Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
MRF177
  • В избранное
  • В сравнение
MRF177

MRF177

MRF177
;
MRF177

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM
  • Артикул:
    MRF177
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 2CH 65V 400MHZ 744A-01Все характеристики

Минимальная цена MRF177 при покупке от 1 шт 30763.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF177 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MRF177

MRF177 MACOM Транзистор: FET RF 2CH 65V 400MHZ 744A-01

  • Основные параметры:
    • Тип: FET (полупроводниковый транзистор)
    • Применение: радиочастотная (RF) техника
    • Количество каналов: 2
    • Номинальное напряжение: 65В
    • Рабочая частота: 400МГц
    • Максимальный ток: 744А
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к шумам
    • Высокая стабильность характеристик
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокое энергетическое потребление
    • Высокие требования к охлаждению
    • Сложность в использовании без специализированных знаний
  • Общее назначение:
    • Радиостанции
    • Мобильные телефоны
    • Имплантаты медицинского назначения
    • Беспроводные устройства
  • Применение в устройствах:
    • Стационарные и портативные радиостанции
    • Мобильные телефоны и другие беспроводные устройства
    • Системы спутниковой связи
    • Медицинские имплантаты с беспроводным контролем
Выбрано: Показать

Характеристики MRF177

  • Тип транзистора
    2 N-Channel (Dual) Common Source
  • Частота
    400MHz
  • Усиление
    12dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    16A
  • Тестовый ток
    200 mA
  • Мощность передачи
    100W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    744A-01
  • Исполнение корпуса
    744A-01, Style 2

Техническая документация

 MRF177.pdf
pdf. 0 kb
  • 107 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    30 763 ₽
  • 10
    26 101 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM
  • Артикул:
    MRF177
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 2CH 65V 400MHZ 744A-01Все характеристики

Минимальная цена MRF177 при покупке от 1 шт 30763.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF177 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MRF177

MRF177 MACOM Транзистор: FET RF 2CH 65V 400MHZ 744A-01

  • Основные параметры:
    • Тип: FET (полупроводниковый транзистор)
    • Применение: радиочастотная (RF) техника
    • Количество каналов: 2
    • Номинальное напряжение: 65В
    • Рабочая частота: 400МГц
    • Максимальный ток: 744А
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к шумам
    • Высокая стабильность характеристик
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокое энергетическое потребление
    • Высокие требования к охлаждению
    • Сложность в использовании без специализированных знаний
  • Общее назначение:
    • Радиостанции
    • Мобильные телефоны
    • Имплантаты медицинского назначения
    • Беспроводные устройства
  • Применение в устройствах:
    • Стационарные и портативные радиостанции
    • Мобильные телефоны и другие беспроводные устройства
    • Системы спутниковой связи
    • Медицинские имплантаты с беспроводным контролем
Выбрано: Показать

Характеристики MRF177

  • Тип транзистора
    2 N-Channel (Dual) Common Source
  • Частота
    400MHz
  • Усиление
    12dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    16A
  • Тестовый ток
    200 mA
  • Мощность передачи
    100W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    744A-01
  • Исполнение корпуса
    744A-01, Style 2

Техническая документация

 MRF177.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLM8G0710S-15PBGYRF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122
    8 290Кешбэк 1 243 балла
    BLF8G10LS-270GVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
    14 956Кешбэк 2 243 балла
    BLF8G27LS-100GVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C
    11 953Кешбэк 1 792 балла
    BLF6G15L-40BRN,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 22DB SOT1112A
    12 172Кешбэк 1 825 баллов
    BLF884PS,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121B
    33 926Кешбэк 5 088 баллов
    BLF884P,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121A
    33 926Кешбэк 5 088 баллов
    BLF8G20LS-400PVUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B
    16 739Кешбэк 2 510 баллов
    BLC2425M8LS300PZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12501
    20 724Кешбэк 3 108 баллов
    BLF7G22LS-160,112RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
    19 534Кешбэк 2 930 баллов
    BLF7G10L-250,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502A
    23 209Кешбэк 3 481 балл
    BLF882SUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502B
    21 750Кешбэк 3 262 балла
    BLF6G22LS-130,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
    19 187Кешбэк 2 878 баллов
    BLF182XRUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B
    31 184Кешбэк 4 677 баллов
    BLF7G20LS-200,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
    16 894Кешбэк 2 534 балла
    BLA6H0912L-1000UТранзистор
    171 542Кешбэк 25 731 балл
    BLC9G20LS-470AVTZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583
    20 110Кешбэк 3 016 баллов
    BLF6G27-10G,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C
    7 264Кешбэк 1 089 баллов
    BLF10H6600PUТранзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A
    57 496Кешбэк 8 624 балла
    BLF2425M9LS140UТранзистор: TRANS RF 140W LDMOST
    24 284Кешбэк 3 642 балла
    BLF8G27LS-100UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
    11 171Кешбэк 1 675 баллов
    BLF7G22LS-250P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B
    26 305Кешбэк 3 945 баллов
    BLF8G20LS-200V,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B
    12 900Кешбэк 1 935 баллов
    BLF8G22LS-205VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B
    14 956Кешбэк 2 243 балла
    BLA6H0912-500,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A
    159 216Кешбэк 23 882 балла
    BLF8G20LS-230VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B
    13 407Кешбэк 2 011 баллов
    BLF8G20LS-400PGVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242C
    16 739Кешбэк 2 510 баллов
    BLS6G2731-120,112Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A
    55 288Кешбэк 8 293 балла
    BLM7G1822S-40PBYRF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12111
    7 819Кешбэк 1 172 балла
    BLF7G22LS-250P,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B
    26 305Кешбэк 3 945 баллов
    BLF6G13LS-250PGJТранзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121E
    54 253Кешбэк 8 137 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП