Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
MMDF3N02HDR2

MMDF3N02HDR2

MMDF3N02HDR2
;
MMDF3N02HDR2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена MMDF3N02HDR2 при покупке от 10 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMDF3N02HDR2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMDF3N02HDR2

MMDF3N02HDR2 наsemi MOSFET N-канальный:

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала VDS(on): 20 В
    • Номинальный ток прямого тока ID: 3.8 А
    • Количество пинов: 8
    • Форм-фактор: SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый динамический трение (RDson)
    • Устойчивость к перегреву
    • Простота применения в схемах
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с аналогами
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Активное применение в источниках питания
    • Изготовление инверторов напряжения
    • Регулировка частоты и амплитуды сигнала
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электроприборы
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Портативные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики MMDF3N02HDR2

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.8A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90mOhm @ 3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    630 pF @ 16 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    MMDF3

Техническая документация

MMDF3N02HDR2.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 10 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена MMDF3N02HDR2 при покупке от 10 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMDF3N02HDR2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMDF3N02HDR2

MMDF3N02HDR2 наsemi MOSFET N-канальный:

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала VDS(on): 20 В
    • Номинальный ток прямого тока ID: 3.8 А
    • Количество пинов: 8
    • Форм-фактор: SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый динамический трение (RDson)
    • Устойчивость к перегреву
    • Простота применения в схемах
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с аналогами
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Активное применение в источниках питания
    • Изготовление инверторов напряжения
    • Регулировка частоты и амплитуды сигнала
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электроприборы
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Портативные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики MMDF3N02HDR2

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.8A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90mOhm @ 3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    630 pF @ 16 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    MMDF3

Техническая документация

MMDF3N02HDR2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 10 шт