Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
MMBT2907ALT1XT

MMBT2907ALT1XT

MMBT2907ALT1XT
;
MMBT2907ALT1XT

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена MMBT2907ALT1XT при покупке от 1 шт 67.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBT2907ALT1XT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBT2907ALT1XT

MMBT2907ALT1XT Infineon Technologies SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

  • Основные параметры:
    • Рейтинг по напряжению коллектора-;base-emitter (VCEO): 40 В
    • Рейтинг по напряжению базы-;base-collector (VBE): 5 В
    • Рейтинг по току коллектора (IC(max)): 300 мА
    • Рейтинг по току базы (IB(max)): 15 мА
    • Диэлектрическая прочность между базой и эмиттером (VEB): 50 В
    • Диэлектрическая прочность между базой и коллектором (VBC): 50 В
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность характеристик
    • Малый размер и легкость в установке
    • Низкий уровень шума и импульсной нагрузки
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Небольшой ток коллектора ограничивает область применения
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Усилители сигналов
    • Схемы предварительного усиления
    • Цифровые схемы
    • Аудио и радиосхемы
  • В каких устройствах применяется:
    • Музыкальные аппараты
    • Телевизоры
    • Компьютеры
    • Автомобильные системы
    • Профессиональное оборудование для аудио и видео
Выбрано: Показать

Характеристики MMBT2907ALT1XT

  • Package
    Bulk
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    600 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    60 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.6V @ 50mA, 500mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    10nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 150mA, 10V
  • Рассеивание мощности
    330 mW
  • Трансформация частоты
    200MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT23
  • 73385 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    67 ₽
  • 100
    29 ₽
  • 1000
    15.2 ₽
  • 6000
    11.7 ₽
  • 24000
    9.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена MMBT2907ALT1XT при покупке от 1 шт 67.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBT2907ALT1XT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBT2907ALT1XT

MMBT2907ALT1XT Infineon Technologies SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

  • Основные параметры:
    • Рейтинг по напряжению коллектора-;base-emitter (VCEO): 40 В
    • Рейтинг по напряжению базы-;base-collector (VBE): 5 В
    • Рейтинг по току коллектора (IC(max)): 300 мА
    • Рейтинг по току базы (IB(max)): 15 мА
    • Диэлектрическая прочность между базой и эмиттером (VEB): 50 В
    • Диэлектрическая прочность между базой и коллектором (VBC): 50 В
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность характеристик
    • Малый размер и легкость в установке
    • Низкий уровень шума и импульсной нагрузки
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Небольшой ток коллектора ограничивает область применения
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Усилители сигналов
    • Схемы предварительного усиления
    • Цифровые схемы
    • Аудио и радиосхемы
  • В каких устройствах применяется:
    • Музыкальные аппараты
    • Телевизоры
    • Компьютеры
    • Автомобильные системы
    • Профессиональное оборудование для аудио и видео
Выбрано: Показать

Характеристики MMBT2907ALT1XT

  • Package
    Bulk
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    600 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    60 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.6V @ 50mA, 500mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    10nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 150mA, 10V
  • Рассеивание мощности
    330 mW
  • Трансформация частоты
    200MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT23

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории