Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные
MJD122-1
  • В избранное
  • В сравнение
MJD122-1

MJD122-1

MJD122-1
;
MJD122-1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    MJD122-1
  • Описание:
    TRANS NPN DARL 100V 8A TO251Все характеристики

Минимальная цена MJD122-1 при покупке от 1 шт 269.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD122-1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD122-1

MJD122-1 STMicroelectronics TRANS NPN DARL 100V 8A TO251

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN транзистор
    • Тип разъема: TO251
    • Рейтинг напряжения: 100В
    • Рейтинг тока: 8А
  • Плюсы:
    • Высокий рейтинг напряжения (100В)
    • Высокий рейтинг тока (8А)
    • Стабильная работа при высоких температурах
    • Надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
    • Требует дополнительного охлаждения при работе с высокими нагрузками
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Увеличение или уменьшение тока
    • Изменение состояния цепи от "открыто" до "закрыто"
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Промышленных установках
    • Электронных приборах
    • Системах управления электродвигателями
Выбрано: Показать

Характеристики MJD122-1

  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    8 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    4V @ 80mA, 8A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    10µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 4A, 4V
  • Рассеивание мощности
    20 W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Исполнение корпуса
    TO-251 (IPAK)
  • Base Product Number
    MJD122

Техническая документация

 MJD122-1.pdf
pdf. 0 kb
  • 601 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    269 ₽
  • 75
    118 ₽
  • 525
    87 ₽
  • 2025
    73 ₽
  • 10050
    62 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    MJD122-1
  • Описание:
    TRANS NPN DARL 100V 8A TO251Все характеристики

Минимальная цена MJD122-1 при покупке от 1 шт 269.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD122-1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD122-1

MJD122-1 STMicroelectronics TRANS NPN DARL 100V 8A TO251

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN транзистор
    • Тип разъема: TO251
    • Рейтинг напряжения: 100В
    • Рейтинг тока: 8А
  • Плюсы:
    • Высокий рейтинг напряжения (100В)
    • Высокий рейтинг тока (8А)
    • Стабильная работа при высоких температурах
    • Надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
    • Требует дополнительного охлаждения при работе с высокими нагрузками
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Увеличение или уменьшение тока
    • Изменение состояния цепи от "открыто" до "закрыто"
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Промышленных установках
    • Электронных приборах
    • Системах управления электродвигателями
Выбрано: Показать

Характеристики MJD122-1

  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    8 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    4V @ 80mA, 8A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    10µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 4A, 4V
  • Рассеивание мощности
    20 W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Исполнение корпуса
    TO-251 (IPAK)
  • Base Product Number
    MJD122

Техническая документация

 MJD122-1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BC807-25,215Транзистор: TRANS PNP 45V 0.5A TO236AB
    5.6Кешбэк 1 балл
    BCX56-16,135Транзистор: TRANS NPN 80V 1A SOT89
    28Кешбэк 4 балла
    MMBT3904,215TRANS NPN 40V 0.2A TO236AB
    22.2Кешбэк 3 балла
    PBSS301ND,115TRANS NPN 20V 4A 6TSOP
    37Кешбэк 5 баллов
    BC856BT,115TRANS PNP 65V 0.1A SC75
    11.1Кешбэк 1 балл
    PDTA143EMB,315Транзистор: TRANS PNP 50V 0.1A DFN1006B-3
    14.8Кешбэк 2 балла
    BC857T,115TRANS PNP 45V 0.1A SC75
    13Кешбэк 1 балл
    BCX55-16,115TRANS NPN 60V 1A SOT89
    93Кешбэк 13 баллов
    2PB1219AQ,115NOW NEXPERIA 2PB1219AQ - SMALL S
    16.7Кешбэк 2 балла
    BSP52,115TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
    204Кешбэк 30 баллов
    PBSS3540E,115TRANS PNP 40V 0.5A SC75
    11.1Кешбэк 1 балл
    PMBT3904,215TRANS NPN 40V 0.2A TO236AB
    22.2Кешбэк 3 балла
    2PD601ART,235Транзистор: TRANS NPN 50V 0.1A TO236AB
    9.3Кешбэк 1 балл
    PMBS3904,215Транзистор: TRANS NPN 40V 0.1A TO236AB
    24Кешбэк 3 балла
    BC817-25,235Транзистор: TRANS NPN 45V 0.5A TO236AB
    29.6Кешбэк 4 балла
    BC51-10PA,115NOW NEXPERIA BC51-10PA - SMALL S
    35Кешбэк 5 баллов
    PMBS3904,235Транзистор: TRANS NPN 40V 0.1A TO236AB
    24Кешбэк 3 балла
    BCW31,215TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB
    43Кешбэк 6 баллов
    BSP32,115NOW NEXPERIA BSP32 - POWER BIPOL
    72Кешбэк 10 баллов
    BC849C,215TRANS NPN 30V 0.1A TO236AB
    35Кешбэк 5 баллов
    BC847BW,135Диод: TRANS NPN 45V 0.1A SOT323
    28Кешбэк 4 балла
    PBSS301NZ,135TRANS NPN 12V 5.8A SOT223
    50Кешбэк 7 баллов
    BC807-25QAZTRANS PNP 45V 0.5A DFN1010D-3
    54Кешбэк 8 баллов
    BC856T,115TRANS PNP 65V 0.1A SC75
    13Кешбэк 1 балл
    BC54-10PA,115NOW NEXPERIA BC54-10PA - SMALL S
    35Кешбэк 5 баллов
    PMMT491A,235TRANS NPN 40V 1A TO236AB
    74Кешбэк 11 баллов
    PMBT4401,215TRANS NPN 40V 0.6A TO236AB
    22.2Кешбэк 3 балла
    BC847AT,115TRANS NPN 45V 0.1A SC75
    13Кешбэк 1 балл
    BCW60D,235TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB
    13Кешбэк 1 балл
    PBSS8110D,115TRANS NPN 100V 1A 6TSOP
    87Кешбэк 13 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные диоды
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП