Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
MMUN2213LT1G
  • В избранное
  • В сравнение
MMUN2213LT1G

MMUN2213LT1G

MMUN2213LT1G
;
MMUN2213LT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MMUN2213LT1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена MMUN2213LT1G при покупке от 1 шт 24.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMUN2213LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMUN2213LT1G

MMUN2213LT1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальный напряжение коллектора-;base: 50В
    • Номинальная мощность: 225mW
    • Тип пакета: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Компактный размер (пакет SOT23-3)
    • Высокое значение номинальной мощности для своего размера
    • Низкий уровень шума при работе
    • Высокая скорость перехода
  • Минусы:
    • Небольшой размер может ограничивать теплоотвод
    • Требуется предварительное питание для правильной работы
  • Общее назначение:
    • Усиление сигналов
    • Переключение логических уровней
    • Импульсные преобразования
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Периферийное оборудование
    • Импульсные источники питания
    • Автомобильные системы
    • Логические блоки
Выбрано: Показать

Характеристики MMUN2213LT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    246 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    MMUN2213

Техническая документация

 MMUN2213LT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 31600 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    24 ₽
  • 100
    9.6 ₽
  • 1000
    6.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MMUN2213LT1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена MMUN2213LT1G при покупке от 1 шт 24.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMUN2213LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMUN2213LT1G

MMUN2213LT1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальный напряжение коллектора-;base: 50В
    • Номинальная мощность: 225mW
    • Тип пакета: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Компактный размер (пакет SOT23-3)
    • Высокое значение номинальной мощности для своего размера
    • Низкий уровень шума при работе
    • Высокая скорость перехода
  • Минусы:
    • Небольшой размер может ограничивать теплоотвод
    • Требуется предварительное питание для правильной работы
  • Общее назначение:
    • Усиление сигналов
    • Переключение логических уровней
    • Импульсные преобразования
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Периферийное оборудование
    • Импульсные источники питания
    • Автомобильные системы
    • Логические блоки
Выбрано: Показать

Характеристики MMUN2213LT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    246 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    MMUN2213

Техническая документация

 MMUN2213LT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DTC143EETLТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
    59Кешбэк 8 баллов
    SDTC114YET1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75
    35Кешбэк 5 баллов
    DTC123JET1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75
    29.6Кешбэк 4 балла
    BCR505E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3
    61Кешбэк 9 баллов
    MUN5234T1GТранзистор
    3.7Кешбэк 1 балл
    DTC124XET1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    PDTC114TU,115Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
    29.6Кешбэк 4 балла
    PDTC143TE,115Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
    11.1Кешбэк 1 балл
    PDTC124XU,115Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
    26Кешбэк 3 балла
    PDTB113EUXТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 0.425W
    20.4Кешбэк 3 балла
    DTA114TET1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    DTC114TET1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    PDTA114YM,315Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006-3
    13Кешбэк 1 балл
    NSBC114EF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
    63Кешбэк 9 баллов
    DTA143ZM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
    48Кешбэк 7 баллов
    BCR166E6433HTMA1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    9.3Кешбэк 1 балл
    PDTB114EQAZТранзистор
    20.4Кешбэк 3 балла
    PDTD123EUFТранзистор
    22.2Кешбэк 3 балла
    PDTC123EMB,315Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3
    14.8Кешбэк 2 балла
    PDTC144WE,115Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
    11.1Кешбэк 1 балл
    DTC114TM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
    65Кешбэк 9 баллов
    DTA144EET1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    PDTC123YU,115Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
    26Кешбэк 3 балла
    DTC114YM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
    52Кешбэк 7 баллов
    PDTB123TT,215Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
    50Кешбэк 7 баллов
    DDTC143EE-7Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
    27.4Кешбэк 4 балла
    PBRP123ET,215Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB
    54Кешбэк 8 баллов
    MMUN2215LT1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
    27Кешбэк 4 балла
    NSVDTA114EET1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75
    18.5Кешбэк 2 балла
    MUN5237T1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
    6.3Кешбэк 1 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Триодные тиристоры - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП