Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные
MJE200G
  • В избранное
  • В сравнение
MJE200G

MJE200G

MJE200G
;
MJE200G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MJE200G
  • Описание:
    TRANS NPN 40V 5A TO126Все характеристики

Минимальная цена MJE200G при покупке от 1 шт 239.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJE200G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJE200G

MJE200G onsemi TRANS NPN 40V 5A TO126

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN-транзистор
    • Номинальный напряжение коллектора-;base (VCEO): 40В
    • Номинальный ток коллектора (ICM): 5А
    • Монтажный корпус: TO126
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Прочная конструкция
    • Надежность при длительной эксплуатации
  • Минусы:
    • Высокое напряжение может повредить устройство
    • Требует осторожного обращения при подключении
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками высокой мощности
    • Регулировка напряжений и токов
    • Изменение состояния цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Инверторы
    • Системы электропитания
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства с высокими требованиями к мощности
Выбрано: Показать

Характеристики MJE200G

  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    5 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    40 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.8V @ 1A, 5A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    45 @ 2A, 1V
  • Рассеивание мощности
    15 W
  • Трансформация частоты
    65MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-225AA, TO-126-3
  • Исполнение корпуса
    TO-126
  • Base Product Number
    MJE200

Техническая документация

 MJE200G.pdf
pdf. 0 kb
  • 474 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    239 ₽
  • 10
    151 ₽
  • 500
    77 ₽
  • 3000
    61 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MJE200G
  • Описание:
    TRANS NPN 40V 5A TO126Все характеристики

Минимальная цена MJE200G при покупке от 1 шт 239.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJE200G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJE200G

MJE200G onsemi TRANS NPN 40V 5A TO126

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN-транзистор
    • Номинальный напряжение коллектора-;base (VCEO): 40В
    • Номинальный ток коллектора (ICM): 5А
    • Монтажный корпус: TO126
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Прочная конструкция
    • Надежность при длительной эксплуатации
  • Минусы:
    • Высокое напряжение может повредить устройство
    • Требует осторожного обращения при подключении
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками высокой мощности
    • Регулировка напряжений и токов
    • Изменение состояния цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Инверторы
    • Системы электропитания
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства с высокими требованиями к мощности
Выбрано: Показать

Характеристики MJE200G

  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    5 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    40 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.8V @ 1A, 5A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    45 @ 2A, 1V
  • Рассеивание мощности
    15 W
  • Трансформация частоты
    65MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-225AA, TO-126-3
  • Исполнение корпуса
    TO-126
  • Base Product Number
    MJE200

Техническая документация

 MJE200G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ZTX853STZTRANS NPN 100V 4A E-LINE
    259Кешбэк 38 баллов
    BC52PA,115NOW NEXPERIA BC52PA - SMALL SIGN
    89Кешбэк 13 баллов
    FCX558TATRANS PNP 400V 0.2A SOT89-3
    145Кешбэк 21 балл
    2SD1664T100PTRANS NPN 32V 1A MPT3
    126Кешбэк 18 баллов
    MJE15030TRANS NPN 150V 8A TO220
    391Кешбэк 58 баллов
    DSC7Q01S0LTRANS NPN DARL 80V 1A MINIP3
    138Кешбэк 20 баллов
    FMMT495TAТранзистор: TRANS NPN 150V 1A SOT23-3
    94Кешбэк 14 баллов
    CMPTA92 TRTRANS PNP 300V 0.5A SOT23
    96Кешбэк 14 баллов
    BUL805TRANS NPN 450V 5A TO220
    189Кешбэк 28 баллов
    2SB1412TLRTRANS PNP 20V 5A CPT3
    296Кешбэк 44 балла
    TIP32GTRANS PNP 40V 3A TO220
    252Кешбэк 37 баллов
    MJE2955TGTRANS PNP 60V 10A TO220
    226Кешбэк 33 балла
    50A02MH-TL-ETRANS PNP 50V 0.5A 3MCPH
    78Кешбэк 11 баллов
    2SC5200-O(Q)Транзистор: TRANS NPN 230V 15A TO3P
    443Кешбэк 66 баллов
    BCW66HTATRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
    54Кешбэк 8 баллов
    BD13516STUTRANS NPN 45V 1.5A TO126-3
    210Кешбэк 31 балл
    MMBTA14-7-FTRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
    37Кешбэк 5 баллов
    PBSS5220T,215TRANS PNP 20V 2A TO236AB
    83Кешбэк 12 баллов
    2N5195TRANS PNP 80V 4A SOT32-3
    39Кешбэк 5 баллов
    2N3019DIE TRANS NPN SMALL SIGNAL 80V
    209Кешбэк 31 балл
    ZX5T949GTAТранзистор: TRANS PNP 30V 5.5A SOT223-3
    269Кешбэк 40 баллов
    BCX5216TATRANS PNP 60V 1A SOT89-3
    82Кешбэк 12 баллов
    BSS64LT1GTRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3
    35Кешбэк 5 баллов
    ZXTP2009ZTATRANS PNP 40V 5.5A SOT89-3
    239Кешбэк 35 баллов
    NJVMJD42CRLGTRANS PNP 100V 6A DPAK
    278Кешбэк 41 балл
    BC856BLT1GTRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
    18Кешбэк 2 балла
    PMBTA42,215TRANS NPN 300V 0.1A TO236AB
    33.3Кешбэк 4 балла
    BD677GTRANS NPN DARL 60V 4A TO126
    78Кешбэк 11 баллов
    ZXTN25020DGTATRANS NPN 20V 7A SOT223-3
    228Кешбэк 34 балла
    BC549CTAТранзистор: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
    54Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды силовые
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Симисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП