Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные
MJD127T4
  • В избранное
  • В сравнение
MJD127T4

MJD127T4

MJD127T4
;
MJD127T4

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    MJD127T4
  • Описание:
    TRANS PNP DARL 100V 8A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена MJD127T4 при покупке от 1 шт 186.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD127T4 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD127T4

MJD127T4 STMicroelectronics TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK — это полупроводниковый транзистор.

  • Основные параметры:
    • Напряжение вCollector-Base (VCEO) = 100В
    • Ток Collector (IC) = 8А
    • Тип: PNP
    • Монтажный тип: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Эффективная работа в различных приложениях
  • Минусы:
    • Необходимо учитывать направление тока при подключении
    • Могут быть ограничения по температуре работы
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Командное управление другими компонентами
    • Уменьшение уровня шума в электронных схемах
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Инверторы и преобразователи
    • Различные электроприборы и устройства
Выбрано: Показать

Характеристики MJD127T4

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    8 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    4V @ 80mA, 8A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    10µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 4A, 4V
  • Рассеивание мощности
    20 W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    MJD127

Техническая документация

 MJD127T4.pdf
pdf. 0 kb
  • 371 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    186 ₽
  • 10
    117 ₽
  • 500
    58 ₽
  • 2500
    42 ₽
  • 7500
    33 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMicroelectronics
  • Артикул:
    MJD127T4
  • Описание:
    TRANS PNP DARL 100V 8A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена MJD127T4 при покупке от 1 шт 186.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD127T4 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD127T4

MJD127T4 STMicroelectronics TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK — это полупроводниковый транзистор.

  • Основные параметры:
    • Напряжение вCollector-Base (VCEO) = 100В
    • Ток Collector (IC) = 8А
    • Тип: PNP
    • Монтажный тип: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Эффективная работа в различных приложениях
  • Минусы:
    • Необходимо учитывать направление тока при подключении
    • Могут быть ограничения по температуре работы
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Командное управление другими компонентами
    • Уменьшение уровня шума в электронных схемах
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Инверторы и преобразователи
    • Различные электроприборы и устройства
Выбрано: Показать

Характеристики MJD127T4

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    8 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    4V @ 80mA, 8A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    10µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 4A, 4V
  • Рассеивание мощности
    20 W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    MJD127

Техническая документация

 MJD127T4.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2N3904CTAТранзистор: TRANS NPN 40V 0.2A TO92-3
    7.4Кешбэк 1 балл
    2SC5242RTUTRANS NPN 250V 17A TO3P
    343Кешбэк 51 балл
    BC550BTATRANS NPN 45V 0.1A TO92-3
    18 527Кешбэк 2 779 баллов
    JANTXV2N3501TRANS NPN 150V 0.3A TO39
    3 335Кешбэк 500 баллов
    JANS2N3637TRANS PNP 175V 1A TO39
    6 984Кешбэк 1 047 баллов
    MS2N4931TRANS PNP TO-39
    43 326Кешбэк 6 498 баллов
    2N2907ADIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP
    25Кешбэк 3 балла
    2N5232ATRANS NPN 50V 0.1A TO92
    506Кешбэк 75 баллов
    CMPTA92 TRTRANS PNP 300V 0.5A SOT23
    96Кешбэк 14 баллов
    CENW92TRANS PNP 300V 0.5A TO237
    217Кешбэк 32 балла
    CP710V-MPSA92-CT20Транзистор: TRANS PNP 300V 0.5A DIE 1=20PCS
    26 243Кешбэк 3 936 баллов
    2SB1257TRANS PNP DARL 60V 4A TO220F
    556Кешбэк 83 балла
    2SA1673TRANS PNP 180V 15A TO3PF
    1 508Кешбэк 226 баллов
    JANTX2N3716Транзистор: TRANS NPN 80V 10A TO204AA
    7 070Кешбэк 1 060 баллов
    JANTX2N6284TRANS NPN DARL 100V 20A TO204AA
    8 394Кешбэк 1 259 баллов
    JANTX2N5582TRANS NPN 50V 0.8A TO46-3
    3 951Кешбэк 592 балла
    TIP100TRANS NPN DARL 60V 5A TO220F
    128Кешбэк 19 баллов
    MMBT3906Транзистор: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
    18Кешбэк 2 балла
    BC556BТранзистор: TRANS PNP 65V 0.1A TO92
    17.4Кешбэк 2 балла
    MMBT2222AТранзистор: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
    12.4Кешбэк 1 балл
    2N5551Транзистор: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
    19.5Кешбэк 2 балла
    BC547BТранзистор: TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3
    26Кешбэк 3 балла
    2N5401Транзистор: TRANS PNP 150V 0.6A TO92
    26Кешбэк 3 балла
    MMBT3904Транзистор: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
    7.4Кешбэк 1 балл
    2N3906Транзистор: TRANS PNP 40V 0.2A TO92
    21.5Кешбэк 3 балла
    MMBTA92Транзистор: TRANS PNP 300V 0.5A SOT23-3
    15.3Кешбэк 2 балла
    2N4401Транзистор: TRANS NPN 40V 0.6A TO92-3
    29Кешбэк 4 балла
    MPSA06Транзистор: TRANS NPN 80V 0.5A TO92-3
    37Кешбэк 5 баллов
    2N3904Транзистор: TRANS NPN 40V 0.2A TO92-3
    21.5Кешбэк 3 балла
    BC548CTRANS NPN 30V 0.1A TO92
    20.4Кешбэк 3 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Принадлежности
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды силовые
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП