Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные
MJE350G
  • В избранное
  • В сравнение
MJE350G

MJE350G

MJE350G
;
MJE350G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MJE350G
  • Описание:
    TRANS PNP 300V 0.5A TO126Все характеристики

Минимальная цена MJE350G при покупке от 1 шт 215.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJE350G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJE350G

MJE350G ON SEMICONDUCTOR TRANS PNP 300V 0.5A TO126 — это тип транзистора тока, работающего в режиме источника тока. Основные характеристики:

  • Тип: PNP
  • Номинальное напряжение: 300В
  • Номинальный ток: 0.5А
  • Обозначение корпуса: TO126

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Высокий коэффициент усиления
  • Устойчивость к перегреву

Минусы:

  • Требует дополнительного питания для работы в режиме источника тока
  • Высокое внутреннее сопротивление

Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах для управления токами и напряжениями, включая регуляторы напряжения, усилители, блоки питания.

Применяется в:

  • Электронных системах управления
  • Автомобильных приборах
  • Инверторах
  • Регулируемых блоках питания
Выбрано: Показать

Характеристики MJE350G

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    300 V
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100µA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 50mA, 10V
  • Рассеивание мощности
    20 W
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-225AA, TO-126-3
  • Исполнение корпуса
    TO-126
  • Base Product Number
    MJE350

Техническая документация

 MJE350G.pdf
pdf. 0 kb
  • 352 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    215 ₽
  • 10
    167 ₽
  • 200
    109 ₽
  • 1000
    89 ₽
  • 5000
    74 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MJE350G
  • Описание:
    TRANS PNP 300V 0.5A TO126Все характеристики

Минимальная цена MJE350G при покупке от 1 шт 215.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJE350G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJE350G

MJE350G ON SEMICONDUCTOR TRANS PNP 300V 0.5A TO126 — это тип транзистора тока, работающего в режиме источника тока. Основные характеристики:

  • Тип: PNP
  • Номинальное напряжение: 300В
  • Номинальный ток: 0.5А
  • Обозначение корпуса: TO126

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Высокий коэффициент усиления
  • Устойчивость к перегреву

Минусы:

  • Требует дополнительного питания для работы в режиме источника тока
  • Высокое внутреннее сопротивление

Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах для управления токами и напряжениями, включая регуляторы напряжения, усилители, блоки питания.

Применяется в:

  • Электронных системах управления
  • Автомобильных приборах
  • Инверторах
  • Регулируемых блоках питания
Выбрано: Показать

Характеристики MJE350G

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    300 V
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100µA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 50mA, 10V
  • Рассеивание мощности
    20 W
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-225AA, TO-126-3
  • Исполнение корпуса
    TO-126
  • Base Product Number
    MJE350

Техническая документация

 MJE350G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MJL4281AGTRANS NPN 350V 15A TO264
    1 315Кешбэк 197 баллов
    TIP147TТранзистор: TRANS PNP DARL 100V 10A TO220
    148Кешбэк 22 балла
    2DD1664Q-13TRANS NPN 32V 1A SOT89-3
    119Кешбэк 17 баллов
    TIP111GTRANS NPN DARL 80V 2A TO220
    269Кешбэк 40 баллов
    2N5878PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
    2 490Кешбэк 373 балла
    2N3439UATRANS NPN 350V 1A
    9 226Кешбэк 1 383 балла
    MJD44H11GТранзистор: TRANS NPN 80V 8A DPAK
    255Кешбэк 38 баллов
    MJD45H11-1GTRANS PNP 80V 8A IPAK
    309Кешбэк 46 баллов
    JAN2N2222AUBТранзистор: TRANS NPN 50V 0.8A UB
    1 866Кешбэк 279 баллов
    BUL416TRANS NPN 800V 6A TO220
    1 112Кешбэк 166 баллов
    PHPT60606PYXTRANS PNP 60V 6A LFPAK56 PWRSO8
    176Кешбэк 26 баллов
    BSR14,215TRANS NPN 40V 0.8A TO236AB
    83Кешбэк 12 баллов
    TIP31AGТранзистор: TRANS NPN 60V 3A TO220
    255Кешбэк 38 баллов
    2N3773GТранзистор: TRANS NPN 140V 16A TO204
    1 213Кешбэк 181 балл
    MJL21193GTRANS PNP 250V 16A TO264
    1 099Кешбэк 164 балла
    2SD2211T100QTRANS NPN 160V 1.5A MPT3
    233Кешбэк 34 балла
    PBSS301NX,115TRANS NPN 12V 5.3A SOT89
    207Кешбэк 31 балл
    BD242CGTRANS PNP 100V 3A TO220
    200Кешбэк 30 баллов
    FJP13007H2TUTRANS NPN 400V 8A TO220-3
    365Кешбэк 54 балла
    2SD2537T100VTRANS NPN 25V 1.2A MPT3
    230Кешбэк 34 балла
    MJW21193TRANS PNP 250V 16A TO247-3
    2 144Кешбэк 321 балл
    2PA1774S,115TRANS PNP 50V 0.15A SC75
    10.8Кешбэк 1 балл
    PZTA92,115TRANS PNP 300V 0.1A SOT223
    150Кешбэк 22 балла
    BSP43,115TRANS NPN 80V 1A SOT223
    146Кешбэк 21 балл
    FJP13009H2TUTRANS NPN 400V 12A TO220-3
    400Кешбэк 60 баллов
    JANTX2N3868TRANS PNP 60V 0.003A TO5
    4 650Кешбэк 697 баллов
    2N3019STRANS NPN 80V 1A TO39
    3 792Кешбэк 568 баллов
    MPS6515TRANS NPN 25V 0.2A TO92-3
    26Кешбэк 3 балла
    BC849B-TPTRANS NPN 30V 0.1A SOT23
    37Кешбэк 5 баллов
    MJ11022GTRANS NPN DARL 250V 15A TO204
    1 838Кешбэк 275 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП