Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
MMBF170LT1G
  • В избранное
  • В сравнение
MMBF170LT1G

MMBF170LT1G

MMBF170LT1G
;
MMBF170LT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MMBF170LT1G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена MMBF170LT1G при покупке от 1 шт 48.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBF170LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBF170LT1G

MMBF170LT1G ON SEMICONDUCTOR MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 60В
    • Номинальный ток: 500мА
    • Форм-фактор: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Малый ток утечки
    • Малый размер и легкость в установке
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Не рекомендуется для высокоточных приложений из-за небольшой точности характеристики
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузки и перегрева
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Переключение электрических цепей
    • Уменьшение потерь энергии в электронных устройствах
  • Применение в устройствах:
    • Мобильные устройства (смартфоны, планшеты)
    • Автомобильная электроника
    • Беспроводные устройства
    • Электронные часы и другие низковольтные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики MMBF170LT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    500mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5Ohm @ 200mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    60 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    225mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    MMBF170

Техническая документация

 MMBF170LT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 1632 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    48 ₽
  • 50
    22.5 ₽
  • 500
    12.2 ₽
  • 1500
    9.6 ₽
  • 9000
    8.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MMBF170LT1G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена MMBF170LT1G при покупке от 1 шт 48.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBF170LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBF170LT1G

MMBF170LT1G ON SEMICONDUCTOR MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 60В
    • Номинальный ток: 500мА
    • Форм-фактор: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Малый ток утечки
    • Малый размер и легкость в установке
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Не рекомендуется для высокоточных приложений из-за небольшой точности характеристики
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузки и перегрева
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Переключение электрических цепей
    • Уменьшение потерь энергии в электронных устройствах
  • Применение в устройствах:
    • Мобильные устройства (смартфоны, планшеты)
    • Автомобильная электроника
    • Беспроводные устройства
    • Электронные часы и другие низковольтные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики MMBF170LT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    500mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5Ohm @ 200mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    60 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    225mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    MMBF170

Техническая документация

 MMBF170LT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STW88N65M5-4Транзистор
    2 578Кешбэк 386 баллов
    STD12NF06L-1MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
    167Кешбэк 25 баллов
    STW20NM60MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
    1 232Кешбэк 184 балла
    STFU15NM65NMOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
    763Кешбэк 114 баллов
    STF8N80K5MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
    419Кешбэк 62 балла
    STP24NM60NMOSFET N-CH 600V 17A TO220
    619Кешбэк 92 балла
    STP18NM60NDMOSFET N-CH 600V 13A TO220
    912Кешбэк 136 баллов
    STP55NF06LТранзистор: MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB
    185Кешбэк 27 баллов
    STU10NM60NMOSFET N-CH 600V 10A IPAK
    300Кешбэк 45 баллов
    STF15N65M5MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
    638Кешбэк 95 баллов
    STL3N10F7MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT
    124Кешбэк 18 баллов
    STP5NK50ZMOSFET N-CH 500V 4.4A TO220AB
    357Кешбэк 53 балла
    STP11NK40ZFPMOSFET N-CH 400V 9A TO220FP
    515Кешбэк 77 баллов
    STP20NF20MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
    398Кешбэк 59 баллов
    STP20NM60FDMOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
    938Кешбэк 140 баллов
    STW9NK90ZТранзистор: MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3
    574Кешбэк 86 баллов
    STF26NM60NMOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
    776Кешбэк 116 баллов
    STP20NM60FPТранзистор: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
    773Кешбэк 115 баллов
    STP11NK50ZFPMOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
    508Кешбэк 76 баллов
    STH150N10F7-2MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
    754Кешбэк 113 баллов
    STP10NM60NMOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
    515Кешбэк 77 баллов
    STF2N80K5Транзистор: MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
    183Кешбэк 27 баллов
    STP5NK80ZMOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
    441Кешбэк 66 баллов
    STF43N60DM2MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
    794Кешбэк 119 баллов
    STP9NK65ZMOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB
    235Кешбэк 35 баллов
    STW13NK60ZMOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
    473Кешбэк 70 баллов
    STW10NK80ZMOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
    1 045Кешбэк 156 баллов
    STF18N55M5MOSFET N-CH 550V 16A TO220FP
    684Кешбэк 102 балла
    STP6NK90ZFPТранзистор: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220FP
    473Кешбэк 70 баллов
    STP9NK65ZFPMOSFET N-CH 650V 6.4A TO220FP
    339Кешбэк 50 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП