Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные
MJB45H11T4G
  • В избранное
  • В сравнение
MJB45H11T4G

MJB45H11T4G

MJB45H11T4G
;
MJB45H11T4G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MJB45H11T4G
  • Описание:
    TRANS PNP 80V 10A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена MJB45H11T4G при покупке от 1 шт 349.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJB45H11T4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJB45H11T4G

MJB45H11T4G onsemi TRANS PNP 80V 10A D2PAK — это полупроводниковый транзистор, используемый в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 80В
    • Номинальный ток: 10А
    • Тип: PNP
    • Монтажный тип: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Доступная стоимость
    • Широкий диапазон рабочих температур
  • Минусы:
    • Требует дополнительного проектирования для обеспечения правильной работы
    • Тепловыделение, требующее эффективного охлаждения
    • Могут быть проблемы с шумом при работе в высокочастотном режиме
  • Общее назначение:
    • Изменение состояния цепей
    • Регулировка напряжения и тока
    • Управление другими транзисторами или силовыми устройствами
  • Применяется в:
    • Системах управления двигателем
    • Автомобильных системах
    • Промышленном оборудовании
    • Электропитании и преобразовании энергии
Выбрано: Показать

Характеристики MJB45H11T4G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    10 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1V @ 400mA, 8A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    10µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    40 @ 4A, 1V
  • Рассеивание мощности
    2 W
  • Трансформация частоты
    40MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    D²PAK
  • Base Product Number
    MJB45

Техническая документация

 MJB45H11T4G.pdf
pdf. 0 kb
  • 6019 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    349 ₽
  • 10
    223 ₽
  • 100
    150 ₽
  • 1600
    103 ₽
  • 4000
    94 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MJB45H11T4G
  • Описание:
    TRANS PNP 80V 10A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена MJB45H11T4G при покупке от 1 шт 349.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJB45H11T4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJB45H11T4G

MJB45H11T4G onsemi TRANS PNP 80V 10A D2PAK — это полупроводниковый транзистор, используемый в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 80В
    • Номинальный ток: 10А
    • Тип: PNP
    • Монтажный тип: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Доступная стоимость
    • Широкий диапазон рабочих температур
  • Минусы:
    • Требует дополнительного проектирования для обеспечения правильной работы
    • Тепловыделение, требующее эффективного охлаждения
    • Могут быть проблемы с шумом при работе в высокочастотном режиме
  • Общее назначение:
    • Изменение состояния цепей
    • Регулировка напряжения и тока
    • Управление другими транзисторами или силовыми устройствами
  • Применяется в:
    • Системах управления двигателем
    • Автомобильных системах
    • Промышленном оборудовании
    • Электропитании и преобразовании энергии
Выбрано: Показать

Характеристики MJB45H11T4G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    10 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1V @ 400mA, 8A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    10µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    40 @ 4A, 1V
  • Рассеивание мощности
    2 W
  • Трансформация частоты
    40MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    D²PAK
  • Base Product Number
    MJB45

Техническая документация

 MJB45H11T4G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NSS60600MZ4T3GTRANS PNP 60V 6A SOT223
    164Кешбэк 24 балла
    TIP31BTRANS NPN 80V 3A TO220-3
    42Кешбэк 6 баллов
    MJE182TRANS NPN 80V 3A SOT32-3
    70Кешбэк 10 баллов
    KSD1616AGBUTRANS NPN 60V 1A TO92-3
    84Кешбэк 12 баллов
    2SD1012G-SPATRANS NPN 15V 0.7A 3SPA
    27.6Кешбэк 4 балла
    MJD117T4GTRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
    226Кешбэк 33 балла
    BC847CLT3GТранзистор: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
    20.2Кешбэк 3 балла
    BCW33LT1GTRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
    31Кешбэк 4 балла
    BC550CBUTRANS NPN 45V 0.1A TO92-3
    28Кешбэк 4 балла
    KSD1408YTUTRANS NPN 80V 4A TO220F-3
    351Кешбэк 52 балла
    2SC3649T-TD-ETRANS NPN 160V 1.5A PCP
    206Кешбэк 30 баллов
    SMMBTA56LT3GTRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
    48Кешбэк 7 баллов
    NSVBCP69T1GТранзистор: TRANS PNP 20V 1A SOT223
    97Кешбэк 14 баллов
    SBC807-25LT3GTRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
    51Кешбэк 7 баллов
    MJD32CT4GTRANS PNP 100V 3A DPAK
    154Кешбэк 23 балла
    MJB45H11T4GTRANS PNP 80V 10A D2PAK
    349Кешбэк 52 балла
    KSC3296YTU
    64Кешбэк 9 баллов
    BD682STRANS PNP DARL 100V 4A TO126-3
    39Кешбэк 5 баллов
    SMMBTA64LT1GTRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
    70Кешбэк 10 баллов
    CPH3205-M-TL-ETRANS NPN 50V 3A 3CPH
    51Кешбэк 7 баллов
    ECH8102-TL-H
    121Кешбэк 18 баллов
    MMBTA64LT1
    14.7Кешбэк 2 балла
    MPS2907AZL1TRANS PNP 60V 0.6A TO92
    12.9Кешбэк 1 балл
    SBCW33LT1GTRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
    64Кешбэк 9 баллов
    SBC808-25LT1GТранзистор: TRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3
    63Кешбэк 9 баллов
    NJT4030PT1GTRANS PNP 40V 3A SOT223
    121Кешбэк 18 баллов
    SMMBT2907ALT1GТранзистор: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
    17Кешбэк 2 балла
    SBCP56T3GTRANS NPN 80V 1A SOT223
    131Кешбэк 19 баллов
    NSVMMBT5401WT1GTRANS PNP 150V 0.5A SC70-3
    44Кешбэк 6 баллов
    SMMBTA56LT1GTRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
    48Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды силовые
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Драйверы питания - Модули
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП