Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - мостовые выпрямители
KBU1006G
  • В избранное
  • В сравнение
KBU1006G

KBU1006G

KBU1006G
;
KBU1006G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    TAIWAN SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    KBU1006G
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A KBUВсе характеристики

Минимальная цена KBU1006G при покупке от 1 шт 463.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить KBU1006G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание KBU1006G

KBU1006G Taiwan Semiconductor Corporation BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A KBU — это инверторный блок питания, предназначенный для преобразования прямого тока (ДC) в переменный ток (АC). Основные параметры:

  • Номинальное напряжение входа: 800В
  • Номинальная мощность: 10А
  • Фаза: 1 фаза

Плюсы:

  • Высокая эффективность преобразования
  • Устойчивость к скачкам напряжения
  • Малый размер и вес
  • Высокая надежность и долговечность

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными блоками питания
  • Требует наличия дополнительного охлаждения при работе под нагрузкой

Общее назначение:

  • Преобразование ДC в АC для различных электронных устройств и систем
  • Поддержка работы электроники в условиях непрерывного питания

Применение:

  • Мобильные телефоны и другие портативные устройства
  • Электронные системы управления
  • Автомобили с электрическими двигателями
  • Инверторы для домашнего использования
Выбрано: Показать

Характеристики KBU1006G

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    10 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 10 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, KBU
  • Исполнение корпуса
    KBU
  • Base Product Number
    KBU1006

Техническая документация

 KBU1006G.pdf
pdf. 0 kb
  • 45 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    463 ₽
  • 10
    317 ₽
  • 100
    209 ₽
  • 250
    200 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    TAIWAN SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    KBU1006G
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A KBUВсе характеристики

Минимальная цена KBU1006G при покупке от 1 шт 463.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить KBU1006G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание KBU1006G

KBU1006G Taiwan Semiconductor Corporation BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A KBU — это инверторный блок питания, предназначенный для преобразования прямого тока (ДC) в переменный ток (АC). Основные параметры:

  • Номинальное напряжение входа: 800В
  • Номинальная мощность: 10А
  • Фаза: 1 фаза

Плюсы:

  • Высокая эффективность преобразования
  • Устойчивость к скачкам напряжения
  • Малый размер и вес
  • Высокая надежность и долговечность

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными блоками питания
  • Требует наличия дополнительного охлаждения при работе под нагрузкой

Общее назначение:

  • Преобразование ДC в АC для различных электронных устройств и систем
  • Поддержка работы электроники в условиях непрерывного питания

Применение:

  • Мобильные телефоны и другие портативные устройства
  • Электронные системы управления
  • Автомобили с электрическими двигателями
  • Инверторы для домашнего использования
Выбрано: Показать

Характеристики KBU1006G

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    10 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 10 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, KBU
  • Исполнение корпуса
    KBU
  • Base Product Number
    KBU1006

Техническая документация

 KBU1006G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GBI25K1PH BRIDGE 30X20X3.6 800V 25A
    168Кешбэк 25 баллов
    DBI20-16B3PH BRIDGE 35X25X4 1600V 20A
    1 503Кешбэк 225 баллов
    KBPC10/15/2502WP1PH BRIDGE KBPC 200V 25A
    708Кешбэк 106 баллов
    DB25-083PH BRIDGE DB 800V 25A
    863Кешбэк 129 баллов
    DB25-043PH BRIDGE DB 400V 25A
    973Кешбэк 145 баллов
    KBPC10/15/2516WP1PH BRIDGE KBPC 1600V 25A
    1 086Кешбэк 162 балла
    DB15-013PH BRIDGE DB 100V 25A
    1 797Кешбэк 269 баллов
    DB25-023PH BRIDGE DB 200V 25A
    1 530Кешбэк 229 баллов
    DB15-023PH BRIDGE DB 200V 25A
    671Кешбэк 100 баллов
    B250S15ABRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE,
    69Кешбэк 10 баллов
    DB35-043PH BRIDGE DB 400V 35A
    830Кешбэк 124 балла
    DB15-043PH BRIDGE DB 400V 25A
    717Кешбэк 107 баллов
    DBI25-18A3PH BRIDGE 35X25X4 1800V 25A
    1 690Кешбэк 253 балла
    DB35-023PH BRIDGE DB 200V 35A
    706Кешбэк 105 баллов
    DB15-10Диод: 3PH BRIDGE DB 1000V 25A
    973Кешбэк 145 баллов
    KBPC2506I1PH BRIDGE KBPC 600V 25A
    552Кешбэк 82 балла
    DB15-123PH BRIDGE DB 1200V 25A
    824Кешбэк 123 балла
    DB15-163PH BRIDGE DB 1600V 25A
    793Кешбэк 118 баллов
    GBI15B1PH BRIDGE 30X20X3.6 100V 15A
    164Кешбэк 24 балла
    DB15-063PH BRIDGE DB 600V 25A
    711Кешбэк 106 баллов
    DB25-14Соединитель: Диод: 3PH BRIDGE DB 1400V 25A
    2 053Кешбэк 307 баллов
    DB35-013PH BRIDGE DB 100V 35A
    1 067Кешбэк 160 баллов
    GBU8J-TДиод: 1PH BRIDGE GBU 600V 8A
    160Кешбэк 24 балла
    DB15-083PH BRIDGE DB 800V 25A
    1 023Кешбэк 153 балла
    KBPC10/15/2512WP1PH BRIDGE KBPC 1200V 25A
    1 037Кешбэк 155 баллов
    DB25-013PH BRIDGE DB 100V 25A
    800Кешбэк 120 баллов
    B40S15A1PH BRIDGE SO-DIL 80V 1.5A
    53Кешбэк 7 баллов
    DB35-083PH BRIDGE DB 800V 35A
    1 019Кешбэк 152 балла
    BAS4002ARPPE6327HTSA1BRIDGE RECT 1P 40V 200MA SOT143
    59Кешбэк 8 баллов
    BAS3007ARPPE6327HTSA1BRIDGE RECT 1P 30V 900A SOT143-4
    85Кешбэк 12 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные диоды
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Принадлежности
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП