Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные биполярные транзисторы
MMBT918LT1G
  • В избранное
  • В сравнение
MMBT918LT1G

MMBT918LT1G

MMBT918LT1G
;
MMBT918LT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MMBT918LT1G
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена MMBT918LT1G при покупке от 1 шт 20.40 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBT918LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBT918LT1G

MMBT918LT1G onsemi Транзистор: RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: RF NPN транзистор
    • Номинальное напряжение коллектора-;base: 15В
    • Номинальная частота: 600МГц
    • Пакет: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения для радиочастотных приложений
    • Малый размер пакета (SOT23-3)
    • Устойчивость к высоким частотам
  • Минусы:
    • Могут быть ограничения по мощности при использовании на высоких частотах
    • Требуют точного регулирования напряжения питания
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных схемах
    • Аmplification радиосигналов
    • Контрольные цепи
  • Применение:
    • Радиоприемники
    • Сотовые телефоны
    • Беспроводные устройства
    • Локаторы
    • Датчики и системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики MMBT918LT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    15V
  • Трансформация частоты
    600MHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    6dB @ 60MHz
  • Усиление
    11dB
  • Рассеивание мощности
    225mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    20 @ 3mA, 1V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    MMBT918

Техническая документация

 MMBT918LT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 23780 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    20.4 ₽
  • 100
    8.7 ₽
  • 1000
    7.8 ₽
  • 6000
    6.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MMBT918LT1G
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена MMBT918LT1G при покупке от 1 шт 20.40 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBT918LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBT918LT1G

MMBT918LT1G onsemi Транзистор: RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: RF NPN транзистор
    • Номинальное напряжение коллектора-;base: 15В
    • Номинальная частота: 600МГц
    • Пакет: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения для радиочастотных приложений
    • Малый размер пакета (SOT23-3)
    • Устойчивость к высоким частотам
  • Минусы:
    • Могут быть ограничения по мощности при использовании на высоких частотах
    • Требуют точного регулирования напряжения питания
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных схемах
    • Аmplification радиосигналов
    • Контрольные цепи
  • Применение:
    • Радиоприемники
    • Сотовые телефоны
    • Беспроводные устройства
    • Локаторы
    • Датчики и системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики MMBT918LT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    15V
  • Трансформация частоты
    600MHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    6dB @ 60MHz
  • Усиление
    11dB
  • Рассеивание мощности
    225mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    20 @ 3mA, 1V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    MMBT918

Техническая документация

 MMBT918LT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BFU910FXТранзистор: RF TRANS NPN 9.5V SOT343F
    69Кешбэк 10 баллов
    BFU550XARТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
    89Кешбэк 13 баллов
    BFU530ARТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
    94Кешбэк 14 баллов
    BFU760F,115Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4DFP
    159Кешбэк 23 балла
    BFU520YXТранзистор: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
    161Кешбэк 24 балла
    BFU730F,115Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP
    189Кешбэк 28 баллов
    BFU630F,115Транзистор: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
    220Кешбэк 33 балла
    BFU790F,115Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 25GHZ 4DFP
    283Кешбэк 42 балла
    2SC4713KT146RТранзистор: RF TRANS NPN 6V 800MHZ SMT3
    43Кешбэк 6 баллов
    2SC4618TLNТранзистор: RF TRANS NPN 25V 300MHZ EMT3
    48Кешбэк 7 баллов
    MT3S16U(TE85L,F)Транзистор: RF TRANS NPN 5V 4GHZ USM
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BFU550WFТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
    95Кешбэк 14 баллов
    BFU725F/N1,115Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO
    169Кешбэк 25 баллов
    HFA3102BZТранзистор: RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC
    1 575Кешбэк 236 баллов
    HFA3096BZТранзистор: RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC
    2 305Кешбэк 345 баллов
    HFA3046BZТранзистор: RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC
    2 408Кешбэк 361 балл
    HFA3135IHZ96Транзистор: RF TRANS 2 PNP 9V 7GHZ SOT23-6
    2 414Кешбэк 362 балла
    MAX2601ESA+Транзистор: RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC
    1 877Кешбэк 281 балл
    MAX2602ESA+Транзистор: RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC
    2 027Кешбэк 304 балла
    2SC5013-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    54Кешбэк 8 баллов
    2SC5751-T2-AТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    76Кешбэк 11 баллов
    2SC5750-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    85Кешбэк 12 баллов
    HSG1002VE-TL-EТранзистор: RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN
    96Кешбэк 14 баллов
    2SC4957-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    98Кешбэк 14 баллов
    UPA802T-T1-AТранзистор: RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363
    104Кешбэк 15 баллов
    2SC5752-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    196Кешбэк 29 баллов
    HFA3134IHZ96Транзистор: RF TRANS 2 NPN 9V 8.5GHZ SOT23-6
    1 449Кешбэк 217 баллов
    HFA3096BZ96Транзистор: RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC
    2 042Кешбэк 306 баллов
    HFA3127BZТранзистор: RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC
    2 636Кешбэк 395 баллов
    CA3127MZТранзистор: RF TRANS 5NPN 15V 1.15GHZ 16SOIC
    3 728Кешбэк 559 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды силовые
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП