Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
MBR2H100SFT3G

MBR2H100SFT3G

MBR2H100SFT3G
;
MBR2H100SFT3G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена MBR2H100SFT3G при покупке от 1 шт 62.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MBR2H100SFT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MBR2H100SFT3G

MBR2H100SFT3G ONSEMI DIODE SCHOTTKY 100V 2A SOD123FL

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR) - 100В
    • Номинальная токовая способность (ID) - 2А
    • Тип диода - Шоттки
    • Объемный диэлектрик - SOD123FL
  • Плюсы:
    • Высокая скорость перехода
    • Малый вольтаж включения (~0,4В)
    • Малый размер и толщина корпуса
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Низкая номинальная токовая способность по сравнению с другими типами диодов
    • Относительно высокое напряжение включения по сравнению с идеальным диодом
  • Общее назначение:
    • Изоляция логических цепей
    • Замена полупроводниковых транзисторов в простых схемах
    • Защита от обратного тока
  • Применение:
    • Электронные устройства
    • Компьютеры и ноутбуки
    • Автомобильные системы
    • Системы управления электропитанием
    • Игровые приставки и периферийное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MBR2H100SFT3G

Техническая документация

MBR2H100SFT3G.pdf
pdf. 0 kb
  • 8019 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    62 ₽
  • 100
    32.6 ₽
  • 500
    26 ₽
  • 2000
    21.3 ₽
  • 5000
    20 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена MBR2H100SFT3G при покупке от 1 шт 62.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MBR2H100SFT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MBR2H100SFT3G

MBR2H100SFT3G ONSEMI DIODE SCHOTTKY 100V 2A SOD123FL

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR) - 100В
    • Номинальная токовая способность (ID) - 2А
    • Тип диода - Шоттки
    • Объемный диэлектрик - SOD123FL
  • Плюсы:
    • Высокая скорость перехода
    • Малый вольтаж включения (~0,4В)
    • Малый размер и толщина корпуса
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Низкая номинальная токовая способность по сравнению с другими типами диодов
    • Относительно высокое напряжение включения по сравнению с идеальным диодом
  • Общее назначение:
    • Изоляция логических цепей
    • Замена полупроводниковых транзисторов в простых схемах
    • Защита от обратного тока
  • Применение:
    • Электронные устройства
    • Компьютеры и ноутбуки
    • Автомобильные системы
    • Системы управления электропитанием
    • Игровые приставки и периферийное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MBR2H100SFT3G

Техническая документация

MBR2H100SFT3G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории