Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
MMRF5017HSR5
MMRF5017HSR5

MMRF5017HSR5

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    MMRF5017HSR5
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 50V NI400S-2SВсе характеристики

Минимальная цена MMRF5017HSR5 при покупке от 1 шт 145501.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMRF5017HSR5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MMRF5017HSR5

  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    30MHz ~ 2.2GHz
  • Усиление
    18.4dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    200 mA
  • Мощность передачи
    125W
  • Нормальное напряжение
    150 V
  • Корпус
    NI-400S-2S
  • Исполнение корпуса
    NI-400S-2S
  • Base Product Number
    MMRF5017
Техническая документация
 MMRF5017HSR5.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1251 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    145 501 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    MMRF5017HSR5
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 50V NI400S-2SВсе характеристики

Минимальная цена MMRF5017HSR5 при покупке от 1 шт 145501.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMRF5017HSR5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MMRF5017HSR5

  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    30MHz ~ 2.2GHz
  • Усиление
    18.4dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    200 mA
  • Мощность передачи
    125W
  • Нормальное напряжение
    150 V
  • Корпус
    NI-400S-2S
  • Исполнение корпуса
    NI-400S-2S
  • Base Product Number
    MMRF5017
Техническая документация
 MMRF5017HSR5.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF0910H9LS600JТранзистор: BLF0910H9LS600/SOT502/REEL
    CPH3337-T-TL-EPCH 2.5V DRIVE SERIES
    IGN2729M400R2Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND
    PTVA101K02EV-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-36275-4
    CE3520K3-C1Транзистор: RF FET 4V 20GHZ 4MICROX
    IGN1011L70Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    CPH3449-TL-ENCH 2.5V DRIVE SERIES
    MRFX035HR5Транзистор: TRANS LDMOS 35W 512 MHZ 65V
    MCH3319-TL-EPCH 1.8V DRIVE SERIES
    RF2L36075CF2Транзистор: 75 W, 28 V, 3.1 TO 3.6 GHZ RF PO
    BLC10G27LS-320AVTZТранзистор: BLC10G27LS-320AV/SOT1258/TRAYD
    CPH3426-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    CG2H80045D-GP4Транзистор: 45W, GAN HEMT, 28V, DC-8.0GHZ, B
    HIP5010ISМикросхема: COMPLEMENTARY DRIVE HALF-BRIDGE
    TAV2-501+Транзистор: SMT LOW NOISE AMPLIFIER, 400 - 3
    BLF189XRBSUТранзистор: RF MOSFET SOT539 TRAY
    CGHV50200FТранзистор: RF MOSFET HEMT 40V 440217
    BLS9G2735L-50UТранзистор: RF MOSFET SOT1135A
    AFM907NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN
    SCH2308-TL-EТранзистор: PCH+PCH 1.8V DRIVE SERIES
    2SK2534-TL-ENCH 10V DRIVE SERIES
    WP2806015UHТранзистор: RF GaN HEMT 28V DC ~ 6GHZ,15W
    94-2402Транзистор: IRF530 - 400V HEXFET, N-CHANNEL
    NE3515S02-T1D-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    C4H27W400AVZТранзистор: C4H27W400AVZ/SOT1275/TRAYD
    BFL4037-SNCH 10V DRIVE SERIES
    ART35FEUТранзистор: ART35FE/SOT467/TRAY
    CPH6314-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    2N5639RLRAТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    BLP15H9S30GZТранзистор: BLP15H9S30G/SOT1483/REELDP

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды силовые
    Симисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП