Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Модули
MEO550-02DA
  • В избранное
  • В сравнение
MEO550-02DA

MEO550-02DA

MEO550-02DA
;
MEO550-02DA

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    MEO550-02DA
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 200V 582A Y4-M6Все характеристики

Минимальная цена MEO550-02DA при покупке от 1 шт 14412.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MEO550-02DA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MEO550-02DA

MEO550-02DA IXYS DIODE — это диод, предназначенный для широкого спектра приложений. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение (VBR): 200 В
  • Номинальный ток прямого тока (IDA): 582 А
  • Тип корпуса: Y4-M6

Плюсы:

  • Высокая мощность и ток пропускания
  • Современная технология производства от компании IXYS
  • Устойчивость к высоким напряжениям

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с менее качественными аналогами
  • Требует точной установки и охлаждения для предотвращения перегрева

Общее назначение: Используется для защиты электронных схем и устройств от обратного напряжения. Может применяться в:

  • Электропитании и преобразовании энергии
  • Инверторах и генераторах
  • Автомобильных системах питания
  • Промышленных системах управления
Выбрано: Показать

Характеристики MEO550-02DA

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    582A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.25 V @ 520 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    200 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 mA @ 200 V
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Y4-M6
  • Исполнение корпуса
    Y4-M6
  • Рабочая температура pn-прехода
    -40°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    MEO550

Техническая документация

 MEO550-02DA.pdf
pdf. 0 kb
  • 4 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    14 412 ₽
  • 12
    11 325 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    MEO550-02DA
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 200V 582A Y4-M6Все характеристики

Минимальная цена MEO550-02DA при покупке от 1 шт 14412.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MEO550-02DA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MEO550-02DA

MEO550-02DA IXYS DIODE — это диод, предназначенный для широкого спектра приложений. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение (VBR): 200 В
  • Номинальный ток прямого тока (IDA): 582 А
  • Тип корпуса: Y4-M6

Плюсы:

  • Высокая мощность и ток пропускания
  • Современная технология производства от компании IXYS
  • Устойчивость к высоким напряжениям

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с менее качественными аналогами
  • Требует точной установки и охлаждения для предотвращения перегрева

Общее назначение: Используется для защиты электронных схем и устройств от обратного напряжения. Может применяться в:

  • Электропитании и преобразовании энергии
  • Инверторах и генераторах
  • Автомобильных системах питания
  • Промышленных системах управления
Выбрано: Показать

Характеристики MEO550-02DA

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    582A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.25 V @ 520 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    200 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 mA @ 200 V
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Y4-M6
  • Исполнение корпуса
    Y4-M6
  • Рабочая температура pn-прехода
    -40°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    MEO550

Техническая документация

 MEO550-02DA.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MBR12020CTRDIODE MODULE 20V 120A 2TOWER
    8 835Кешбэк 1 325 баллов
    MBR12030CTDIODE MODULE 30V 120A 2TOWER
    8 835Кешбэк 1 325 баллов
    MBR12030CTRDIODE MODULE 30V 120A 2TOWER
    8 835Кешбэк 1 325 баллов
    MBR12035CTDIODE MODULE 35V 120A 2TOWER
    8 835Кешбэк 1 325 баллов
    MBR120100CTDIODE MODULE 100V 120A 2TOWER
    8 835Кешбэк 1 325 баллов
    MBR120100CTRDIODE MODULE 100V 120A 2TOWER
    8 835Кешбэк 1 325 баллов
    MBR30035CTDIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
    11 227Кешбэк 1 684 балла
    MBR30020CTDIODE MODULE 20V 150A 2TOWER
    12 128Кешбэк 1 819 баллов
    MBR30020CTRDIODE MODULE 20V 150A 2TOWER
    12 128Кешбэк 1 819 баллов
    MBR30030CTDIODE MODULE 30V 150A 2TOWER
    12 128Кешбэк 1 819 баллов
    MBR30030CTRDIODE MODULE 30V 150A 2TOWER
    12 128Кешбэк 1 819 баллов
    MBRT40080RDIODE MODULE 80V 200A 3TOWER
    13 080Кешбэк 1 962 балла
    MBRT30040DIODE MODULE 40V 150A 3TOWER
    11 227Кешбэк 1 684 балла
    MBR40045CTDIODE MODULE 45V 200A 2TOWER
    14 847Кешбэк 2 227 баллов
    MBR40045CTRDIODE MODULE 45V 200A 2TOWER
    14 847Кешбэк 2 227 баллов
    MBR40060CTDIODE MODULE 60V 200A 2TOWER
    14 847Кешбэк 2 227 баллов
    MBR40060CTRDIODE MODULE 60V 200A 2TOWER
    14 847Кешбэк 2 227 баллов
    MBR40080CTDIODE MODULE 80V 200A 2TOWER
    14 847Кешбэк 2 227 баллов
    MBR40080CTRDIODE MODULE 80V 200A 2TOWER
    14 847Кешбэк 2 227 баллов
    MBRT30060DIODE MODULE 60V 150A 3TOWER
    11 227Кешбэк 1 684 балла
    MBRT30060RDIODE MODULE 60V 150A 3TOWER
    11 227Кешбэк 1 684 балла
    MBRT40040DIODE MODULE 40V 200A 3TOWER
    14 191Кешбэк 2 128 баллов
    MBRT40040RDIODE MODULE 40V 200A 3TOWER
    14 191Кешбэк 2 128 баллов
    MBR60020CTDIODE MODULE 20V 300A 2TOWER
    19 583Кешбэк 2 937 баллов
    MBR60020CTRDIODE MODULE 20V 300A 2TOWER
    19 583Кешбэк 2 937 баллов
    MBRT600100RDIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
    15 303Кешбэк 2 295 баллов
    APT2X101D20JDIODE MODULE 200V 100A ISOTOP
    5 371Кешбэк 805 баллов
    MDA72-16N1BDIODE MODULE 1.6KV 113A TO240AA
    8 037Кешбэк 1 205 баллов
    MEK300-06DADIODE MODULE 600V 304A Y4-M6
    14 090Кешбэк 2 113 баллов
    UGE1112AY4Диод: DIODE GEN PURP 8KV 4.2A UGE
    13 667Кешбэк 2 050 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Драйверы питания - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Принадлежности
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП