Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные
MJD32CT4G
  • В избранное
  • В сравнение
MJD32CT4G

MJD32CT4G

MJD32CT4G
;
MJD32CT4G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MJD32CT4G
  • Описание:
    TRANS PNP 100V 3A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена MJD32CT4G при покупке от 1 шт 156.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD32CT4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD32CT4G

MJD32CT4G onsemi TRANS PNP 100В 3А DPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: ПNP (пассивный непосредственный)
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 3А
    • Форм-фактор: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Простота применения
    • Малый размер
  • Минусы:
    • Могут быть чувствительны к электрическому шуму
    • Необходимо соблюдать правила монтажа для предотвращения повреждений
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Контроль мощных нагрузок
    • Регулировка напряжения
    • Защита от перегрузок и короткого замыкания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Мощные источники питания
    • Электроприводы
    • Домашние приборы с высокой потребляемой мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики MJD32CT4G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    3 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.2V @ 375mA, 3A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    50µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    10 @ 3A, 4V
  • Рассеивание мощности
    1.56 W
  • Трансформация частоты
    3MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    MJD32

Техническая документация

 MJD32CT4G.pdf
pdf. 0 kb
  • 6029 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    156 ₽
  • 100
    69 ₽
  • 1000
    50 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MJD32CT4G
  • Описание:
    TRANS PNP 100V 3A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена MJD32CT4G при покупке от 1 шт 156.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD32CT4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD32CT4G

MJD32CT4G onsemi TRANS PNP 100В 3А DPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: ПNP (пассивный непосредственный)
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 3А
    • Форм-фактор: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Простота применения
    • Малый размер
  • Минусы:
    • Могут быть чувствительны к электрическому шуму
    • Необходимо соблюдать правила монтажа для предотвращения повреждений
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Контроль мощных нагрузок
    • Регулировка напряжения
    • Защита от перегрузок и короткого замыкания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Мощные источники питания
    • Электроприводы
    • Домашние приборы с высокой потребляемой мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики MJD32CT4G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    3 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.2V @ 375mA, 3A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    50µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    10 @ 3A, 4V
  • Рассеивание мощности
    1.56 W
  • Трансформация частоты
    3MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    MJD32

Техническая документация

 MJD32CT4G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ZTX853STZTRANS NPN 100V 4A E-LINE
    259Кешбэк 38 баллов
    BC52PA,115NOW NEXPERIA BC52PA - SMALL SIGN
    89Кешбэк 13 баллов
    FCX558TATRANS PNP 400V 0.2A SOT89-3
    145Кешбэк 21 балл
    2SD1664T100PTRANS NPN 32V 1A MPT3
    126Кешбэк 18 баллов
    MJE15030TRANS NPN 150V 8A TO220
    391Кешбэк 58 баллов
    DSC7Q01S0LTRANS NPN DARL 80V 1A MINIP3
    138Кешбэк 20 баллов
    FMMT495TAТранзистор: TRANS NPN 150V 1A SOT23-3
    94Кешбэк 14 баллов
    CMPTA92 TRTRANS PNP 300V 0.5A SOT23
    96Кешбэк 14 баллов
    BUL805TRANS NPN 450V 5A TO220
    189Кешбэк 28 баллов
    2SB1412TLRTRANS PNP 20V 5A CPT3
    296Кешбэк 44 балла
    TIP32GTRANS PNP 40V 3A TO220
    252Кешбэк 37 баллов
    MJE2955TGTRANS PNP 60V 10A TO220
    226Кешбэк 33 балла
    50A02MH-TL-ETRANS PNP 50V 0.5A 3MCPH
    78Кешбэк 11 баллов
    2SC5200-O(Q)Транзистор: TRANS NPN 230V 15A TO3P
    443Кешбэк 66 баллов
    BCW66HTATRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
    54Кешбэк 8 баллов
    BD13516STUTRANS NPN 45V 1.5A TO126-3
    210Кешбэк 31 балл
    MMBTA14-7-FTRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
    37Кешбэк 5 баллов
    PBSS5220T,215TRANS PNP 20V 2A TO236AB
    83Кешбэк 12 баллов
    2N5195TRANS PNP 80V 4A SOT32-3
    39Кешбэк 5 баллов
    2N3019DIE TRANS NPN SMALL SIGNAL 80V
    209Кешбэк 31 балл
    ZX5T949GTAТранзистор: TRANS PNP 30V 5.5A SOT223-3
    269Кешбэк 40 баллов
    BCX5216TATRANS PNP 60V 1A SOT89-3
    82Кешбэк 12 баллов
    BSS64LT1GTRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3
    35Кешбэк 5 баллов
    ZXTP2009ZTATRANS PNP 40V 5.5A SOT89-3
    239Кешбэк 35 баллов
    NJVMJD42CRLGTRANS PNP 100V 6A DPAK
    278Кешбэк 41 балл
    BC856BLT1GTRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
    18Кешбэк 2 балла
    PMBTA42,215TRANS NPN 300V 0.1A TO236AB
    33.3Кешбэк 4 балла
    BD677GTRANS NPN DARL 60V 4A TO126
    78Кешбэк 11 баллов
    ZXTN25020DGTATRANS NPN 20V 7A SOT223-3
    228Кешбэк 34 балла
    BC549CTAТранзистор: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
    54Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП