДиод: DIODE SCHOTTKY 2A 40V DO-214AC
    83Кешбэк 12 баллов
    RGL34K-E3/98DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213
    59Кешбэк 8 баллов
    SL13-E3/61TДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A DO214AC
    44.5Кешбэк 6 баллов
    1N4004E-E3/53DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
    46Кешбэк 6 баллов
    SS2PH5-M3/84ADIODE SCHOTTKY 50V 2A DO220AA
    80Кешбэк 12 баллов
    S1KHE3_A/IDIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
    46Кешбэк 6 баллов
    GPP20M-E3/73DIODE GEN PURP 1KV 2A DO204AC
    46Кешбэк 6 баллов
    SS5P9-M3/87ADIODE SCHOTTKY 90V 5A TO277A
    43Кешбэк 6 баллов
    VSSB420S-M3/52TДиод: DIODE SCHOTTKY 200V 1.8A DO214AA
    26Кешбэк 3 балла
    BYG23M-M3/TR3Диод: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
    82Кешбэк 12 баллов
    GP10W-E3/54DIODE GEN PURP 1.5KV 1A DO204AL
    72Кешбэк 10 баллов
    1N4936-E3/53DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
    50Кешбэк 7 баллов
    UF5408-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
    100Кешбэк 15 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Принадлежности
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП