Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные
MMBT5551LT3G
  • В избранное
  • В сравнение
MMBT5551LT3G

MMBT5551LT3G

MMBT5551LT3G
;
MMBT5551LT3G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MMBT5551LT3G
  • Описание:
    TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена MMBT5551LT3G при покупке от 1 шт 28.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBT5551LT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBT5551LT3G

MMBT5551LT3G onsemi TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение вCollector-Emitter (VCEO): 160В
    • Ток вCollector (IC): 0.6А
    • Пакет: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый размер пакета
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Устойчивость к шумам
  • Минусы:
    • Максимальный ток вCollector ограничено
    • Требует дополнительных компонентов для некоторых приложений
  • Общее назначение:
    • Используется в цифровых и аналоговых электронных устройствах
    • Подходит для управляющих цепей
    • Применяется в системах управления скоростью моторов
    • Используется в драйверах нагрузок
  • В каких устройствах применяется:
    • Микроконтроллерные системы
    • Автомобильные системы управления
    • Пульты дистанционного управления
    • Электронные часы и другие небольшие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики MMBT5551LT3G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    600 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    160 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    200mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    MMBT5551

Техническая документация

 MMBT5551LT3G.pdf
pdf. 0 kb
  • 25846 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    28 ₽
  • 100
    10.8 ₽
  • 1000
    6.8 ₽
  • 5000
    5.1 ₽
  • 20000
    4.1 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MMBT5551LT3G
  • Описание:
    TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена MMBT5551LT3G при покупке от 1 шт 28.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBT5551LT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBT5551LT3G

MMBT5551LT3G onsemi TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение вCollector-Emitter (VCEO): 160В
    • Ток вCollector (IC): 0.6А
    • Пакет: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый размер пакета
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Устойчивость к шумам
  • Минусы:
    • Максимальный ток вCollector ограничено
    • Требует дополнительных компонентов для некоторых приложений
  • Общее назначение:
    • Используется в цифровых и аналоговых электронных устройствах
    • Подходит для управляющих цепей
    • Применяется в системах управления скоростью моторов
    • Используется в драйверах нагрузок
  • В каких устройствах применяется:
    • Микроконтроллерные системы
    • Автомобильные системы управления
    • Пульты дистанционного управления
    • Электронные часы и другие небольшие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики MMBT5551LT3G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    600 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    160 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    200mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    MMBT5551

Техническая документация

 MMBT5551LT3G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MJL4281AGTRANS NPN 350V 15A TO264
    1 315Кешбэк 197 баллов
    TIP147TТранзистор: TRANS PNP DARL 100V 10A TO220
    148Кешбэк 22 балла
    2DD1664Q-13TRANS NPN 32V 1A SOT89-3
    119Кешбэк 17 баллов
    TIP111GTRANS NPN DARL 80V 2A TO220
    269Кешбэк 40 баллов
    2N5878PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
    2 490Кешбэк 373 балла
    2N3439UATRANS NPN 350V 1A
    9 226Кешбэк 1 383 балла
    MJD44H11GТранзистор: TRANS NPN 80V 8A DPAK
    255Кешбэк 38 баллов
    MJD45H11-1GTRANS PNP 80V 8A IPAK
    309Кешбэк 46 баллов
    JAN2N2222AUBТранзистор: TRANS NPN 50V 0.8A UB
    1 866Кешбэк 279 баллов
    BUL416TRANS NPN 800V 6A TO220
    1 112Кешбэк 166 баллов
    PHPT60606PYXTRANS PNP 60V 6A LFPAK56 PWRSO8
    176Кешбэк 26 баллов
    BSR14,215TRANS NPN 40V 0.8A TO236AB
    83Кешбэк 12 баллов
    TIP31AGТранзистор: TRANS NPN 60V 3A TO220
    255Кешбэк 38 баллов
    2N3773GТранзистор: TRANS NPN 140V 16A TO204
    1 213Кешбэк 181 балл
    MJL21193GTRANS PNP 250V 16A TO264
    1 099Кешбэк 164 балла
    2SD2211T100QTRANS NPN 160V 1.5A MPT3
    233Кешбэк 34 балла
    PBSS301NX,115TRANS NPN 12V 5.3A SOT89
    207Кешбэк 31 балл
    BD242CGTRANS PNP 100V 3A TO220
    200Кешбэк 30 баллов
    FJP13007H2TUTRANS NPN 400V 8A TO220-3
    365Кешбэк 54 балла
    2SD2537T100VTRANS NPN 25V 1.2A MPT3
    230Кешбэк 34 балла
    MJW21193TRANS PNP 250V 16A TO247-3
    2 144Кешбэк 321 балл
    2PA1774S,115TRANS PNP 50V 0.15A SC75
    10.8Кешбэк 1 балл
    PZTA92,115TRANS PNP 300V 0.1A SOT223
    150Кешбэк 22 балла
    BSP43,115TRANS NPN 80V 1A SOT223
    146Кешбэк 21 балл
    FJP13009H2TUTRANS NPN 400V 12A TO220-3
    400Кешбэк 60 баллов
    JANTX2N3868TRANS PNP 60V 0.003A TO5
    4 650Кешбэк 697 баллов
    2N3019STRANS NPN 80V 1A TO39
    3 792Кешбэк 568 баллов
    MPS6515TRANS NPN 25V 0.2A TO92-3
    26Кешбэк 3 балла
    BC849B-TPTRANS NPN 30V 0.1A SOT23
    37Кешбэк 5 баллов
    MJ11022GTRANS NPN DARL 250V 15A TO204
    1 838Кешбэк 275 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Драйверы питания - Модули
    Принадлежности
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - JFET
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП