Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные
MJD32CG
  • В избранное
  • В сравнение
MJD32CG

MJD32CG

MJD32CG
;
MJD32CG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MJD32CG
  • Описание:
    TRANS PNP 100V 3A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена MJD32CG при покупке от 1 шт 167.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD32CG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD32CG

MJD32CG onsemi TRANS PNP 100V 3A DPAK — это полупроводниковый транзистор, используемый для регулирования электрического тока. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение (VCEO): 100В
  • Номинальный ток (IC): 3А
  • Тип: PNP
  • Пакет: DPAK

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Высокое значение номинального тока и напряжения
  • Удобство установки благодаря DPAK пакету

Минусы:

  • Требует дополнительных компонентов для работы с обратным напряжением
  • Могут возникать проблемы с термическим управлением при длительной работе под нагрузкой

Общее назначение:

  • Регулировка тока в электрических цепях
  • Использование в источниках питания
  • Драйверы для моторов
  • Переключение нагрузок

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Электронных устройствах для бытовой техники
  • Промышленных контроллерах и системах управления
  • Инверторах и преобразователях напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики MJD32CG

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    3 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.2V @ 375mA, 3A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    50µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    10 @ 3A, 4V
  • Рассеивание мощности
    1.56 W
  • Трансформация частоты
    3MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    MJD32

Техническая документация

 MJD32CG.pdf
pdf. 0 kb
  • 150 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    167 ₽
  • 10
    117 ₽
  • 25
    83 ₽
  • 75
    73 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MJD32CG
  • Описание:
    TRANS PNP 100V 3A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена MJD32CG при покупке от 1 шт 167.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD32CG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD32CG

MJD32CG onsemi TRANS PNP 100V 3A DPAK — это полупроводниковый транзистор, используемый для регулирования электрического тока. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение (VCEO): 100В
  • Номинальный ток (IC): 3А
  • Тип: PNP
  • Пакет: DPAK

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Высокое значение номинального тока и напряжения
  • Удобство установки благодаря DPAK пакету

Минусы:

  • Требует дополнительных компонентов для работы с обратным напряжением
  • Могут возникать проблемы с термическим управлением при длительной работе под нагрузкой

Общее назначение:

  • Регулировка тока в электрических цепях
  • Использование в источниках питания
  • Драйверы для моторов
  • Переключение нагрузок

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Электронных устройствах для бытовой техники
  • Промышленных контроллерах и системах управления
  • Инверторах и преобразователях напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики MJD32CG

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    3 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.2V @ 375mA, 3A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    50µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    10 @ 3A, 4V
  • Рассеивание мощности
    1.56 W
  • Трансформация частоты
    3MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    MJD32

Техническая документация

 MJD32CG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SA1706T-ANTRANS PNP 50V 2A 3NMP
    52Кешбэк 7 баллов
    BC857CLT3GТранзистор: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
    22.2Кешбэк 3 балла
    SMSD1002T1GДиод: TRANS NPN SOD123
    52Кешбэк 7 баллов
    MPSW55RLRAGTRANS PNP 60V 0.5A TO92
    22.2Кешбэк 3 балла
    MMBT5551LT3GTRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
    28Кешбэк 4 балла
    CPH3145-TL-ETRANS PNP 50V 2A 3CPH
    35Кешбэк 5 баллов
    BC327GTRANS PNP 45V 0.8A TO92
    11.1Кешбэк 1 балл
    2SD1802S-TL-ETRANS NPN 50V 3A TPFA
    67Кешбэк 10 баллов
    BC337-16ZL1GTRANS NPN 45V 0.8A TO92
    13Кешбэк 1 балл
    MMBT4401LT3GTRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
    22.2Кешбэк 3 балла
    2SC3332STRANS NPN 160V 0.7A 3NP
    46Кешбэк 6 баллов
    NSS30101LT1GTRANS NPN 30V 1A SOT23-3
    102Кешбэк 15 баллов
    BC846BLT3GТранзистор: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
    22.2Кешбэк 3 балла
    SBC857CLT1GТранзистор: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
    48Кешбэк 7 баллов
    MCH6124-TL-ETRANS PNP 20V 3A 6MCPH
    26Кешбэк 3 балла
    CPH3106-TL-ETRANS PNP 12V 3A 3CPH
    46Кешбэк 6 баллов
    BC857BWT1TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
    7.4Кешбэк 1 балл
    BC557BZL1TRANS PNP 45V 0.1A TO92
    11.1Кешбэк 1 балл
    BC847ALT1
    13Кешбэк 1 балл
    2SD1685FTRANS NPN 20V 5A TO126ML
    85Кешбэк 12 баллов
    PN2907ATARТранзистор: TRANS PNP 60V 0.8A TO92-3
    54Кешбэк 8 баллов
    BUH100GTRANS NPN 400V 10A TO220
    178Кешбэк 26 баллов
    2SD1805G-ETRANS NPN 20V 5A TP
    80Кешбэк 12 баллов
    BC327-016GTRANS PNP 45V 0.8A TO92
    11.1Кешбэк 1 балл
    BC856ALT1GТранзистор: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
    22.2Кешбэк 3 балла
    SPZT2222AT1GТранзистор: TRANS NPN 40V 0.6A SOT223
    43Кешбэк 6 баллов
    SMMBTA06LT3GTRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
    33.3Кешбэк 4 балла
    KSC2330OTATRANS NPN 300V 0.1A TO92-3
    11.1Кешбэк 1 балл
    KSA1015GRTATRANS PNP 50V 0.15A TO92-3
    5.6Кешбэк 1 балл
    BC337RL1GTRANS NPN 45V 0.8A TO92
    22.2Кешбэк 3 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Принадлежности
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - программируемые однопереходные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП