Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
MMBT2222A_R1_00001
  • В избранное
  • В сравнение
MMBT2222A_R1_00001

MMBT2222A_R1_00001

MMBT2222A_R1_00001
;
MMBT2222A_R1_00001

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Panjit International Inc.
  • Артикул:
    MMBT2222A_R1_00001
  • Описание:
    Транзистор: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23Все характеристики

Минимальная цена MMBT2222A_R1_00001 при покупке от 1 шт 28.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBT2222A_R1_00001 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBT2222A_R1_00001

MMBT2222A_R1_00001 Panjit International Inc. Транзистор: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Максимальное напряжение коллектора-эмиттера: 40В
    • Максимальный ток коллектора: 0.6А
    • Форм-фактор: SOT23
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер (SOT23)
    • Низкий уровень шума
  • Минусы:
    • Максимальный ток коллектора ограничен 0.6А
    • Минимальное напряжение базы-эмиттера может быть выше, чем у некоторых других типов транзисторов
  • Общее назначение:
    • Усилители сигнала
    • Цифровые логические схемы
    • Регуляторы напряжения
    • Измерительные приборы
  • В каких устройствах применяется:
    • Сотовые телефоны и другие мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Электронные часы и другие носимые устройства
    • Микросхемы и микроконтроллеры
Выбрано: Показать

Характеристики MMBT2222A_R1_00001

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    600 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    40 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1V @ 50mA, 500mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    10nA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 150mA, 10V
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23

Техническая документация

 MMBT2222A_R1_00001.pdf
pdf. 0 kb
  • 40681 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    28 ₽
  • 100
    10.2 ₽
  • 1000
    6.4 ₽
  • 6000
    4.7 ₽
  • 15000
    4.05 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Panjit International Inc.
  • Артикул:
    MMBT2222A_R1_00001
  • Описание:
    Транзистор: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23Все характеристики

Минимальная цена MMBT2222A_R1_00001 при покупке от 1 шт 28.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBT2222A_R1_00001 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBT2222A_R1_00001

MMBT2222A_R1_00001 Panjit International Inc. Транзистор: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Максимальное напряжение коллектора-эмиттера: 40В
    • Максимальный ток коллектора: 0.6А
    • Форм-фактор: SOT23
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер (SOT23)
    • Низкий уровень шума
  • Минусы:
    • Максимальный ток коллектора ограничен 0.6А
    • Минимальное напряжение базы-эмиттера может быть выше, чем у некоторых других типов транзисторов
  • Общее назначение:
    • Усилители сигнала
    • Цифровые логические схемы
    • Регуляторы напряжения
    • Измерительные приборы
  • В каких устройствах применяется:
    • Сотовые телефоны и другие мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Электронные часы и другие носимые устройства
    • Микросхемы и микроконтроллеры
Выбрано: Показать

Характеристики MMBT2222A_R1_00001

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    600 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    40 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1V @ 50mA, 500mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    10nA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 150mA, 10V
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23

Техническая документация

 MMBT2222A_R1_00001.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SC5617-T3-AТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
    161Кешбэк 24 балла
    HAT1128R01-EL-E6A, 60V, 0.085OHM, 2-ELEMENT, P
    432Кешбэк 64 балла
    H5N2521FN-E-ARPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    239Кешбэк 35 баллов
    2SB1091POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
    367Кешбэк 55 баллов
    2SB861CPOWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
    293Кешбэк 43 балла
    2SB1151-S1-AZPOWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
    246Кешбэк 36 баллов
    2SB1093-AZSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
    367Кешбэк 55 баллов
    UPA2003C-AТранзистор: NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON
    272Кешбэк 40 баллов
    2SD864KPOWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3A, 12
    339Кешбэк 50 баллов
    2SB955K-EPOWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
    484Кешбэк 72 балла
    2SD1133C-EPOWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
    263Кешбэк 39 баллов
    2SD476KC-EPOWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
    343Кешбэк 51 балл
    2SA1441(016)-S6-AZPOWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
    382Кешбэк 57 баллов
    2SB858C-EPOWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
    350Кешбэк 52 балла
    2SD1614-AZPOWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
    76Кешбэк 11 баллов
    2SB857C-EPOWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
    389Кешбэк 58 баллов
    2SB860-EДиод: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
    287Кешбэк 43 балла
    2SC3568(1)-S6-AZPOWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
    421Кешбэк 63 балла
    2SD2337C-EPOWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
    339Кешбэк 50 баллов
    UPA2001C-AТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    352Кешбэк 52 балла
    2SB1032K-EPOWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
    700Кешбэк 105 баллов
    RJP63K2DPP-MZ#T2DISCTRETE / POWER TRANSISTOR
    506Кешбэк 75 баллов
    2SD1436K-EPOWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
    732Кешбэк 109 баллов
    H5N2305P-EPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    1 530Кешбэк 229 баллов
    2SD991KPOWER BIPOLAR TRANSISTOR
    836Кешбэк 125 баллов
    BC807-40TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    S8550TRANS PNP 25V 0.5A SOT23
    33.3Кешбэк 4 балла
    BC857CТранзистор: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
    20.4Кешбэк 3 балла
    BC847CТранзистор: NOW NEXPERIA BC847C - SMALL SIGN
    18.5Кешбэк 2 балла
    BC807-25Транзистор: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП