Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
MRF13750HR5
MRF13750HR5

MRF13750HR5

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    MRF13750HR5
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-1230Все характеристики

Минимальная цена MRF13750HR5 при покупке от 1 шт 188247.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF13750HR5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MRF13750HR5

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual)
  • Частота
    700MHz ~ 1.3GHz
  • Усиление
    20.6dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    10µA
  • Мощность передачи
    650W
  • Нормальное напряжение
    105 V
  • Корпус
    SOT-979A
  • Исполнение корпуса
    NI-1230-4H
  • Base Product Number
    MRF13750
Техническая документация
 MRF13750HR5.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 50 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    188 247 ₽
  • 10
    166 705 ₽
  • 50
    158 091 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    MRF13750HR5
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-1230Все характеристики

Минимальная цена MRF13750HR5 при покупке от 1 шт 188247.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF13750HR5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MRF13750HR5

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual)
  • Частота
    700MHz ~ 1.3GHz
  • Усиление
    20.6dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    10µA
  • Мощность передачи
    650W
  • Нормальное напряжение
    105 V
  • Корпус
    SOT-979A
  • Исполнение корпуса
    NI-1230-4H
  • Base Product Number
    MRF13750
Техническая документация
 MRF13750HR5.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF0910H9LS750PUТранзистор: BLF0910H9LS750P/SOT539/TRAY
    30 953Кешбэк 4 642 балла
    PTVA101K02EV-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-36275-4
    153 917Кешбэк 23 087 баллов
    CPH5846-TL-EPCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES
    37Кешбэк 5 баллов
    MWT-5FТранзистор: GAAS MESFET
    13 040Кешбэк 1 956 баллов
    CLF3H0060S-30UТранзистор: CLF3H0060S-30U/SOT1227/TRAY
    47 959Кешбэк 7 193 балла
    BLC9H10XS-60PZТранзистор: BLC9H10XS-60P/SOT1273/TRAYDP
    9 977Кешбэк 1 496 баллов
    BLF989EUТранзистор: BLF989E/SOT539/TRAY
    48 125Кешбэк 7 218 баллов
    2SK1069-4-TL-EN-CHANNEL JUNCTION SILICON FET
    318Кешбэк 47 баллов
    CPH6316-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    52Кешбэк 7 баллов
    CGH27030SТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 12DFN
    17 214Кешбэк 2 582 балла
    BLM10D3438-35ABZBLM10D3438-35AB/SOT1462/REELDP
    4 300Кешбэк 645 баллов
    2SK3819-DL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    262Кешбэк 39 баллов
    ECH8301-TL-EP CHANNEL SILICON MOS FET
    62Кешбэк 9 баллов
    GTRA384802FC-V1-R0Транзистор: GAN HEMT 48V 480W 3800MHZ
    54 878Кешбэк 8 231 балл
    BLP9H10S-500AWTYТранзистор: BLP9H10S-500AWT/OMP-780/REELDP
    10 603Кешбэк 1 590 баллов
    2SK3984-ZK-E1-AZSMALL SIGNAL FET
    198Кешбэк 29 баллов
    SCH1305-TL-EPCH 1.8V DRIVE SERIES
    15Кешбэк 2 балла
    2SJ266-DL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    226Кешбэк 33 балла
    74CBTLV3126PWRМикросхема: IC LV QUAD FET BUS SW 14-TSSOP
    136Кешбэк 20 баллов
    CG2H80060D-GP4Транзистор: RF DISCRETE
    28 070Кешбэк 4 210 баллов
    BLP0408H9S30ZТранзистор: BLP0408H9S30/SOT1482/REELDP
    6 835Кешбэк 1 025 баллов
    WP28007025Транзистор: RF GaN HEMT 28V DIE DC~7GHZ, 25W
    15 743Кешбэк 2 361 балл
    ASC2979CDRIVER AMPLIFIER
    199 502Кешбэк 29 925 баллов
    CGHV31500F1Транзистор: 500W, 50V, 2.7-3.1GHZ GAN HEMT
    259 780Кешбэк 38 967 баллов
    BLF578XR,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539A
    83 473Кешбэк 12 520 баллов
    MRF24300NR3Транзистор: RF MOSFET LDMOS 32V OM780-2
    3 587Кешбэк 538 баллов
    PTMA180402M-V1-R500Транзистор: 40W, SI LDMOS IC , 28V, 1800-210
    11 094Кешбэк 1 664 балла
    BLM9D1822-30BZBLM9D1822-30B/SOT1462/REELDP
    5 441Кешбэк 816 баллов
    2SK238-T1B-AТранзистор: RF SMALL SIGNAL FET
    65Кешбэк 9 баллов
    ECH8617-TL-EТранзистор: PCH+PCH 4V DRIVE SERIES
    82Кешбэк 12 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Принадлежности
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные диоды
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП