Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
MRF157
MRF157

MRF157

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM
  • Артикул:
    MRF157
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 125V 80MHZ 368-03 1=1PCВсе характеристики

Минимальная цена MRF157 при покупке от 1 шт 197433.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF157 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MRF157

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    80MHz
  • Усиление
    21dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    60A
  • Тестовый ток
    800 mA
  • Мощность передачи
    600W
  • Нормальное напряжение
    125 V
  • Корпус
    368-03
  • Исполнение корпуса
    368-03, Style 2
Техническая документация
 MRF157.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 9 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    197 433 ₽
  • 10
    174 975 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM
  • Артикул:
    MRF157
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 125V 80MHZ 368-03 1=1PCВсе характеристики

Минимальная цена MRF157 при покупке от 1 шт 197433.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF157 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MRF157

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    80MHz
  • Усиление
    21dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    60A
  • Тестовый ток
    800 mA
  • Мощность передачи
    600W
  • Нормальное напряжение
    125 V
  • Корпус
    368-03
  • Исполнение корпуса
    368-03, Style 2
Техническая документация
 MRF157.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMRF1019NR4Транзистор: FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5
    13 921Кешбэк 2 088 баллов
    SD57045Транзистор: FET RF 65V 945MHZ M243
    19 047Кешбэк 2 857 баллов
    AFT18S230SR3Транзистор: FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6
    21 774Кешбэк 3 266 баллов
    MMRF1306HR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-1230
    33 915Кешбэк 5 087 баллов
    MMRF1004NR1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
    7 186Кешбэк 1 077 баллов
    BLA6H0912L-1000UТранзистор
    175 941Кешбэк 26 391 балл
    BLF8G10LS-270GVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
    15 339Кешбэк 2 300 баллов
    2N5484Транзистор: JFET N-CH 25V 5MA TO92
    605Кешбэк 90 баллов
    BLF6G38LS-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B
    17 938Кешбэк 2 690 баллов
    MRF8S21100HSR3Транзистор: FET RF 65V 2.17GHZ NI780S
    18 059Кешбэк 2 708 баллов
    BLC8G27LS-140AVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751
    11 441Кешбэк 1 716 баллов
    PD85035STR-EТранзистор: TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
    6 111Кешбэк 916 баллов
    BLF888DURF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
    62 077Кешбэк 9 311 баллов
    BLD6G21L-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A
    16 422Кешбэк 2 463 балла
    PD55003-EТранзистор: FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
    2 099Кешбэк 314 баллов
    3SK264-5-TG-EТранзистор: 3SK264 - N-CHANNNEL DUAL GATE MO
    32Кешбэк 4 балла
    MRF134Транзистор: FET RF 65V 400MHZ 211-07
    7 914Кешбэк 1 187 баллов
    CMPA1D1E025FIC AMP 13.75GHZ-14.5GHZ 440208
    171 869Кешбэк 25 780 баллов
    BLC8G21LS-160AVYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15DB SOT12751
    13 608Кешбэк 2 041 балл
    ARF463AP1GТранзистор: RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
    8 493Кешбэк 1 273 балла
    BLF7G24L-100,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A
    13 438Кешбэк 2 015 баллов
    AFT05MS031GNR1Транзистор: FET RF 40V 520MHZ TO270-2G
    6 611Кешбэк 991 балл
    MRF171AТранзистор: FET RF 65V 200MHZ 211-07
    14 077Кешбэк 2 111 баллов
    MRFE6VP6300HR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
    122 837Кешбэк 18 425 баллов
    MRF140Транзистор: FET RF 65V 150MHZ 211-11
    28 866Кешбэк 4 329 баллов
    AFV09P350-04NR3Транзистор: FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4
    76 156Кешбэк 11 423 балла
    CGHV1F006SТранзистор: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
    14 649Кешбэк 2 197 баллов
    MMBFJ309LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3
    19.7Кешбэк 2 балла
    MRF6S27050HR5Транзистор: RF 2.62GHZ, NI-780, MOSFET
    10 816Кешбэк 1 622 балла
    BLM7G1822S-40PBGYRF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121
    8 019Кешбэк 1 202 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диодные мосты
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП