Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные
MJD122G
  • В избранное
  • В сравнение
MJD122G

MJD122G

MJD122G
;
MJD122G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MJD122G
  • Описание:
    TRANS NPN DARL 100V 8A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена MJD122G при покупке от 1 шт 177.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD122G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD122G

MJD122G ON SEMICONDUCTOR TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK — это тип транзистора ненаправленного действия (NPN) с высоким напряжением и током. Вот основные характеристики:

  • Напряжение наCollector-Emitter (VCEO): 100В
  • Ток Collector-Emmiter (ICEO): 8А
  • Форма корпуса: DPAK (Dual Plastic Axial Package)

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегреву
  • Малый размер корпуса
  • Легкость монтажа

Минусы:

  • Высокие требования к охлаждению при больших нагрузках
  • Необходимо соблюдение правил безопасности при работе с высоким напряжением

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания
  • Регулировка напряжения
  • Контроль тока в электрических цепях
  • Переключение высоких токов

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Электронных приборах
  • Иllumination systems (светотехнике)
  • Промышленных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики MJD122G

  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    8 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    4V @ 80mA, 8A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    10µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 4A, 4V
  • Рассеивание мощности
    20 W
  • Трансформация частоты
    4MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    MJD122

Техническая документация

 MJD122G.pdf
pdf. 0 kb
  • 2 шт
    в наличии
  • 290 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    177 ₽
  • 10
    143 ₽
  • 25
    133 ₽
  • 75
    119 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MJD122G
  • Описание:
    TRANS NPN DARL 100V 8A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена MJD122G при покупке от 1 шт 177.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD122G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD122G

MJD122G ON SEMICONDUCTOR TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK — это тип транзистора ненаправленного действия (NPN) с высоким напряжением и током. Вот основные характеристики:

  • Напряжение наCollector-Emitter (VCEO): 100В
  • Ток Collector-Emmiter (ICEO): 8А
  • Форма корпуса: DPAK (Dual Plastic Axial Package)

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегреву
  • Малый размер корпуса
  • Легкость монтажа

Минусы:

  • Высокие требования к охлаждению при больших нагрузках
  • Необходимо соблюдение правил безопасности при работе с высоким напряжением

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания
  • Регулировка напряжения
  • Контроль тока в электрических цепях
  • Переключение высоких токов

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Электронных приборах
  • Иllumination systems (светотехнике)
  • Промышленных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики MJD122G

  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    8 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    4V @ 80mA, 8A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    10µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 4A, 4V
  • Рассеивание мощности
    20 W
  • Трансформация частоты
    4MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    MJD122

Техническая документация

 MJD122G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TIP32CGTRANS PNP 100V 3A TO220
    164Кешбэк 24 балла
    2SB1204S-TL-ETRANS PNP 50V 8A TPFA
    165Кешбэк 24 балла
    TIP127GТранзистор: TRANS PNP DARL 100V 5A TO220
    165Кешбэк 24 балла
    MJD50T4GTRANS NPN 400V 1A DPAK
    166Кешбэк 24 балла
    MJD210GTRANS PNP 25V 5A DPAK
    176Кешбэк 26 баллов
    MJD122GTRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
    177Кешбэк 26 баллов
    TIP122GТранзистор: TRANS NPN DARL 100V 5A TO220
    179Кешбэк 26 баллов
    BD237GТранзистор: TRANS NPN 80V 2A TO126
    181Кешбэк 27 баллов
    2N6109GTRANS PNP 50V 7A TO220
    185Кешбэк 27 баллов
    12A02MH-TL-ETRANS PNP 12V 1A 3MCPH
    187Кешбэк 28 баллов
    D45VH10GТранзистор: TRANS PNP 80V 15A TO220
    190Кешбэк 28 баллов
    MJE171TRANS PNP 60V 3A TO126
    194Кешбэк 29 баллов
    D45H8GTRANS PNP 60V 10A TO220
    197Кешбэк 29 баллов
    MJD45H11T4GТранзистор: TRANS PNP 80V 8A DPAK
    198Кешбэк 29 баллов
    MJD44H11T4GТранзистор: TRANS NPN 80V 8A DPAK
    199Кешбэк 29 баллов
    BD242CGTRANS PNP 100V 3A TO220
    200Кешбэк 30 баллов
    MJD340GТранзистор: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
    202Кешбэк 30 баллов
    MJE172GТранзистор: TRANS PNP 80V 3A TO126
    204Кешбэк 30 баллов
    BD137GTRANS NPN 60V 1.5A TO126
    209Кешбэк 31 балл
    MJD127T4GTRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
    212Кешбэк 31 балл
    MJE350GTRANS PNP 300V 0.5A TO126
    215Кешбэк 32 балла
    BD13716STUТранзистор: TRANS NPN 60V 1.5A TO126-3
    215Кешбэк 32 балла
    BD440STRANS PNP 60V 4A TO126-3
    220Кешбэк 33 балла
    2N6111GTRANS PNP 30V 7A TO220
    222Кешбэк 33 балла
    TIP31BGTRANS NPN 80V 3A TO220
    226Кешбэк 33 балла
    BD442GTRANS PNP 80V 4A TO126
    226Кешбэк 33 балла
    TIP29CGТранзистор: TRANS NPN 100V 1A TO220
    228Кешбэк 34 балла
    TIP32AGТранзистор: TRANS PNP 60V 3A TO220
    231Кешбэк 34 балла
    2N4923GTRANS NPN 80V 1A TO126
    232Кешбэк 34 балла
    MJD31CGTRANS NPN 100V 3A DPAK
    234Кешбэк 35 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR
    Диоды силовые
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП