Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы
MJD210T4G
  • В избранное
  • В сравнение
MJD210T4G

MJD210T4G

MJD210T4G
;
MJD210T4G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MJD210T4G
  • Описание:
    TRANS PNP 25V 5A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена MJD210T4G при покупке от 1 шт 159.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD210T4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD210T4G

MJD210T4G onsemi TRANS PNP 25V 5A DPAK — это полевая транзисторная трубка непроводящего типа (PNP), работающая при напряжении до 25В и способная передавать до 5А тока.

  • Основные параметры:
    • Напряжение проводимости: 25В
    • Ток проводимости: 5А
    • Пакет: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокий ток проводимости
    • Устойчивость к перегреву благодаря DPAK пакету
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение для больших токов
    • Только для работы с плюсовым питанием
  • Общее назначение:
    • Регулировка тока
    • Переключение нагрузок
    • Усилитель сигнала
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Системы питания
    • Устройства управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики MJD210T4G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    5 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    25 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.8V @ 1A, 5A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    45 @ 2A, 1V
  • Рассеивание мощности
    1.4 W
  • Трансформация частоты
    65MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    MJD210

Техническая документация

 MJD210T4G.pdf
pdf. 0 kb
  • 3659 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    159 ₽
  • 100
    66 ₽
  • 1000
    48 ₽
  • 5000
    40 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MJD210T4G
  • Описание:
    TRANS PNP 25V 5A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена MJD210T4G при покупке от 1 шт 159.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD210T4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD210T4G

MJD210T4G onsemi TRANS PNP 25V 5A DPAK — это полевая транзисторная трубка непроводящего типа (PNP), работающая при напряжении до 25В и способная передавать до 5А тока.

  • Основные параметры:
    • Напряжение проводимости: 25В
    • Ток проводимости: 5А
    • Пакет: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокий ток проводимости
    • Устойчивость к перегреву благодаря DPAK пакету
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение для больших токов
    • Только для работы с плюсовым питанием
  • Общее назначение:
    • Регулировка тока
    • Переключение нагрузок
    • Усилитель сигнала
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Системы питания
    • Устройства управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики MJD210T4G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    5 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    25 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.8V @ 1A, 5A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    45 @ 2A, 1V
  • Рассеивание мощности
    1.4 W
  • Трансформация частоты
    65MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    MJD210

Техническая документация

 MJD210T4G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NJVMJD112T4GTRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
    225Кешбэк 33 балла
    MJE5731AGTRANS PNP 375V 1A TO220
    333Кешбэк 49 баллов
    SBC847CWT1GТранзистор: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3
    24Кешбэк 3 балла
    NSVBC856BM3T5GТранзистор: TRANS PNP 65V 0.1A SOT723
    52Кешбэк 7 баллов
    MJF3055GTRANS NPN 90V 10A TO220FP
    453Кешбэк 67 баллов
    NJVMJD128T4GTRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
    222Кешбэк 33 балла
    NSVT489AMT1GTRANS NPN 30V 2A 6TSOP
    88Кешбэк 13 баллов
    KSA992FBUTRANS PNP 120V 0.05A TO92-3
    59Кешбэк 8 баллов
    PZT2907AT3GTRANS PNP 60V 0.6A SOT223
    127Кешбэк 19 баллов
    BCP56-10T3GTRANS NPN 80V 1A SOT223
    71Кешбэк 10 баллов
    2SD1623T-TD-ETRANS NPN 50V 2A PCP
    164Кешбэк 24 балла
    NJVMJD127T4GTRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
    251Кешбэк 37 баллов
    NSV60601MZ4T3GTRANS NPN 60V 6A SOT223
    145Кешбэк 21 балл
    2SB1201S-TL-ETRANS PNP 50V 2A TP-FA
    291Кешбэк 43 балла
    MPS8098RLRATRANS NPN 60V 0.5A TO92
    14Кешбэк 2 балла
    2SA2039-HTRANS PNP 50V 5A TP
    91Кешбэк 13 баллов
    MJE18002TRANS NPN 450V 2A TO220
    80Кешбэк 12 баллов
    MPSW05GTRANS NPN 60V 0.5A TO92
    28Кешбэк 4 балла
    NSVMMBT6520LT1GTRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
    132Кешбэк 19 баллов
    MJD210T4GTRANS PNP 25V 5A DPAK
    119Кешбэк 17 баллов
    NSS60600MZ4T1GTRANS PNP 60V 6A SOT223
    142Кешбэк 21 балл
    MJD45H11RLGTRANS PNP 80V 8A DPAK
    285Кешбэк 42 балла
    SBC856BWT1GTRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
    30Кешбэк 4 балла
    D45C12TRANS PNP 80V 4A TO220
    71Кешбэк 10 баллов
    2SA2153-TD-ETRANS PNP 50V 2A PCP
    137Кешбэк 20 баллов
    MSB92ASWT1GTRANS PNP 300V 0.5A SC70-3
    47Кешбэк 7 баллов
    BC846ALT1GТранзистор: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
    21Кешбэк 3 балла
    BCP69Транзистор: TRANS PNP 20V 1.5A SOT223-4
    24Кешбэк 3 балла
    SMMBT2369ALT1GТранзистор: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
    76Кешбэк 11 баллов
    NJV4030PT3GTRANS PNP 40V 3A SOT223
    158Кешбэк 23 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы специального назначения
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Симисторы - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторные модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR - модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП