Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
MJD31C1G

MJD31C1G

MJD31C1G
;
MJD31C1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена MJD31C1G при покупке от 15 шт 130.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD31C1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD31C1G

MJD31C1G ON Semiconductor TRANS NPN 100V 3A IPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN транзистор
    • Номинальное напряжение блокировки: 100В
    • Номинальный ток collector (Ic): 3А
    • Форм-фактор: IPAK
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Стабильная работа при высоких температурах
    • Доступен в компактном корпусе IPAK
    • Надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения из-за высокой мощности
    • Необходимость точного регулирования напряжения и тока
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками высокой мощности
    • Применяется в системах управления двигателей
    • Используется в промышленных электронных устройствах
    • Способствует управлению электрическими цепями с высоким уровнем напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
    • Устройства для управления электродвигателями
    • Электронные системы управления энергопотреблением
Выбрано: Показать

Характеристики MJD31C1G

  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    3 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.2V @ 375mA, 3A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    50µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    10 @ 3A, 4V
  • Рассеивание мощности
    1.56 W
  • Трансформация частоты
    3MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Исполнение корпуса
    I-PAK
  • Base Product Number
    MJD31

Техническая документация

MJD31C1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 68 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 15 шт
  • Количество
    Цена
  • 15
    130 ₽
  • 30
    81 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена MJD31C1G при покупке от 15 шт 130.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD31C1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD31C1G

MJD31C1G ON Semiconductor TRANS NPN 100V 3A IPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN транзистор
    • Номинальное напряжение блокировки: 100В
    • Номинальный ток collector (Ic): 3А
    • Форм-фактор: IPAK
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Стабильная работа при высоких температурах
    • Доступен в компактном корпусе IPAK
    • Надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения из-за высокой мощности
    • Необходимость точного регулирования напряжения и тока
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками высокой мощности
    • Применяется в системах управления двигателей
    • Используется в промышленных электронных устройствах
    • Способствует управлению электрическими цепями с высоким уровнем напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
    • Устройства для управления электродвигателями
    • Электронные системы управления энергопотреблением
Выбрано: Показать

Характеристики MJD31C1G

  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    3 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.2V @ 375mA, 3A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    50µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    10 @ 3A, 4V
  • Рассеивание мощности
    1.56 W
  • Трансформация частоты
    3MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Исполнение корпуса
    I-PAK
  • Base Product Number
    MJD31

Техническая документация

MJD31C1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 15 шт