Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Триодные тиристоры - Одиночные
MCR8DSNT4G
  • В избранное
  • В сравнение
MCR8DSNT4G

MCR8DSNT4G

MCR8DSNT4G
;
MCR8DSNT4G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    LITTELFUSE
  • Артикул:
    MCR8DSNT4G
  • Описание:
    SCR 800V 8A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена MCR8DSNT4G при покупке от 1 шт 204.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MCR8DSNT4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MCR8DSNT4G

MCR8DSNT4G Littelfuse SCR 800V 8A DPAK — это полупроводниковый транзистор, используемый в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение: 800В
    • Максимальный ток: 8А
    • Форм-фактор: DPAK (Dual Pin Axial Package)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактность благодаря DPAK пакетированию
  • Минусы:
    • Нельзя использовать для частотных операций
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких токах
  • Общее назначение:
    • Контроль и управление электрическими цепями
    • Переключение высоковольтных нагрузок
    • Использование в инверторах и преобразователях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Промышленных преобразователях
    • Электрооборудовании
    • Системах управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики MCR8DSNT4G

  • Обратное напряжение
    800 V
  • Отпирающее напряжение на управляющем электроде(Vgt) (Макс)
    1 V
  • Отпирающий ток управления (Igt)
    200 µA
  • Напряжение в открытом состоянии (Vtm) (Макс)
    1.8 V
  • Средняя величина прямого тока (It (AV))
    5.1 A
  • Среднеквадратичное значение прямого тока (It (RMS))
    8 A
  • Максимальный ток удержания (Ih)
    6 mA
  • Ток тиристора в закрытом состоянии (Макс)
    10 µA
  • Максимальный ток перегрузки 50, 60Hz (Itsm)
    90A @ 60Hz
  • Тип Тиристора
    Sensitive Gate
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 110°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    TO-252, (D-Pak)
  • Base Product Number
    MCR8

Техническая документация

 MCR8DSNT4G.pdf
pdf. 0 kb
  • 2500 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    204 ₽
  • 5
    153 ₽
  • 25
    138 ₽
  • 100
    122 ₽
  • 500
    102 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    LITTELFUSE
  • Артикул:
    MCR8DSNT4G
  • Описание:
    SCR 800V 8A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена MCR8DSNT4G при покупке от 1 шт 204.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MCR8DSNT4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MCR8DSNT4G

MCR8DSNT4G Littelfuse SCR 800V 8A DPAK — это полупроводниковый транзистор, используемый в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение: 800В
    • Максимальный ток: 8А
    • Форм-фактор: DPAK (Dual Pin Axial Package)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактность благодаря DPAK пакетированию
  • Минусы:
    • Нельзя использовать для частотных операций
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких токах
  • Общее назначение:
    • Контроль и управление электрическими цепями
    • Переключение высоковольтных нагрузок
    • Использование в инверторах и преобразователях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Промышленных преобразователях
    • Электрооборудовании
    • Системах управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики MCR8DSNT4G

  • Обратное напряжение
    800 V
  • Отпирающее напряжение на управляющем электроде(Vgt) (Макс)
    1 V
  • Отпирающий ток управления (Igt)
    200 µA
  • Напряжение в открытом состоянии (Vtm) (Макс)
    1.8 V
  • Средняя величина прямого тока (It (AV))
    5.1 A
  • Среднеквадратичное значение прямого тока (It (RMS))
    8 A
  • Максимальный ток удержания (Ih)
    6 mA
  • Ток тиристора в закрытом состоянии (Макс)
    10 µA
  • Максимальный ток перегрузки 50, 60Hz (Itsm)
    90A @ 60Hz
  • Тип Тиристора
    Sensitive Gate
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 110°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    TO-252, (D-Pak)
  • Base Product Number
    MCR8

Техническая документация

 MCR8DSNT4G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SK055MTPSCR 1KV 55A TO218
    1 156Кешбэк 173 балла
    TN1215-600G-TRSCR 600V 12A D2PAK
    149Кешбэк 22 балла
    S6070WTPSCR 600V 70A TO218X
    1 288Кешбэк 193 балла
    VS-40TPS12A-M3Тиристор: SCR 1.2KV 55A TO247AC
    1 541Кешбэк 231 балл
    VS-25TTS08S-M3SCR 800V 25A TO263AB
    484Кешбэк 72 балла
    TN1215-600GSCR 600V 12A D2PAK
    321Кешбэк 48 баллов
    S4040RSCR 400V 40A TO220
    932Кешбэк 139 баллов
    BT151-500C,127SCR 500V 12A TO220AB
    132Кешбэк 19 баллов
    S8025NRPSCR 800V 25A TO263
    819Кешбэк 122 балла
    TYN608RGSCR 600V 8A TO220AB
    227Кешбэк 34 балла
    TYN612MFPSCR 600V 12A TO220FPAB
    259Кешбэк 38 баллов
    CS30-14IO1SCR 1.4KV 49A TO247AD
    1 321Кешбэк 198 баллов
    TN2015H-6FPSCR 600V 20A TO220FPAB
    346Кешбэк 51 балл
    2N6403TGSCR 400V 16A TO220AB
    476Кешбэк 71 балл
    S8065JTPSCR 800V 65A TO218X
    2 073Кешбэк 310 баллов
    TYN612RGSCR 600V 12A TO220AB
    127Кешбэк 19 баллов
    TYN606RGSCR 600V 6A TO220AB
    263Кешбэк 39 баллов
    CLA30E1200HBSCR 1.2KV 47A TO247AD
    910Кешбэк 136 баллов
    S4035JTPSCR 400V 35A TO218X
    1 050Кешбэк 157 баллов
    S4035KTPSCR 400V 35A TO218
    1 026Кешбэк 153 балла
    TN22-1500HSCR 400V 2A IPAK
    428Кешбэк 64 балла
    S6055MTPSCR 600V 55A TO218-3
    1 325Кешбэк 198 баллов
    S6040RTPSCR 600V 40A TO220AB-R
    941Кешбэк 141 балл
    CLA80E1200HFТиристор: SCR 1.2KV 126A PLUS247-3
    1 519Кешбэк 227 баллов
    S8010LSCR 800V 10A TO220
    306Кешбэк 45 баллов
    S8012VTPSCR 800V 12A TO251
    495Кешбэк 74 балла
    S4004VS1TPSCR 400V 4A TO251
    400Кешбэк 60 баллов
    TYN1012RGSCR 1KV 12A TO220AB
    302Кешбэк 45 баллов
    CS19-12HO1SCR 1.2KV 29A TO220AB
    678Кешбэк 101 балл
    VS-50TPS12L-M3SCR 1.2KV 79A TO247L
    923Кешбэк 138 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды силовые
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП