Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
MRF6S27085HR5
MRF6S27085HR5

MRF6S27085HR5

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Freescale Semiconductor
  • Артикул:
    MRF6S27085HR5
  • Описание:
    Транзистор: RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORВсе характеристики

Минимальная цена MRF6S27085HR5 при покупке от 4 шт 17153.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF6S27085HR5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MRF6S27085HR5

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.66GHz
  • Усиление
    15.5dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    900 mA
  • Мощность передачи
    20W
  • Нормальное напряжение
    68 V
  • Корпус
    SOT-957A
  • Исполнение корпуса
    NI-780H-2L
  • В избранное
  • В сравнение
  • 39 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 4
    17 153 ₽

Минимально и кратно 4 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Freescale Semiconductor
  • Артикул:
    MRF6S27085HR5
  • Описание:
    Транзистор: RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORВсе характеристики

Минимальная цена MRF6S27085HR5 при покупке от 4 шт 17153.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MRF6S27085HR5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MRF6S27085HR5

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.66GHz
  • Усиление
    15.5dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    900 mA
  • Мощность передачи
    20W
  • Нормальное напряжение
    68 V
  • Корпус
    SOT-957A
  • Исполнение корпуса
    NI-780H-2L

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMBFJ309Транзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23-3
    BLF879P,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
    BLF10H6600PSUТранзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B
    MRF136Транзистор: FET RF 65V 400MHZ 211-07
    ARF463AP1GТранзистор: RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
    MMRF1019NR4Транзистор: FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5
    MRF6V14300HR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 50V NI780H
    CGHV35150FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    STAC2932FТранзистор: TRANS RF PWR N-CH STAC244F
    BLC8G27LS-140AVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751
    BLC8G27LS-140AVYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751
    BF1005SE6327HTSA1Транзистор: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143
    AFT05MS031NR1Транзистор: FET RF 40V 520MHZ TO-270-2
    BLF7G20L-90P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121A
    SMMBFJ310LT3GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    2N5246Транзистор: SMALL SIGNAL FET
    BLP7G22-05ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
    BLF888DSUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B
    VRF141Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 28V 150W M174
    BLA1011S-200,112Транзистор: RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B
    MRFE6VP61K25HSR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
    PD55003L-EТранзистор: TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
    BLF10H6600PUТранзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A
    ARF461BGТранзистор: RF MOSFET N-CH 1000V TO247
    MRF154Транзистор: FET RF 125V 100MHZ 368-03
    BLF8G24LS-200P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B
    BF1202WR,135Транзистор: MOSFET N-CH DUAL GATE 4DFP
    BLF884P,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121A
    BF1203,115Транзистор: FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP
    AFT23S170-13SR3Транзистор: FET RF 65V 2.4GHZ NI780S-2L4S

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Диоды силовые
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП