Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
MRF300BN
MRF300BN

MRF300BN

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    MRF300BN
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET LDMOS 50V TO247Все характеристики

Минимальная цена MRF300BN при покупке от 1 шт 15353.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF300BN с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MRF300BN

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    27MHz ~ 250MHz
  • Усиление
    18.7dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Мощность передачи
    300W
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247
  • Base Product Number
    MRF300
Техническая документация
 MRF300BN.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 226 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    15 353 ₽
  • 10
    12 787 ₽
  • 30
    12 037 ₽
  • 120
    11 368 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    MRF300BN
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET LDMOS 50V TO247Все характеристики

Минимальная цена MRF300BN при покупке от 1 шт 15353.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF300BN с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MRF300BN

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    27MHz ~ 250MHz
  • Усиление
    18.7dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Мощность передачи
    300W
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247
  • Base Product Number
    MRF300
Техническая документация
 MRF300BN.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    AFM906NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 10.8V 16DFN
    463Кешбэк 69 баллов
    CGH27030SТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 12DFN
    17 214Кешбэк 2 582 балла
    SCH2401-TL-EТранзистор: NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    18.7Кешбэк 2 балла
    CGH27060FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    62 442Кешбэк 9 366 баллов
    CPH3445-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    37Кешбэк 5 баллов
    B10G3741N55DZТранзистор: IC 28V LDMOS RF SOT1462-1
    6 426Кешбэк 963 балла
    GTVA262711FA-V2-R0Транзистор: GAN HEMT 48V 300W 2496-2690MHZ
    25 791Кешбэк 3 868 баллов
    MRFX1K80GNR5Транзистор: 600MHZ 1.8KW OM1230G-4L
    56 613Кешбэк 8 491 балл
    WP48007025Транзистор: RF GaN HEMT 48V DIE DC~7GHZ, 25W
    15 743Кешбэк 2 361 балл
    CG2H30070FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V
    96 450Кешбэк 14 467 баллов
    BLS7G2325L-105,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS 10V SOT502A
    51 093Кешбэк 7 663 балла
    CGH27030S-AMP1Транзистор: AMPLIFIER, 1.8-2.2GHZ, CGH27030S
    176 791Кешбэк 26 518 баллов
    BLP15H9S30ZТранзистор: BLP15H9S30/SOT1482/REELDP
    4 315Кешбэк 647 баллов
    BLP7G10S-160PYТранзистор: RF LDMOS TRANS 160W SOT1223-2
    12 202Кешбэк 1 830 баллов
    CGHV27015SТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 12DFN
    10 300Кешбэк 1 545 баллов
    PTVA123501FC-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-37248-2
    66 383Кешбэк 9 957 баллов
    A3G26D055N-1805Транзистор: RF REFERENCE CIRCUIT 25W 1805-18
    82 956Кешбэк 12 443 балла
    BLC10G18XS-360AVTZТранзистор: BLC10G18XS-360AV/SOT1258/TRAYD
    14 795Кешбэк 2 219 баллов
    BLM9D2325-20ABZRF MOSFET LDMOS SOT1462-1
    6 086Кешбэк 912 баллов
    BLC10M6XS200ZТранзистор: RF MOSFET LDMOS 28V SOT1270-1
    12 220Кешбэк 1 833 балла
    BFL4037-SNCH 10V DRIVE SERIES
    133Кешбэк 19 баллов
    SCH1305-TL-EPCH 1.8V DRIVE SERIES
    15Кешбэк 2 балла
    WPGM0206012Транзистор: RF GAN HEMT MMIC 2pcs/pack
    93 400Кешбэк 14 010 баллов
    UPA570T-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    50Кешбэк 7 баллов
    MRF101BNТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3
    7 711Кешбэк 1 156 баллов
    BLA1011-10Транзистор: OXIDE SEMICONDUCTOR FET
    22 485Кешбэк 3 372 балла
    BLF978PUТранзистор: BLF978P/SOT539/TRAY
    50 141Кешбэк 7 521 балл
    2SK3092-TL-ENCH 15V DRIVE SERIES
    159Кешбэк 23 балла
    A3G26D055NT4Транзистор: RF GAN MOSFET AIRFAST 8W 48V
    9 523Кешбэк 1 428 баллов
    TAV-551+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873
    2 821Кешбэк 423 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Принадлежности
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды силовые
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП