Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
MMIX1X200N60B3H1

MMIX1X200N60B3H1

MMIX1X200N60B3H1
;
MMIX1X200N60B3H1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена MMIX1X200N60B3H1 при покупке от 1 шт 8543.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMIX1X200N60B3H1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMIX1X200N60B3H1

MMIX1X200N60B3H1 IXYS Транзистор: IGBT 600В 175А 520Вт SMPD

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение блокировки: 600В
    • Рейтингный ток: 175А
    • Мощность: 520Вт
    • Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
    • Стандарт: SMPD (Surface Mount Power Device)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Низкий сопротивление перехода
    • Высокая надежность
    • Малый размер и вес за счет Surface Mount Technology
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется дополнительное охлаждение для достижения максимальной мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных преобразователях частоты
    • Применение в системах управления двигателей
    • Работа в источниках питания
    • Подключение к сети переменного тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные приводы
    • Системы энергоснабжения
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики MMIX1X200N60B3H1

Техническая документация

MMIX1X200N60B3H1.pdf
pdf. 0 kb
  • 200 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    8 543 ₽
  • 20
    5 997 ₽
  • 100
    5 980 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена MMIX1X200N60B3H1 при покупке от 1 шт 8543.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMIX1X200N60B3H1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMIX1X200N60B3H1

MMIX1X200N60B3H1 IXYS Транзистор: IGBT 600В 175А 520Вт SMPD

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение блокировки: 600В
    • Рейтингный ток: 175А
    • Мощность: 520Вт
    • Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
    • Стандарт: SMPD (Surface Mount Power Device)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Низкий сопротивление перехода
    • Высокая надежность
    • Малый размер и вес за счет Surface Mount Technology
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется дополнительное охлаждение для достижения максимальной мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных преобразователях частоты
    • Применение в системах управления двигателей
    • Работа в источниках питания
    • Подключение к сети переменного тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные приводы
    • Системы энергоснабжения
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики MMIX1X200N60B3H1

Техническая документация

MMIX1X200N60B3H1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории