Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
MMUN2131LT1G
  • В избранное
  • В сравнение
MMUN2131LT1G

MMUN2131LT1G

MMUN2131LT1G
;
MMUN2131LT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MMUN2131LT1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена MMUN2131LT1G при покупке от 1 шт 25.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMUN2131LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMUN2131LT1G

MMUN2131LT1G ON SEMICONDUCTOR Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: PNP
    • Номинальное напряжение между коллектором и эмиттером: 50В
    • Пакет: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение
    • Компактный размер пакета (SOT23-3)
    • Устойчивость к перегреву благодаря предварительному подпитке (prebias)
  • Минусы:
    • Высокие требования к теплоотводу из-за предварительной подпитки
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах предварительного подпитки (prebias) для улучшения стабильности работы
    • Применение в высоковольтных цепях
    • Работа в режиме управляющего транзистора
  • В каких устройствах применяется:
    • Аудиосистемы
    • Диодные мосты
    • Радиоприемники
    • Телевизионные приемники
Выбрано: Показать

Характеристики MMUN2131LT1G

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    2.2 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    8 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    246 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    MMUN2131

Техническая документация

 MMUN2131LT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 317 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    25 ₽
  • 10
    16.7 ₽
  • 500
    6 ₽
  • 3000
    4.35 ₽
  • 15000
    3.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MMUN2131LT1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена MMUN2131LT1G при покупке от 1 шт 25.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMUN2131LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMUN2131LT1G

MMUN2131LT1G ON SEMICONDUCTOR Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: PNP
    • Номинальное напряжение между коллектором и эмиттером: 50В
    • Пакет: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение
    • Компактный размер пакета (SOT23-3)
    • Устойчивость к перегреву благодаря предварительному подпитке (prebias)
  • Минусы:
    • Высокие требования к теплоотводу из-за предварительной подпитки
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах предварительного подпитки (prebias) для улучшения стабильности работы
    • Применение в высоковольтных цепях
    • Работа в режиме управляющего транзистора
  • В каких устройствах применяется:
    • Аудиосистемы
    • Диодные мосты
    • Радиоприемники
    • Телевизионные приемники
Выбрано: Показать

Характеристики MMUN2131LT1G

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    2.2 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    8 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    246 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    MMUN2131

Техническая документация

 MMUN2131LT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MUN2212T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
    29.6Кешбэк 4 балла
    BCR135WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
    9.3Кешбэк 1 балл
    DDTD123TC-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    48Кешбэк 7 баллов
    RN1402,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
    35Кешбэк 5 баллов
    PDTC115TM,315Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006-3
    56Кешбэк 8 баллов
    DTC113EET1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75
    29.6Кешбэк 4 балла
    DTC143TKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    43Кешбэк 6 баллов
    PDTA143XT,215Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
    22.2Кешбэк 3 балла
    PDTC143EMB,315Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
    54Кешбэк 8 баллов
    PDTC124XMB,315Транзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
    54Кешбэк 8 баллов
    MUN2216T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
    33.3Кешбэк 4 балла
    PDTC114YM,315Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    PDTC114EU,135Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
    29.6Кешбэк 4 балла
    PDTA143ZM,315Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006-3
    52Кешбэк 7 баллов
    PDTA114EM,315Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC115TET1GТранзистор
    35Кешбэк 5 баллов
    PDTC124TT,215Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
    29.6Кешбэк 4 балла
    NSVMUN2237T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.23W SC59
    41Кешбэк 6 баллов
    MUN5241T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
    29.6Кешбэк 4 балла
    PDTA144EM,315Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006-3
    56Кешбэк 8 баллов
    NSVMMUN2131LT1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
    31.5Кешбэк 4 балла
    DDTC125TCA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    24Кешбэк 3 балла
    SMUN5215T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
    35Кешбэк 5 баллов
    MUN5115T1Транзистор
    13Кешбэк 1 балл
    RN2102,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    33.3Кешбэк 4 балла
    MMUN2135LT1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    SMUN5112T1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
    35Кешбэк 5 баллов
    DTA114GUAT106Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
    19Кешбэк 2 балла
    RN1302,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
    43Кешбэк 6 баллов
    NSVMUN5237T1GТранзистор: TRANS NPN 50V BIPOLAR SC70-3
    35Кешбэк 5 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП