Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы
MJ11032G
  • В избранное
  • В сравнение
MJ11032G

MJ11032G

MJ11032G
;
MJ11032G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MJ11032G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS NPN DARL 120V 50A TO204Все характеристики

Минимальная цена MJ11032G при покупке от 1 шт 2414.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJ11032G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJ11032G

MJ11032G ON SEMICONDUCTOR Транзистор: TRANS NPN DARL 120V 50A TO204

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN-транзистор
    • Мощность: 120В
    • Номинальный ток: 50А
    • Комплектация: TO204
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Высокий ток
    • Доступность
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения
    • Могут быть проблемы с шумом при работе
  • Общее назначение:
    • Используется для управления электрическими цепями высокой мощности
    • Подходит для различных приложений, таких как преобразователи напряжения, регуляторы питания и драйверы
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Преобразователи напряжения
    • Регуляторы питания
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MJ11032G

  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    120 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    3.5V @ 500mA, 50A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    2mA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 25A, 5V
  • Рассеивание мощности
    300 W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-204AE
  • Исполнение корпуса
    TO-204 (TO-3)
  • Base Product Number
    MJ11032

Техническая документация

 MJ11032G.pdf
pdf. 0 kb
  • 62 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 414 ₽
  • 5
    2 280 ₽
  • 10
    2 200 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MJ11032G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS NPN DARL 120V 50A TO204Все характеристики

Минимальная цена MJ11032G при покупке от 1 шт 2414.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJ11032G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJ11032G

MJ11032G ON SEMICONDUCTOR Транзистор: TRANS NPN DARL 120V 50A TO204

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN-транзистор
    • Мощность: 120В
    • Номинальный ток: 50А
    • Комплектация: TO204
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Высокий ток
    • Доступность
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения
    • Могут быть проблемы с шумом при работе
  • Общее назначение:
    • Используется для управления электрическими цепями высокой мощности
    • Подходит для различных приложений, таких как преобразователи напряжения, регуляторы питания и драйверы
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Преобразователи напряжения
    • Регуляторы питания
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MJ11032G

  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    120 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    3.5V @ 500mA, 50A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    2mA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 25A, 5V
  • Рассеивание мощности
    300 W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-204AE
  • Исполнение корпуса
    TO-204 (TO-3)
  • Base Product Number
    MJ11032

Техническая документация

 MJ11032G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FZT957TATRANS PNP 300V 1A SOT223-3
    277Кешбэк 41 балл
    FZT689BTAТранзистор: TRANS NPN 20V 3A SOT223-3
    205Кешбэк 30 баллов
    FZT851QTATRANS NPN 60V 6A SOT223-3
    360Кешбэк 54 балла
    2DA1774S-7TRANS PNP 50V 0.15A SOT-523
    75Кешбэк 11 баллов
    MMBTA63-7TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
    39Кешбэк 5 баллов
    BCX5416TATRANS NPN 45V 1A SOT89-3
    76Кешбэк 11 баллов
    FMMT617TATRANS NPN 15V 3A SOT23-3
    113Кешбэк 16 баллов
    BCX5310TATRANS PNP 80V 1A SOT89-3
    66Кешбэк 9 баллов
    ZXTP2012ZTATRANS PNP 60V 4.3A SOT89-3
    196Кешбэк 29 баллов
    BCX5410TATRANS NPN 45V 1A SOT89-3
    84Кешбэк 12 баллов
    PBSS4230QAZTRANS NPN 30V 2A DFN1010D-3
    41Кешбэк 6 баллов
    PBSS4260QAZTRANS NPN 60V 2A DFN1010D-3
    41Кешбэк 6 баллов
    PBSS4130QAZTRANS NPN 30V 1A DFN1010D-3
    39Кешбэк 5 баллов
    BC54-10PASXNOW NEXPERIA BC54-10PASX - SMALL
    37Кешбэк 5 баллов
    PBSS4612PA,115TRANS NPN 12V 6A 3HUSON
    3.7Кешбэк 1 балл
    BC856BMYLTRANS PNP 60V 0.1A SOT883
    9.3Кешбэк 1 балл
    BCP56-10,115Транзистор: TRANS NPN 80V 1A SOT223
    27.3Кешбэк 4 балла
    KST4403MTFTRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3
    9.3Кешбэк 1 балл
    SS9014DBUTRANS NPN 45V 0.1A TO92-3
    7.5Кешбэк 1 балл
    KSB564ACYTATRANS PNP 25V 1A TO92-3
    7.5Кешбэк 1 балл
    SS9013GBUTRANS NPN 20V 0.5A TO92-3
    7.5Кешбэк 1 балл
    MMBTA63TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT23-3
    9.3Кешбэк 1 балл
    KSA733GTATRANS PNP 50V 0.15A TO92-3
    7.5Кешбэк 1 балл
    KSC1623YMTFTRANS NPN 50V 0.1A SOT23-3
    7.5Кешбэк 1 балл
    SS9013HBUTRANS NPN 20V 0.5A TO92-3
    7.5Кешбэк 1 балл
    KSA733CGBUTRANS PNP 50V 0.15A TO92-3
    7.5Кешбэк 1 балл
    BC556CTATRANS PNP 65V 0.1A TO92-3
    7.5Кешбэк 1 балл
    SS9011GBUTRANS NPN 30V 0.03A TO92-3
    15Кешбэк 2 балла
    MJE182STUTRANS NPN 80V 3A TO126-3
    56Кешбэк 8 баллов
    SS9012GBUTRANS PNP 20V 0.5A TO92-3
    7.5Кешбэк 1 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы специального назначения
    Сборки биполярных транзисторов
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - JFET
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Симисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторные модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП