MCMNP2065-TP

Основные параметры:

• Тип транзистора: DUAL N+P-CHANNEL MOSFET (двойной N и P-канальный MOSFET). Это означает, что в одном корпусе объединены два полевых транзистора, один N-канальный и один P-канальный.
• Корпус: DFN2020. DFN (Dual Flat No-Lead) - это безвыводной корпус, который обеспечивает компактность и хорошие тепловые характеристики. Размеры 2.0x2.0 мм.
• Производитель: Micro Commercial Co (MCC).
• Напряжение сток-исток (Vds): Для N-канала и P-канала будут указаны свои максимальные значения. Обычно для таких корпусов это относительно низкие напряжения, например, от -20В до +20В.
• Ток стока (Id): Максимальный ток, который может проходить через транзистор. Для DFN2020 это обычно токи от сотен миллиампер до нескольких ампер.
• Сопротивление открытого канала (Rds(on)): Важный параметр, определяющий потери мощности при полностью открытом транзисторе. Чем ниже, тем лучше. Для N-канала обычно ниже, чем для P-канала. Измеряется в миллиомах.
• Напряжение затвор-исток (Vgs): Максимальное допустимое напряжение между затвором и истоком.
• Пороговое напряжение затвор-исток (Vgs(th)): Напряжение, при котором транзистор начинает открываться.
• Рассеиваемая мощность (Pd): Максимальная мощность, которую может рассеять транзистор без перегрева. Зависит от корпуса и условий охлаждения.

Плюсы:

• Компактность: Корпус DFN2020 очень мал, что экономит место на печатной плате.
• Интеграция: Объединение N-канального и P-канального транзисторов в одном корпусе упрощает схемотехнику и уменьшает количество компонентов.
• Высокая скорость переключения: MOSFETы обычно обеспечивают высокую скорость переключения, что важно для импульсных схем.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Позволяет минимизировать потери мощности и нагрев.
• Удобство для управления двунаправленными нагрузками или создания инвертирующих драйверов.

Минусы:

• Ограниченная мощность: Из-за малого размера корпуса рассеиваемая мощность ограничена.
• Чувствительность к электростатическому разряду (ESD): Как и большинство MOSFETов, они могут быть чувствительны к статическому электричеству.
• Сложность монтажа: Корпус DFN требует точной пайки и может быть сложен для ручного монтажа без специального оборудования.
• Цена: Двойные транзисторы могут быть дороже, чем два отдельных, но это компенсируется экономией места и упрощением разводки.

Общее назначение:

Двойные N+P-канальные MOSFETы часто используются в схемах, где требуется управление питанием с использованием комплементарных пар, например, в H-мостах, преобразователях DC/DC, драйверах двигателей, схемах управления питанием и защиты батарей.

В каких устройствах применяется:

• Мобильные телефоны и планшеты: Управление питанием, защита батарей.
• Ноутбуки и портативная электроника: Схемы управления питанием, преобразователи.
• Устройства интернета вещей (IoT): Компактные и энергоэффективные решения для управления питанием.
• Драйверы двигателей постоянного тока: В компактных H-мостах для управления направлением и скоростью вращения.
• Светодиодные драйверы: Для управления яркостью и включением/выключением светодиодов.
• Портативные аудиоустройства: Управление питанием и усилителями.
• Защита от обратной полярности: В качестве переключателей для защиты чувствительных схем.