Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
LSIC1MO170T0750
  • В избранное
  • В сравнение
LSIC1MO170T0750

LSIC1MO170T0750

LSIC1MO170T0750
;
LSIC1MO170T0750

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Littelfuse Inc.
  • Артикул:
    LSIC1MO170T0750
  • Описание:
    SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7LВсе характеристики

Минимальная цена LSIC1MO170T0750 при покупке от 1 шт 1812.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить LSIC1MO170T0750 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание LSIC1MO170T0750

Разрешенная маркировка:

  • LSIC1MO170T0750
  • Производитель: Littelfuse Inc.
  • Описание: SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L

Основные параметры:

  • Тип: SICFET (Silicon Carbide Field-Effect Transistor)
  • Напряжение на дренаже: 1700В
  • Предел тока: 6.4А
  • Компактный корпус: TO263-7L

Плюсы:

  • Высокая эффективность: Минимизация потерь энергии при работе
  • Малые размеры: Удобство в размещении на печатной плате
  • Высокая надежность: Долгий срок службы благодаря высокой температуре работы
  • Устойчивость к перегрузкам: Хорошая защита от короткого замыкания

Минусы:

  • Высокая стоимость: Сравнительно дорогой компонент по сравнению с традиционными IGBT или MOSFET
  • Требование к охлаждению: Необходимо учитывать потребность в охлаждении из-за высоких рабочих температур
  • Сложность в управлении: Требует более сложного управления для оптимальной работы

Общее назначение:

  • Использование в силовых трансформаторах и инверторах
  • Применение в системах управления двигателей
  • Интеграция в источники питания
  • Применение в системах привода

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы питания и управления
  • Промышленные преобразователи напряжения
  • Системы управления электродвигателями
  • Солнечные панели и системы хранения энергии
Выбрано: Показать

Характеристики LSIC1MO170T0750

  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1700 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5A (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263-7
  • Корпус
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Техническая документация

 LSIC1MO170T0750.pdf
pdf. 0 kb
  • 853 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 812 ₽
  • 50
    1 014 ₽
  • 100
    951 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Littelfuse Inc.
  • Артикул:
    LSIC1MO170T0750
  • Описание:
    SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7LВсе характеристики

Минимальная цена LSIC1MO170T0750 при покупке от 1 шт 1812.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить LSIC1MO170T0750 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание LSIC1MO170T0750

Разрешенная маркировка:

  • LSIC1MO170T0750
  • Производитель: Littelfuse Inc.
  • Описание: SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L

Основные параметры:

  • Тип: SICFET (Silicon Carbide Field-Effect Transistor)
  • Напряжение на дренаже: 1700В
  • Предел тока: 6.4А
  • Компактный корпус: TO263-7L

Плюсы:

  • Высокая эффективность: Минимизация потерь энергии при работе
  • Малые размеры: Удобство в размещении на печатной плате
  • Высокая надежность: Долгий срок службы благодаря высокой температуре работы
  • Устойчивость к перегрузкам: Хорошая защита от короткого замыкания

Минусы:

  • Высокая стоимость: Сравнительно дорогой компонент по сравнению с традиционными IGBT или MOSFET
  • Требование к охлаждению: Необходимо учитывать потребность в охлаждении из-за высоких рабочих температур
  • Сложность в управлении: Требует более сложного управления для оптимальной работы

Общее назначение:

  • Использование в силовых трансформаторах и инверторах
  • Применение в системах управления двигателей
  • Интеграция в источники питания
  • Применение в системах привода

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы питания и управления
  • Промышленные преобразователи напряжения
  • Системы управления электродвигателями
  • Солнечные панели и системы хранения энергии
Выбрано: Показать

Характеристики LSIC1MO170T0750

  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1700 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5A (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263-7
  • Корпус
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Техническая документация

 LSIC1MO170T0750.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NVTFS6H888NWFTAGMOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
    185Кешбэк 27 баллов
    FCPF190N65FL1-F154MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F-3
    1 004Кешбэк 150 баллов
    NTHL019N65S3HMOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
    3 196Кешбэк 479 баллов
    NTBGS004N10GPOWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS
    1 299Кешбэк 194 балла
    FDP8D5N10CMOSFET N-CH 100V 76A TO220-3
    349Кешбэк 52 балла
    FCH060N80-F155MOSFET N-CH 800V 56A TO247
    3 420Кешбэк 513 баллов
    NTBG045N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
    2 281Кешбэк 342 балла
    NVTFS6H880NLWFTAGMOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
    169Кешбэк 25 баллов
    NTBLS0D7N06CMOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
    1 764Кешбэк 264 балла
    NTC040N120SC1SIC MOS WAFER SALES 40MOHM 1200V
    2 237Кешбэк 335 баллов
    NTBGS6D5N15MCMOSFET N-CH 150V 15A/121A D2PAK
    692Кешбэк 103 балла
    NVMFS5C450NLAFT1GMOSFET N-CH 40V 110A 5DFN
    285Кешбэк 42 балла
    NTP185N60S5HMOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
    780Кешбэк 117 баллов
    NVMFS5C410NWFAFT1GMOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
    910Кешбэк 136 баллов
    FDB9409-F085MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
    157Кешбэк 23 балла
    FDB9403L-F085MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
    170Кешбэк 25 баллов
    FDB2552-F085MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB
    450Кешбэк 67 баллов
    NTB095N65S3HFMOSFET N-CH 650V 36A D2PAK-3
    1 217Кешбэк 182 балла
    FCB099N65S3MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
    1 217Кешбэк 182 балла
    NTP011N15MCMOSFET N-CH 150V 9.8/74.3A TO220
    359Кешбэк 53 балла
    UF3SC065007K4SMOSFET N-CH 650V 120A TO247-4
    13 554Кешбэк 2 033 балла
    NVBG045N065SC1SIC MOS D2PAK-7L 650V
    3 346Кешбэк 501 балл
    FCP360N65S3R0MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3
    639Кешбэк 95 баллов
    FCP165N65S3R0MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
    932Кешбэк 139 баллов
    FCB260N65S3MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
    765Кешбэк 114 баллов
    FCP260N65S3MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
    350Кешбэк 52 балла
    NTB110N65S3HFMOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
    1 002Кешбэк 150 баллов
    NTB150N65S3HFMOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
    984Кешбэк 147 баллов
    FDB0690N1507LMOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7
    1 189Кешбэк 178 баллов
    SVD14N03RT4GMOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
    176Кешбэк 26 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Принадлежности
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Диоды силовые
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП