Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные биполярные транзисторы
MRF428
  • В избранное
  • В сравнение
MRF428

MRF428

MRF428
;
MRF428

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    MRF428
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 55V 211-11Все характеристики

Минимальная цена MRF428 при покупке от 1 шт 33720.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF428 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MRF428

MRF428 MACOM Technology Solutions Транзистор: RF TRANS NPN 55V 211-11

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальное напряжение между эмиттером и коллектиром: 55 В
    • Номинальная мощность: 211 мВт
    • Диапазон частот: до 3 ГГц
  • Плюсы:
    • Высокая надежность при работе в радиочастотном диапазоне
    • Устойчивость к переносам напряжения
    • Эффективность в передаче сигналов
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению при работе на максимальной мощности
    • Стоимость может быть выше по сравнению с традиционными транзисторами
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоприемниках и передающих устройствах
    • Работа в системах связи и коммуникаций
    • Применение в тестовых приборах и измерительной технике
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиостанции и мобильные телефоны
    • Стационарные радиопередатчики
    • Измерительные приборы для радиочастотного диапазона
    • Тестовое оборудование для радиотехнической отрасли
Выбрано: Показать

Характеристики MRF428

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    55V
  • Усиление
    15dB
  • Рассеивание мощности
    150W
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    10 @ 5A, 5V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    20A
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    211-11, Style 2
  • Исполнение корпуса
    211-11, Style 2

Техническая документация

 MRF428.pdf
pdf. 0 kb
  • 36 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    33 720 ₽
  • 20
    27 715 ₽
  • 40
    26 910 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    MRF428
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 55V 211-11Все характеристики

Минимальная цена MRF428 при покупке от 1 шт 33720.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF428 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MRF428

MRF428 MACOM Technology Solutions Транзистор: RF TRANS NPN 55V 211-11

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальное напряжение между эмиттером и коллектиром: 55 В
    • Номинальная мощность: 211 мВт
    • Диапазон частот: до 3 ГГц
  • Плюсы:
    • Высокая надежность при работе в радиочастотном диапазоне
    • Устойчивость к переносам напряжения
    • Эффективность в передаче сигналов
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению при работе на максимальной мощности
    • Стоимость может быть выше по сравнению с традиционными транзисторами
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоприемниках и передающих устройствах
    • Работа в системах связи и коммуникаций
    • Применение в тестовых приборах и измерительной технике
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиостанции и мобильные телефоны
    • Стационарные радиопередатчики
    • Измерительные приборы для радиочастотного диапазона
    • Тестовое оборудование для радиотехнической отрасли
Выбрано: Показать

Характеристики MRF428

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    55V
  • Усиление
    15dB
  • Рассеивание мощности
    150W
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    10 @ 5A, 5V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    20A
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    211-11, Style 2
  • Исполнение корпуса
    211-11, Style 2

Техническая документация

 MRF428.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BFG505/X,215Транзистор: RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B
    48Кешбэк 7 баллов
    BFU768F,115Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
    146Кешбэк 21 балл
    BFU610F,115Транзистор: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP
    130Кешбэк 19 баллов
    BFU710F,115Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
    130Кешбэк 19 баллов
    BFU520XVLТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
    124Кешбэк 18 баллов
    BFU520WXТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
    82Кешбэк 12 баллов
    BFU520XRRТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
    63Кешбэк 9 баллов
    BFG425W,115Транзистор: RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4
    296Кешбэк 44 балла
    BFU530RТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
    74Кешбэк 11 баллов
    BFU590QXТранзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT89-3
    174Кешбэк 26 баллов
    BFM520,115Транзистор: RF TRANS 2 NPN 8V 9GHZ 6TSSOP
    438Кешбэк 65 баллов
    BFU520WFТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
    130Кешбэк 19 баллов
    BFU520RТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
    85Кешбэк 12 баллов
    MMBTH10RGТранзистор: RF 0.05A, ULTRA HIGH FREQ BAND
    18.5Кешбэк 2 балла
    SS9018GBUТранзистор: RF 0.05A, VERY HIGH FREQUENCY BA
    9.3Кешбэк 1 балл
    SS9018FBUТранзистор: RF 0.05A, VERY HIGH FREQUENCY BA
    7.4Кешбэк 1 балл
    PN3563Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    13Кешбэк 1 балл
    MPSH17Транзистор: TRANS NPN 15V TO-92
    18.5Кешбэк 2 балла
    MPSH10Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    28Кешбэк 4 балла
    MPSH11Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    14.8Кешбэк 2 балла
    2N3663Транзистор: RF TRANS NPN 12V 2.1GHZ TO92-3
    7.4Кешбэк 1 балл
    MMBTH10Транзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
    9.3Кешбэк 1 балл
    NE68119-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT523
    148Кешбэк 22 балла
    NE662M04-T2-AТранзистор: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F
    371Кешбэк 55 баллов
    NE85619-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523
    148Кешбэк 22 балла
    NE68819-T1-AТранзистор: TRANSISTOR NPN 2GHZ SMD
    148Кешбэк 22 балла
    NE68519-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523
    148Кешбэк 22 балла
    NE85630-T1-R24-AТранзистор: RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323
    333Кешбэк 49 баллов
    NE68133-T1B-R34-AТранзистор
    371Кешбэк 55 баллов
    NE85634-T1-RE-AТранзистор
    371Кешбэк 55 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Модули
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - Специального назначения
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП