Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
MRF1K50GNR5
MRF1K50GNR5

MRF1K50GNR5

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    MRF1K50GNR5
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET LDMOS 50 OM1230GВсе характеристики

Минимальная цена MRF1K50GNR5 при покупке от 1 шт 43540.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF1K50GNR5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MRF1K50GNR5

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1.8MHz ~ 500MHz
  • Усиление
    23dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Мощность передачи
    1500W
  • Нормальное напряжение
    50 V
  • Корпус
    OM-1230G-4L
  • Исполнение корпуса
    OM-1230G-4L
  • Base Product Number
    MRF1K50
Техническая документация
 MRF1K50GNR5.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 110 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    43 540 ₽
  • 10
    37 279 ₽
  • 25
    35 716 ₽
  • 50
    127 443 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    MRF1K50GNR5
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET LDMOS 50 OM1230GВсе характеристики

Минимальная цена MRF1K50GNR5 при покупке от 1 шт 43540.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF1K50GNR5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MRF1K50GNR5

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1.8MHz ~ 500MHz
  • Усиление
    23dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Мощность передачи
    1500W
  • Нормальное напряжение
    50 V
  • Корпус
    OM-1230G-4L
  • Исполнение корпуса
    OM-1230G-4L
  • Base Product Number
    MRF1K50
Техническая документация
 MRF1K50GNR5.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLA8H0910LS-500UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V SOT502B
    88 703Кешбэк 13 305 баллов
    BLS7G2325L-105,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS 10V SOT502A
    51 352Кешбэк 7 702 балла
    BLP05H6700XRYТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V SOT1138-2
    12 205Кешбэк 1 830 баллов
    FSS262-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    86Кешбэк 12 баллов
    CPH3338-T-TL-HPCH 4V DRIVE SERIES
    22.5Кешбэк 3 балла
    BLC9G22XS-400AVTZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.3DB SOT1258
    13 287Кешбэк 1 993 балла
    CPH3408-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    90Кешбэк 13 баллов
    UPA570T-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    51Кешбэк 7 баллов
    CPH3337-T-TL-EPCH 2.5V DRIVE SERIES
    39.4Кешбэк 5 баллов
    FW4604-TL-2WXТранзистор: NCH+PCH 4.5V DRIVE SERIES
    81Кешбэк 12 баллов
    BLC10G22XS-400AVTZТранзистор: BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY
    14 004Кешбэк 2 100 баллов
    CGHV40200PPТранзистор: RF MOSFET HEMT 440199
    113 183Кешбэк 16 977 баллов
    CGH35240FТранзистор: 240W GAN HEMT 28V 3.1-3.5GHZ FET
    93 857Кешбэк 14 078 баллов
    TAV-551+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873
    342Кешбэк 51 балл
    BLA9G1011L-300UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A
    36 214Кешбэк 5 432 балла
    ART1K6FHSUТранзистор: ART1K6FHS/SOT539/TRAY
    35 211Кешбэк 5 281 балл
    CPH6614-TL-HТранзистор: PCH+NCH 4V DRIVE SERIES
    53Кешбэк 7 баллов
    TAV-581+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873
    2 835Кешбэк 425 баллов
    CGH27030S-AMP1Транзистор: AMPLIFIER, 1.8-2.2GHZ, CGH27030S
    177 685Кешбэк 26 652 балла
    BLF0910H9LS750PUТранзистор: BLF0910H9LS750P/SOT539/TRAY
    31 109Кешбэк 4 666 баллов
    BLC9G20LS-160PVZТранзистор: RF MOSFET LDMOS 28V SOT1275-1
    11 389Кешбэк 1 708 баллов
    MTP27N06LТранзистор: NFET T0220 100V 0.07R
    99Кешбэк 14 баллов
    VRF150MPТранзистор: RF MOSFET N-CHANNEL 50V M174
    26 235Кешбэк 3 935 баллов
    SAV-541+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V SC70-4
    443Кешбэк 66 баллов
    MRFX1K80GNR5Транзистор: 600MHZ 1.8KW OM1230G-4L
    56 900Кешбэк 8 535 баллов
    BLP7G10S-160PYТранзистор: RF LDMOS TRANS 160W SOT1223-2
    12 263Кешбэк 1 839 баллов
    HIP5010ISМикросхема: COMPLEMENTARY DRIVE HALF-BRIDGE
    396Кешбэк 59 баллов
    GTRA384802FC-V1-R0Транзистор: GAN HEMT 48V 480W 3800MHZ
    38 863Кешбэк 5 829 баллов
    BLM9D2527-20ABZRF MOSFET LDMOS SOT1462-1
    6 117Кешбэк 917 баллов
    IGN1011L70Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    48 237Кешбэк 7 235 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП