MMSF4N01HDR2

Маркировка MMSF4N01HDR2, производитель ON Semiconductor

• Тип: Низкочастотный ненаправленный N-канальный MOSFET малого сигнала
• Рейтингный ток: 4 А
• Рейтингное напряжение: 60 В
• Температурная характеристика: 150°C
• Параметр VGS(th): 3.0 - 4.5 В
• Параметр RDS(on) (VGS = 10 В): 25 мОм
• Объемный размер: 3 мм x 3 мм x 0.95 мм

Плюсы:

• Низкое значение RDS(on)
• Высокая надежность
• Малый размер и вес
• Высокая скорость переключения
• Простота применения

Минусы:

• Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
• Требует правильного проектирования для предотвращения повреждений при переключении

Общее назначение:

• Использование в источниках питания
• Управление нагрузками в электронных устройствах
• Переключение высоковольтных и высокоточных сигналов
• Использование в системах управления двигателей

В каких устройствах применяется:

• Системы управления двигателей
• Источники питания
• Электронные устройства бытовой техники
• Автомобильные системы
• Компьютерное оборудование