MMFT1N10ET3 от 33.3 ₽ доступно 4000 шт onsemi

MMFT1N10ET3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
onsemi
Артикул:
MMFT1N10ET3
Описание:
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена MMFT1N10ET3 при покупке от 1680 шт 33.30 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMFT1N10ET3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMFT1N10ET3

MMFT1N10ET3 — это низкочастотный н-канальный MOSFET (MOSFET N-канального типа). Производитель On Semiconductor.

Основные параметры:

V_GS(th) = 2.5 V — пороговое напряжение вдоль канала.
I_D(on) = 1.4 A — максимальный ток при проходящем напряжении 10 V.
R_DS(on) = 3 mΩ — сопротивление вдоль канала при рабочем токе.
V_DS(max) = 100 V — максимально допустимое напряжение между дrain и source.
I_DS(max) = 1.4 A — максимально допустимый ток.

Плюсы:

Низкий сопротивление вдоль канала, что обеспечивает малую потери энергии.

Малый размер и легкость, что удобно для компактных устройств.

Высокая скорость переключения благодаря низкому времени задержки.

Прочность на высокие напряжения.

Минусы:

Высокие цены по сравнению с транзисторами других типов.

Необходимо учитывать термические эффекты при длительной работе под нагрузкой.

Общее назначение:

Использование в цифровых и аналоговых схемах.

Переключение цифровых сигналов.

Регулирование напряжений.

Изоляция источников питания.

В каких устройствах применяется:

Устройства с цифровыми контроллерами.

Автомобильные системы.

Электронные блоки питания.

Мобильные устройства.

Инверторы и преобразователи.

Выбрать все
Выбрано: Показать

Характеристики MMFT1N10ET3

4000 шт
3-6 недель

Минимально и кратно 1680 шт

Количество
Цена
1680
33.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
onsemi
Артикул:
MMFT1N10ET3
Описание:
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETВсе характеристики

Описание MMFT1N10ET3

MMFT1N10ET3 — это низкочастотный н-канальный MOSFET (MOSFET N-канального типа). Производитель On Semiconductor.

Основные параметры:

V_GS(th) = 2.5 V — пороговое напряжение вдоль канала.
I_D(on) = 1.4 A — максимальный ток при проходящем напряжении 10 V.
R_DS(on) = 3 mΩ — сопротивление вдоль канала при рабочем токе.
V_DS(max) = 100 V — максимально допустимое напряжение между дrain и source.
I_DS(max) = 1.4 A — максимально допустимый ток.

Плюсы:

Выбрать все
Выбрано: Показать

MMFT1N10ET3

MMFT1N10ET3

Описание MMFT1N10ET3

Характеристики MMFT1N10ET3

Описание MMFT1N10ET3

Характеристики MMFT1N10ET3

Похожие товары

Похожие категории